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AMD Versal HBM 自適應(yīng) SoC 已投入量產(chǎn)

Xilinx賽靈思官微 ? 來源:未知 ? 2023-09-20 09:10 ? 次閱讀

作者:Rob Bauer

Versal Premium 和 Versal HBM 系列高級(jí)產(chǎn)品營銷經(jīng)理

縱觀各行各業(yè)與全球范圍,尖端技術(shù)都需要對(duì)海量數(shù)據(jù)的快速處理和傳輸。有線通信需要能夠支持網(wǎng)絡(luò)力量爆炸式增長的基礎(chǔ)設(shè)施,而隨著 800G 以太網(wǎng)乃至更高標(biāo)準(zhǔn)的引入,這種勢頭只會(huì)有增無減。在數(shù)據(jù)中心,功能強(qiáng)大的推薦引擎和金融科技( FinTech )軟件需要對(duì)大型數(shù)據(jù)集進(jìn)行快速分析。對(duì)于測試工程師而言,當(dāng)他們努力跟上新一代協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)快速發(fā)展的腳步時(shí),計(jì)算能力似乎永遠(yuǎn)都尚有差距。

在這些用例中,是什么限制了性能的提升呢?答案通常是存儲(chǔ)器帶寬,而非底層計(jì)算技術(shù)。這些系統(tǒng)具有尺寸和功耗等約束條件,傳統(tǒng)的雙數(shù)據(jù)速率( DDR )存儲(chǔ)器技術(shù)很難提供足夠的帶寬。

相反,AMD Versal HBM 自適應(yīng) SoC 采用高帶寬存儲(chǔ)器( HBM )。這些自適應(yīng) SoC 可將快內(nèi)存、自適應(yīng)計(jì)算和安全連接合并到單個(gè)器件中,從而有助于消除內(nèi)存瓶頸。與 DDR 等分立式存儲(chǔ)器解決方案相比,它們能夠簡化開發(fā)并提供更高的總存儲(chǔ)器帶寬1、 更小的封裝2、 以及更低的功耗3

我很高興地告訴大家,Versal HBM 器件現(xiàn)已投入量產(chǎn),準(zhǔn)備好為您的新一代產(chǎn)品提供支持,并加速其推向市場。而且無需等待即可啟動(dòng)設(shè)計(jì)。功能豐富的 VHK158 評(píng)估套件現(xiàn)已可供購買。

信心滿滿地為內(nèi)存密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)系統(tǒng)

Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的詳細(xì)介紹演示了它們?nèi)绾螌⑾到y(tǒng)和應(yīng)用從網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)分析。Versal HBM 器件基于成熟的 Versal 架構(gòu)而構(gòu)建,采用第四代堆疊硅片互聯(lián)( SSI )技術(shù),將多 Tbps HBM、硬化連接和其它 IP 以及密集的可編程邏輯集成在單個(gè)器件中。

這樣做的結(jié)果是,系統(tǒng)架構(gòu)師能夠最大限度減少內(nèi)存、計(jì)算和連接之間的瓶頸問題,為計(jì)算密集程度最高的應(yīng)用釋放性能。與包含 4 個(gè)以 4266Mbps 運(yùn)行的 LPDDR4 組件的典型實(shí)現(xiàn)方案相比,Versal HBM 系列可提供高達(dá) 6 倍的存儲(chǔ)器帶寬1,允許多個(gè)功能并行訪問存儲(chǔ)器和驅(qū)動(dòng)器性能。此外,利用器件集成的 32GB 內(nèi)存,Versal HBM 系列可提供的內(nèi)存容量為 AMD Virtex UltraScale+ HBM 器件的 2 倍4。而且它具有 112G PAM4 和 32G NRZ 收發(fā)器,其收發(fā)器帶寬比 Virtex UltraScale+ HBM FPGA 多 1.8 倍5。

在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中產(chǎn)生立竿見影的效果

與復(fù)雜的 DDR 接口相比,計(jì)算、內(nèi)存和連接的緊密集成可簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì),有助于優(yōu)化開發(fā)并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。

  • 節(jié)省功耗:與 DDR 相比,具有內(nèi)存封裝的 Versal HBM 系列可節(jié)省高達(dá) 65% 的功耗 (pJ/bit)3,使其更易于實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的供電和冷卻。

  • 獲得 PCB 設(shè)計(jì)靈活性:集成型內(nèi)存較之 DDR 占用空間更少;一個(gè) Versal HBM 自適應(yīng) SoC 可替代多達(dá) 24 個(gè)分立式 LPDDR4 組件。這有助于為電路板實(shí)現(xiàn)更多功能而釋放空間,并讓系統(tǒng)架構(gòu)師能夠更靈活地專注于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化。

  • 簡化并加速設(shè)計(jì):與需要精細(xì)調(diào)整物理接口才能實(shí)現(xiàn)高性能的 DDR 相比,Versal HBM 器件更易于使用。除了集成型內(nèi)存以外,Versal HBM 器件還包括可編程片上網(wǎng)絡(luò),其可以實(shí)現(xiàn)往返于硬化 HBM 控制器的數(shù)據(jù)路由,從而在器件的任何位置進(jìn)行讀/寫訪問。

使用 VHK158 評(píng)估套件立即啟動(dòng)開發(fā)

