8月11日?qǐng)?bào)導(dǎo)顯示，碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)，英飛凌（Infineon）宣布將在馬來(lái)西亞興建全球最大的8英寸SiC晶圓廠，為長(zhǎng)期合約訂單背書(shū)，此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8英寸晶圓的SiC龍頭意法互別苗頭的意味。

近年來(lái)，隨著8英寸SiC晶圓的成本競(jìng)爭(zhēng)力逐漸凸顯，多家SiC制造商相繼增加8英寸晶圓產(chǎn)能，英飛凌此舉有如向SiC領(lǐng)域投下一顆深水炸彈，英飛凌與意法互的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，其他集成電路制造商也紛紛踏入競(jìng)爭(zhēng)陣營(yíng)，這一局面可從幾個(gè)角度審視。

首先，雙方都將目光投向國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。年初，英飛凌與國(guó)內(nèi)SiC晶圓廠天岳、天科合達(dá)簽訂了備受關(guān)注的合同，共同為國(guó)內(nèi)SiC基板品質(zhì)保駕護(hù)航。外資機(jī)構(gòu)分析指出，英飛凌此前的基板供應(yīng)方還包括WolfSpeed、安森美（On-Semi）、日本羅姆（Rohm）等，不過(guò)國(guó)內(nèi)基板供應(yīng)已占據(jù)其需求的約20%，今后幾個(gè)季度有望大幅提升。

面對(duì)良率難以掌握的問(wèn)題，「擁SiC基板、擁天下」成顯學(xué)。英飛凌是極少數(shù)未自制SiC基板的IDM廠商之一，年初采取多樣化布局被視為新的SiC晶圓工廠即將登場(chǎng)的信號(hào)，這是朝著2023年在SiC市場(chǎng)占據(jù)30%市場(chǎng)份額的目標(biāo)邁進(jìn)。

市場(chǎng)曾觀望英飛凌是否會(huì)像一線汽車(chē)供應(yīng)商博世（Bosch）一樣加大對(duì)美國(guó)SiC投資，從而助力供應(yīng)鏈壯大？鑒于中美關(guān)系考慮，這使得國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈略感緊張，而如今英飛凌選擇在馬來(lái)西亞建廠，則使國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈稍感寬松。

此外，根據(jù)東盟貿(mào)易協(xié)定的免稅政策以及地理位置，該工廠有可能更多地支持國(guó)內(nèi)和亞洲市場(chǎng)，不過(guò)這也意味著英飛凌在國(guó)內(nèi)建廠的機(jī)會(huì)相對(duì)減少。與之形成對(duì)比的是，SiC的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手意法與三安合作，在重慶建8英寸SiC晶圓廠，三安還將為其量身打造8英寸基板新廠。

其次，雙方鎖定不同的客戶群。英飛凌的新工廠將依靠各客戶的預(yù)付款和長(zhǎng)期合同，其中包括來(lái)自汽車(chē)、再生能源、儲(chǔ)能、工業(yè)等領(lǐng)域的客戶。汽車(chē)領(lǐng)域的客戶有福特、上汽、奇瑞，還有SolarEdge等大型太陽(yáng)能逆變器制造商，以及國(guó)內(nèi)三家太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)制造商。另外，全球能源管理和自動(dòng)化巨頭施耐德電機(jī)也已預(yù)定了SiC功率產(chǎn)品。

最后，雙方在技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)加劇。英飛凌強(qiáng)調(diào)，其新建的8英寸工廠將采用行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC溝槽式技術(shù)，這有助于市場(chǎng)區(qū)隔，是該技術(shù)的代表工廠。另一方面，意法互主導(dǎo)平面型技術(shù)。

此外，業(yè)內(nèi)人士補(bǔ)充道，溝槽式技術(shù)結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，難以控制良率，但可以節(jié)約SiC基板用量；而平面型技術(shù)則相對(duì)簡(jiǎn)單穩(wěn)定，但需要更多的基板。這兩種技術(shù)目前仍在激烈競(jìng)爭(zhēng)中，很難說(shuō)哪一種更優(yōu)越。

然而，值得注意的是，最初的決戰(zhàn)點(diǎn)似乎出現(xiàn)在特斯拉Model 3率先采用了平面型技術(shù)，這使得意法互在SiC領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，也引領(lǐng)其他汽車(chē)制造商的跟進(jìn)。而此刻，英飛凌正加大溝槽式技術(shù)的產(chǎn)能，同時(shí)也在多個(gè)領(lǐng)域積極推進(jìn)，以侵蝕以汽車(chē)為主的平面型市場(chǎng)。實(shí)際上，許多廠商也在積極轉(zhuǎn)向溝槽式技術(shù)，比如安森美正在開(kāi)發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），計(jì)劃在2024年推出樣本。

審核編輯 黃宇