高速硅光調(diào)制器主要采用載流子耗盡型的相移器，其工作時(shí)為反偏的PN結(jié)，由于其調(diào)制效率較低，對于Mach-Zehnder型調(diào)制器，相移器的典型長度2-3mm, 因此需要采用行波電極(traveling-wave electrode)來優(yōu)化EO帶寬，行波電極的設(shè)計(jì)主要優(yōu)化三個(gè)方面: 1)RF信號的插損，2)RF信號與光信號的群速度匹配，3) RF信號的阻抗匹配。小豆芽檢索到的兩篇相關(guān)文獻(xiàn)，分別實(shí)現(xiàn)了47GHz和60GHz的EO帶寬。文獻(xiàn)1和文獻(xiàn)2都采用T型慢波TW電極，如下圖所示，

兩者采用的PN結(jié)結(jié)構(gòu)也非常類似，MZM上下兩臂的PN結(jié)串聯(lián)在一起，采用push-pull的驅(qū)動(dòng)方式。中間區(qū)域的p++/n++施加直流的bias偏壓。

兩個(gè)研究組后續(xù)都實(shí)現(xiàn)了單通道200Gbps的PAM4信號傳輸。

為了解決較長的TW電極帶來的帶寬限制，加拿大Laval研究組提出了分段TW電極的方式，將行波電極調(diào)制器的EO帶寬提高到67GHz。其調(diào)制器設(shè)計(jì)如下圖所示，包含三小段相移器，每一段相移器都有相應(yīng)的行波電極。

北京大學(xué)研究組借助于Bragg光柵的慢光效應(yīng)，提高了調(diào)制效率，相移器長度只有124um，其EO帶寬達(dá)到110GHz以上，調(diào)制器結(jié)構(gòu)如下圖所示，

對于微環(huán)調(diào)制器，可以通過借助peaking效應(yīng)提升EO帶寬，Intel在OFC 2022報(bào)道了其最新的微環(huán)調(diào)制器設(shè)計(jì)，其3dB EO帶寬為62GHz，如下圖所示，并首次實(shí)現(xiàn)了基于微環(huán)調(diào)制器的240Gbps PAM4信號傳輸。

以上是對高速硅光調(diào)制器的簡單整理，簡單來說，目前硅基電光調(diào)制器的EO帶寬可以達(dá)到60GHz以上，實(shí)現(xiàn)200Gbps以上的PAM4信號傳輸。

但是進(jìn)一步提高其EO帶寬，會(huì)存在一些困難。可以借助于一些特殊的光學(xué)結(jié)構(gòu)，例如Bragg光柵型的慢光調(diào)制器，也可以借助于薄膜鈮酸鋰材料(LNOI)和BTO材料(BaTiO3)。