激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)由于其具有靈活、一步成型、對襯底擾動(dòng)小、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于芯片間的電氣連接凸點(diǎn)制備。下面我們一起簡單了解一下這種技術(shù)！

激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)適合制作柱狀凸點(diǎn)，且激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)和其他凸點(diǎn)技術(shù)相比顯得非常靈活，制作時(shí)間也相對較短，成本低，不需要像蒸發(fā)凸點(diǎn)技術(shù)一樣制作掩膜板，對于熱壓鍵合和熱超聲鍵合來說，凸點(diǎn)的熔點(diǎn)越低，則鍵合過程越快，銦的熔點(diǎn)為156℃，具有不錯(cuò)的低溫穩(wěn)定性，導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及較低的回流溫度，并且銦作為焊料無需助焊劑，可以避免污染芯片的有源區(qū)，并且對環(huán)境和人無害，所以我們使用銦作為供體材料。

激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)供體、載體及受體準(zhǔn)備：對于供體材料及載體的準(zhǔn)備，沉積一層薄膜到對激光透明的基板上。

沉積方法視供體材料種類而定。固態(tài)材料的沉積用蒸發(fā)或?yàn)R射方法；液相材料的沉積用旋涂或刮刀法。

對于受體的準(zhǔn)備，可用玻璃基板。用光刻的方法加工金屬焊盤和探針引線作為電氣連接。

將供體材料薄層與受體基板緊密接觸，并置于計(jì)算機(jī)控制的自動(dòng)平移臺(tái)上獲得兩者的最佳接觸間距，視固態(tài)供體（如銦）或液態(tài)供體而不同。

激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移技術(shù)使用的激光：使用物鏡聚焦脈沖紫外激光束，掃描透明載體，使其背面的供體材料轉(zhuǎn)移到受體的焊盤上。

脈沖激光器的波長，脈寬，能流密度以及物鏡焦距、高度等參數(shù)都需精確選擇，由計(jì)算機(jī)程序控制獲得一定的光束聚焦尺寸，滿足特定的位置精度要求，實(shí)現(xiàn)焊凸轉(zhuǎn)移到受體芯片的焊盤上。

審核編輯：劉清