隨著功率MOSFET和IGBT的出現，雙極型晶體管的發展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSFET、IGBT導通壓降隨之大幅上升。而雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件由于其具有電導調制

效應，可改善大電流情況下的導通壓降，因此，在高壓、低頻應用領域有著廣泛的需求。在結構方面，MCT多晶硅柵電極下具有雙溝道，分別為開通溝道和關斷溝道。MCT將晶閘管的大電流容量、高阻斷電壓、低飽和壓降特點和MOS場控器件的柵極控制能力結合在一起，降低了低頻應用中晶閘管驅動功率和驅動電路的復雜性。

由于MCT芯片結構較復雜、制備難度較大、工作條件較嚴苛，因此為了改善MCT的電學特性，需要在深刻理解器件導通機理的基礎上，對器件結構參數和工藝條件進行精細的設計和優化。

圖1為MCT半單胞結構。表1為MCT電參數指標。設計得到的MCT結構參數和工藝參數為：溝道寬度為4×106μm；單胞半寬度為15μm，窗口區半寬度為5μm，多晶硅區半寬度為10μm；P+襯底厚度和摻雜濃度分別為150μm和1×1019cm-3，襯底晶向為<100>；N-外延層厚度和摻雜濃度分別為160μm和7×1013cm-3（外延層電阻率為63Ω.cm）柵氧化層厚度為60nm，注入過程中犧牲氧化層厚度為20nm；P-體區注入劑量和能量分別為3.5×1014cm-2和60KeV，P-體區退火時間和溫度分別為70min和1150℃；N+體區窗口區寬度為0.5μm，N+體區磷注入劑量和能量分別為8×1014cm-2和60KeV；N-體區磷注入劑量和能量分別為5×1014cm-2和60KeV， N-體區退火時間和溫度分別為130min和1150℃；P+陰極區窗口寬度為2μm，P+陰極區硼注入劑量和能量分別為2×1015cm-2和50KeV， P+陰極區退火時間和溫度分別為1min和1000℃；開通溝道長度和關斷溝道長度分別為2.7μm和0.8μm；側墻氧化層厚度為0.5μm；硅材料原始少子壽命為10μs；P+陽極區與N-外延層之間采用N+緩沖層結構。縱向結構采用傳統的晶閘管工藝實現，橫向采用DMOS硅柵工藝，終端采用終端結擴展結構。

工藝流程為：擴散P+區→光刻（一次光刻）擴散P-體區→光刻（二次光刻）擴散N+區→生長柵氧化層→生長多晶硅→光刻（三次光刻）擴散N-阱→自對準擴散P+→生長SiO2和Si3N4→光刻（四次光刻）引線孔→蒸鋁→反刻（五次光刻）→鈍化→鈍化光刻（六次光刻）。