長飛先進半導體武漢基地開工建設
9月1日，長飛先進半導體武漢基地開工建設。
據(jù)湖北工業(yè)信息消息，長飛先進半導體項目位于光谷科學島，項目總投資有望超過200億元人民幣。該項目一期投資100億元，每年可生產(chǎn)36萬個sic mosfet晶片，包括外延、零部件設計、晶片制造、包裝等。第一期工程將于2025年竣工，屆時將成為國內最大的sic輸出半導體制造基地，生產(chǎn)能力規(guī)模將占據(jù)業(yè)界領先地位。
8月25日，武漢東湖高新區(qū)管理委員會與長飛先進半導體簽署第三代半導體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項目合作協(xié)議書。
安徽長飛先進半導體有限公司專注于碳化硅（sic）電力半導體產(chǎn)品的研發(fā)和制造，具備擴展增長、零部件設計、晶片制造、模塊測試等全工程的生產(chǎn)能力和技術研發(fā)能力。
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