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開發(fā)人員越快完成設(shè)計(jì)測試,就能越早開始部署產(chǎn)品。VHK158 評(píng)估套件可讓硬件開發(fā)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師快速評(píng)估 Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的性能、功耗和連接性,賦予開發(fā)人員以十足的信心,打造出滿足獨(dú)特需求的硬件設(shè)計(jì)。

通過使用這款功能豐富的評(píng)估套件,開發(fā)人員不僅能輕松連接到現(xiàn)有系統(tǒng)來驗(yàn)證其設(shè)計(jì),而且還能探索板載功能的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢。

該評(píng)估套件可提供多種連接選項(xiàng),包括 QSFP-DD、QSFP28、支持 PCIe Gen5x8 和 Gen3/4x16 的 PCIe 邊緣連接器,以及 FMC+ 連接器。此外,它還包括一組強(qiáng)大的配件,如 micro-SD 卡、回送模塊和以太網(wǎng)線纜。該套件的相關(guān)資料生態(tài)系統(tǒng)有助于優(yōu)化設(shè)計(jì)周期;大量的文檔、演示視頻、設(shè)計(jì)示例和參考設(shè)計(jì)使開發(fā)人員能夠快速啟動(dòng)運(yùn)行。一旦啟動(dòng)設(shè)計(jì),開發(fā)人員就可以使用 AMD Vivado 設(shè)計(jì)套件(面向 AMD 自適應(yīng) SoC、由機(jī)器學(xué)習(xí)提供支持的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具)快速且信心滿滿地實(shí)現(xiàn)他們的定制設(shè)計(jì)。

所有這些都便于系統(tǒng)架構(gòu)師和硬件開發(fā)人員立即啟動(dòng)設(shè)計(jì)測試,并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。

即刻訂購 Versal HBM 自適應(yīng) SoC

Versal HBM 自適應(yīng) SoC 現(xiàn)已投入量產(chǎn),準(zhǔn)備好為新一代計(jì)算密集型應(yīng)用提供支持。與分立式存儲(chǔ)器解決方案相比,這些自適應(yīng) SoC 可提供高達(dá) 6 倍的內(nèi)存帶寬1,以及在更小型的封裝內(nèi)2將功耗降低多達(dá) 65%3。我已經(jīng)迫不及待地想看到它們將如何幫助實(shí)現(xiàn)新興網(wǎng)絡(luò)通信協(xié)議、尖端 AI 等眾多應(yīng)用。

立即開始評(píng)估,并加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。聯(lián)系銷售人員或了解有關(guān) Versal HBM 自適應(yīng) SoC 的更多信息。

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根據(jù) AMD 在 2023 年 5 月開展的內(nèi)部分析,將內(nèi)置 HBM2E 的 Versal HBM VH1542 器件與帶有 4 個(gè) LPDDR4-4266 組件的 Versal Premium VP1502 實(shí)現(xiàn)方案進(jìn)行了比較。配置可能會(huì)有所不同,因此產(chǎn)生不同的結(jié)果。VER-12。

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根據(jù) AMD 在 2023 年 5 月開展的內(nèi)部分析,將假設(shè)帶有 24 個(gè) LPDDR4-4266 組件的 Versal Premium VP1502 器件實(shí)現(xiàn)方案與單個(gè) Versal HBM VH1542 器件進(jìn)行了比較。配置可能會(huì)有所不同,因此產(chǎn)生不同的結(jié)果。VER-14。

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根據(jù) AMD 在 2023 年 5 月開展的內(nèi)部分析,將單個(gè)內(nèi)置 HBM2E 的 Versal HBM VH1542 器件與帶有 4 個(gè) LPDDR4-4266 組件的 Versal Premium VP1502 器件實(shí)現(xiàn)方案進(jìn)行了比較。假設(shè)使用 40% 的讀/寫事務(wù)進(jìn)行順序內(nèi)存訪問。功耗計(jì)算結(jié)果使用 AMD Power Design Manager 和第三方系統(tǒng)功耗計(jì)算器生成。配置可能會(huì)有所不同,因此產(chǎn)生不同的結(jié)果。VER-13。

4

參見 UltraScale+ FPGA 產(chǎn)品選擇指南 (XMP103) 和 Versal HBM 系列產(chǎn)品選擇指南 (XMP465)。

5

根據(jù) AMD 在 2023 年 6 月開展的內(nèi)部分析,將帶有 GTYP 和 GTM 收發(fā)器的 Versal HBM VH1782 器件與帶有 GTY 收發(fā)器的 Virtex UltraScale+ HBM VU47P 器件進(jìn)行了比較。配置可能會(huì)有所不同,因此產(chǎn)生不同的結(jié)果。VER-17。

2023 年超威半導(dǎo)體公司版權(quán)所有。保留所有權(quán)利。AMD、AMD Arrow 標(biāo)識(shí)、UltraScale+、Versal、Virtex、Vivado 及其組合是超威半導(dǎo)體公司的商標(biāo)。PCIe 是 PCI-SIG 公司的商標(biāo)。本文中使用的其它產(chǎn)品名稱僅用于識(shí)別目的,可能是其各自所有者的商標(biāo)。


原文標(biāo)題:AMD Versal HBM 自適應(yīng) SoC 已投入量產(chǎn)

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