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PCB通孔不良案例分析

liuhezhineng ? 來(lái)源:PCB電子電路技術(shù) ? 2023-10-19 11:31 ? 次閱讀

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失效斷面外觀圖像(顯微鏡觀察有孔內(nèi)無(wú)銅異常)

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小結(jié):NG孔進(jìn)行斷面金相觀察,發(fā)現(xiàn)5個(gè)孔中有3個(gè)出現(xiàn)孔無(wú)銅現(xiàn)象,位置均在孔內(nèi),鎳層始終包住鍍銅,銅層消失位置平滑無(wú)尖銳角,未發(fā)現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象。

失效斷面SEM觀察

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小結(jié):NG孔斷面SEM觀察,孔無(wú)銅位置未發(fā)現(xiàn)異物附著,孔口位置孔銅測(cè)量銅厚9.900μm,銅鎳合金厚1.069μm;靠近中間位置孔銅測(cè)量銅厚3.000μm,銅鎳合金厚0.943μm。發(fā)現(xiàn)NG孔壁鍍層由孔口到孔內(nèi)逐漸變薄消失,膠質(zhì)層由孔口到孔內(nèi)逐漸變厚,并且結(jié)構(gòu)疏松。

孔斷面剝離鍍層后SEM觀察

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EDS分析位置

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小結(jié):切片NG孔斷面孔無(wú)銅位置EDS分析,位置001黑色附著物檢出C、O、Si、K、Ca、Br元素,其中K元素為導(dǎo)電膜形成過(guò)程產(chǎn)生元素,位置002與位置003檢出C、O、Si、Ca、Br元素。

結(jié)果判斷】:推測(cè)孔壁膠質(zhì)層過(guò)厚且結(jié)構(gòu)疏松導(dǎo)致高分子單體聚合物吸附異常影響導(dǎo)電膜的連續(xù)性,電鍍銅過(guò)程中銅由兩端往中間生長(zhǎng),中間位置導(dǎo)電膜異常電阻值大,阻礙銅層生長(zhǎng)從而導(dǎo)致本次不良。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:PCB通孔不良案例分析!

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