來源:BUSINESS WIRE
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StratEdge公司將在多個(gè)近期活動(dòng)中展示其高熱效率的后燒制和模制陶瓷半導(dǎo)體封裝系列,包括于9月19日至21日舉行的歐洲微波周(EuMW)、于10月3日至4日舉辦的IMAPS International以及10月16日至17日舉行的IEEE BCICTS。StratEdge封裝可散發(fā)氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和碳化硅(SiC)等化合物半導(dǎo)體器件的熱量,工作頻率范圍從DC至63+ GHz。這些封裝可在較寬的頻率范圍內(nèi)提供超低損耗性能,具體取決于樣式和安裝配置。許多開放式工具設(shè)計(jì)都具有50歐姆阻抗,這為封裝高性能半導(dǎo)體提供了便利和輕松。
StratEdge全球銷售副總裁Casey Krawiec強(qiáng)調(diào)說:“我們采用具有激光切割功能的后燒制陶瓷來控制嚴(yán)格的公差、可散熱的熱增強(qiáng)型金屬底座以及可提供極低電損耗的電氣轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。為了進(jìn)一步優(yōu)化性能,StratEdge Assembly Services可以在配備最新精密引線鍵合和芯片連接系統(tǒng)的新潔凈室中封裝器件。”
審核編輯 黃宇
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半導(dǎo)體封裝
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