近日，乾照光電取得多項(xiàng)LED芯片相關(guān)專(zhuān)利，分別是“一種LED芯片及其制備方法”、“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”、“一種LED外延結(jié)構(gòu)“。

其中，“一種LED芯片及其制備方法”，公開(kāi)號(hào)CN117117055A，申請(qǐng)日期為2023年9月。

專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制備方法，通過(guò)該方法在保證電極被鈍化層覆蓋以解決金屬逆壓遷移問(wèn)題的同時(shí)，通過(guò)撕膜即可形成鈍化層圖形，減少光刻次數(shù)，簡(jiǎn)化工藝，降低成本。

“一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片”，授權(quán)公告號(hào)CN220106568U，申請(qǐng)日期為2023年4月。

專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型提供了一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，在所述外延疊層表面通過(guò)介質(zhì)層+金屬反射層的配合形成了ODR全方向反射鏡，使光線被反射后從LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整體反射率、增加了光提取效率；

同時(shí)，通過(guò)嵌入所述集成金屬層，在制作集成金屬層的過(guò)程中采用含Au金屬材料，并通過(guò)蝕刻的方式裸露出集成金屬層中的部分表面，該裸露部分承擔(dān)PAD功能，可以實(shí)現(xiàn)與外部的電連接。

“一種LED外延結(jié)構(gòu)”授權(quán)公告號(hào)CN220121867U，申請(qǐng)日期為2023年5月。

專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)，所述N型半導(dǎo)體層至少包括三個(gè)N型半導(dǎo)體子層，且至少兩個(gè)所述N型半導(dǎo)體子層的N型摻雜濃度不一致。

進(jìn)一步地，在所述N型半導(dǎo)體層中，靠近所述襯底一側(cè)的N型半導(dǎo)體子層為N型半導(dǎo)體底層，靠近所述有源層一側(cè)的N型半導(dǎo)體子層為N型半導(dǎo)體頂層，其余的N型半導(dǎo)體子層為N型半導(dǎo)體中間層；

則，至少一N型半導(dǎo)體中間層的N型摻雜濃度低于所述N型半導(dǎo)體底層和/或N型半導(dǎo)體頂層的N型摻雜濃度。

使得所述N型半導(dǎo)體層的N型摻雜濃度呈高低高的階梯式分布結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠?qū)?a href="http://www.asorrir.com/v/tag/873/" target="_blank">高壓靜電起到緩沖的作用，降低了高壓靜電的破壞力，提升ESD性能，同時(shí)避免因有源層的N型摻雜降低而影響ESD性能。

Micro LED憑借具備更高的發(fā)光效率、更長(zhǎng)的壽命、更高的像素密度以及更強(qiáng)的畫(huà)質(zhì)擬真度被業(yè)界認(rèn)為是視覺(jué)時(shí)代下的最優(yōu)解，Mini LED作為其過(guò)渡階段，現(xiàn)已在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。

芯片作為Micro LED產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，掌握了Micro LED發(fā)展的重要命脈。

乾照光電作為國(guó)內(nèi)LED芯片龍頭廠商之一，在Micro LED領(lǐng)域布局處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位，已開(kāi)發(fā)出垂直Micro LED芯片樣品可以供客戶試樣，并與多個(gè)重要客戶合作緊密，共同促進(jìn)相關(guān)技術(shù)迭代，爭(zhēng)取早日實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

值得一提的是，在今年八月份，乾照光電發(fā)布公告稱(chēng)，公司與南昌市新建區(qū)人民政府于近日簽署了《海信乾照江西半導(dǎo)體基地項(xiàng)目協(xié)議書(shū)》，就公司在新建區(qū)投資建設(shè)“海信乾照江西半導(dǎo)體基地項(xiàng)目”初步達(dá)成協(xié)議。

公告顯示，“海信乾照江西半導(dǎo)體基地項(xiàng)目”選址江西新建經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，規(guī)劃使用乾照光電南昌基地現(xiàn)有廠房和土地資源生產(chǎn)LED產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能50萬(wàn)片（折2寸片）。

審核編輯：湯梓紅