在射頻微波頻段，很多器件，都可以用二極管來實現。

比如說射頻開關；

比如說可調衰減器；

比如說限幅器；

比如說移相器；

比如說VCO；

比如說可調濾波器；

比如說檢波器；

比如說混頻器。

PIN二極管

PIN二極管主要有三部分組成：(1) 重摻雜的陽極(P層) (2) 重摻雜的陰極(N 層) (3)以及兩層之間的未摻雜的本征層(I層)。

正偏的情況下，在P極和N極形成的載流子，進入本征層，使得RF阻抗減小。

反偏的情況下，所有的載流子從I極離開，從而使得RF阻抗增高。

RF阻抗隨著直流或者低頻偏置發生變化的特性，使得二極管可以用在RF開關電路。

在這種應用中，PIN管要么是正偏，要么是反偏。

或者應用在RF衰減電路中。

在這種情況下，給PIN管提供一個連續變化的偏置，使得PIN二極管的RF電阻連續變化。

PIN二極管的一些應用如下：

接收機保護限幅二極管(Receiver Protection Limiter Diodes)

限幅二極管，也是PIN管的一種。但是其基極寬度，受到嚴格的控制。

PIN限幅二極管，其電阻受輸入功率控制。

在限幅電路中，當輸入信號很小時，限幅二極管的阻抗最大，此時限幅器的損耗最小。

當輸入信號增大時，限幅二極管的阻抗開始變小，此時產生阻抗失配，限幅電路將大多數輸入信號反射回其輸入源，從而達到限幅的作用。

二極管阻抗開始降低時對應的輸入功率電平，主要由二極管的本征層決定。

本征層越薄，開啟門限越低。

限幅二極管的一些應用如下：

變容管

變容二極管是PN結二極管。在二極管結處形成的耗盡區，近似于理想的絕緣體，它將高摻雜的陽極層和陰極層分開，從而形成平板電容器。

變容管是工作在反偏狀態，反偏電壓的大小，能夠控制耗盡區的厚度，從而使得結電容發生變化。

陰極層的摻雜分布，可以通過設計，使得變容管具有不同的電容與反向偏置電壓的變化關系。

比如，突變結二極管(abrupt junction)，在其整個厚度上，具有均勻的摻雜濃度，電容相對于偏置電壓的變化較大。

再比如，超突變結二極管，其陰極摻雜濃度，在幾微米的深度上，會改變幾個數量級。這種非均勻分布的設計，使得電容相對于偏置電壓的變化更大。

變容管的一些應用如下：

肖特基二極管(Schottky Diode)

肖特基結，是通過在n型摻雜硅或p型摻雜硅上沉積特定金屬而形成的。二極管的特性由沉積在半導體材料上的金屬類型以及半導體層中摻雜劑類型等參數決定的。

肖特基二極管的應用如下：

審核編輯：湯梓紅