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Nor Flash編程和擦除操作實(shí)踐與指南

冬至子 ? 來源:華桑電子元器件 ? 作者:華桑電子元器件 ? 2023-12-05 14:03 ? 次閱讀

閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲單元,為確保準(zhǔn)確編程,Nor Flash 支持字節(jié)級編程,允許寫入或修改單個(gè)字節(jié),而無需擦除整個(gè)塊。

編程完成后,執(zhí)行讀取驗(yàn)證,以確認(rèn)數(shù)據(jù)已準(zhǔn)確寫入,驗(yàn)證這一操作對于檢測任何潛在的編程錯(cuò)誤并確保數(shù)據(jù)完整性很重要。

以指定或推薦的編程速度對Nor Flash進(jìn)行編程,以避免快速編程操作可能導(dǎo)致的編程干擾和讀取干擾等問題。將新數(shù)據(jù)編程到存儲器之前,Nor Flash 必須被擦除。

而Nor Flash使用基于塊的擦除操作。 確保在寫入新數(shù)據(jù)之前已充分擦除所選存儲塊。擦除操作后,驗(yàn)證擦除塊以確保所有存儲單元均已達(dá)到擦除狀態(tài)。

需要注意每個(gè)Nor Flash設(shè)備的是有最大擦除周期限制的,重復(fù)擦除同一塊可能會導(dǎo)致單元退化,影響存儲器的壽命。

Nor Flash提供可靠的數(shù)據(jù)保留,但一些因素可能會影響長期存儲。在極端溫度會影響數(shù)據(jù)保留,所以需要控制好環(huán)境溫度,讓Nor Flash存儲以保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。

隨著時(shí)間的推移,頻繁的編程和擦除會降低 Nor Flash 單元的性能,優(yōu)化內(nèi)存使用并避免不必要的寫入和擦除周期。

在應(yīng)用程序中納入錯(cuò)誤處理和錯(cuò)誤糾正機(jī)制,以管理潛在的讀取和編程錯(cuò)誤,實(shí)施糾錯(cuò)碼 (ECC) 或其他技術(shù)來增強(qiáng)數(shù)據(jù)完整性并防止數(shù)據(jù)損壞。

閃存編程和擦除操作也不是有效利用這種非易失性存儲器的重要方面。遵循字節(jié)級編程、擦除驗(yàn)證和數(shù)據(jù)保留注意事項(xiàng)等最佳實(shí)踐,可確保可靠的數(shù)據(jù)存儲和優(yōu)化的內(nèi)存管理。

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