高溫試驗(yàn)是晶振在高溫條件下工作一段時(shí)間后，評(píng)定高溫對(duì)晶振的電氣和機(jī)械性能的影響;或者長時(shí)間高溫存儲(chǔ)(不帶電)后，評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 360B.108。

低溫試驗(yàn)是長時(shí)間低溫存儲(chǔ)(不帶電)后，評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，以及檢測封裝中足以對(duì)晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣，即通常的露點(diǎn)測試，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 548B.1013.1。

高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(High/Low Temperature Storage)暴漏的故障來源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學(xué)變化，例如：密封問題，材料熱脹冷縮問題，電性能產(chǎn)生的變化等。

試驗(yàn)說明

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)：

工作溫度: 125°C±5°C; 存儲(chǔ)時(shí)間: 1000H±12H,不帶電; 實(shí)驗(yàn)結(jié)束后24±2Hrs內(nèi)進(jìn)行電性能測試。高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)可以使用“電熱恒溫箱”來進(jìn)行試驗(yàn)，可參考標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-202 Method 108。?

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)

工作溫度: -55°C±5°C; 存儲(chǔ)時(shí)間: 1000H±12H,不帶電; 實(shí)驗(yàn)結(jié)束后24±4Hrs進(jìn)行電性能測試。低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)可以使用“低溫試驗(yàn)機(jī)”，可參考標(biāo)準(zhǔn)JIS-C7021B-12。

本試驗(yàn)對(duì)晶振的影響

高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)

晶體諧振器頻率降低3.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。

低溫存儲(chǔ)試驗(yàn)

晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max)，諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。

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審核編輯：湯梓紅