全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出一項強大的內(nèi)存賦能技術,可助力客戶在主流應用場景中實現(xiàn)經(jīng)濟實惠的邊緣 AI 計算。華邦的 CUBE (半定制化超高帶寬元件) 可大幅優(yōu)化內(nèi)存技術,可實現(xiàn)在混合云與邊緣云應用中運行生成式 AI 的性能。
CUBE 增強了前端 3D 結構的性能,例如 chip-on-wafer(CoW)和wafer-on-wafer(WoW),以及后端 2.5D/3D chip-on-Si-interposer 的基板和扇出(Fan out)解決方案。CUBE 專為滿足邊緣 AI 運算裝置不斷增長的需求而設計,能利用 3D 堆棧技術并結合異質鍵合技術而提供高帶寬低功耗的單顆 256Mb 至 8Gb 內(nèi)存。除此之外,CUBE 還能利用 3D 堆棧技術加強帶寬降低數(shù)據(jù)傳輸時所需的電力。
CUBE 的推出是華邦實現(xiàn)跨平臺與接口無縫部署的重要一步。CUBE 適用于可穿戴設備、邊緣服務器設備、監(jiān)控設備、ADAS 及協(xié)作機器人等高級應用。
華邦表示
CUBE 架構讓 AI 部署實現(xiàn)了轉變,并且我們相信,云 AI 和邊緣 AI 的集成將會帶領 AI 發(fā)展至下一階段。我們正在通過 CUBE 解鎖無限全新可能,并且正在為強大的邊緣 AI 設備提高內(nèi)存性能及優(yōu)化成本。
CUBE 的主要特性:
節(jié)省電耗
CUBE 提供卓越的電源效率,功耗低于 1pJ/bit,能夠確保延長運行時間并優(yōu)化能源使用。
卓越的性能
憑借 32GB/s 至 256GB/s 的帶寬,CUBE 可提供遠高于行業(yè)標準的性能提升。
較小尺寸
CUBE 擁有更小的外形尺寸。目前基于 20nm 標準,可以提供每顆芯片 256Mb-8Gb 容量,2025 年將有 16nm 標準。引入硅通孔(TSV)可進一步增強性能,改善信號完整性、電源完整性、以 9 um pitch 縮小 IO 的面積和較佳的散熱(CUBE 置下、SoC 置上時)。
高經(jīng)濟效益、高帶寬
CUBE 的 IO 速度于 1K IO 可高達 2Gbps,當與 28nm 和 22nm 等成熟工藝的 SoC 集成, CUBE 則可到達 32GB/s 至 256GB/s 帶寬,相當于 HBM2 帶寬, 也相當于 4 至 32 個 LP-DDR4x 4266Mbps x16 IO。
SoC 芯片尺寸減小
SoC(不帶 TSV,置上)堆疊在 CUBE(帶 TSV,置下)上。如果去除 TSV 區(qū)域損失,其芯片尺寸可能會更小。能夠為邊緣 AI 設備帶來更明顯的成本優(yōu)勢。
華邦表示
CUBE 可以釋放混合邊緣/云 AI 的全部潛力,以提升系統(tǒng)功能、響應時間以及能源效率。華邦對創(chuàng)新與合作的承諾將會助力開發(fā)人員和企業(yè)共同推動各個行業(yè)的進步。
此外華邦還正在積極與合作伙伴公司合作建立 3DCaaS 平臺,該平臺將進一步發(fā)揮 CUBE 的能力。通過將 CUBE 與現(xiàn)有技術相結合,華邦能為業(yè)界提供尖端解決方案,使企業(yè)在 AI 驅動轉型的關鍵時代蓬勃發(fā)展。
審核編輯:劉清
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原文標題:華邦推出創(chuàng)新 CUBE 架構,為邊緣AI帶來超高帶寬內(nèi)存
文章出處:【微信號:Winbond華邦電子,微信公眾號:Winbond華邦電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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