全棧式信號(hào)鏈芯片供應(yīng)商列拓科技Leto宣布,最新推出高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6。 LTM32F103ZET6芯片使用ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核,最高工作頻率 96MHz;LTM32F103ZET6芯片內(nèi)置512KB的FLASH、64KB的SRAM等大容量高速存儲(chǔ)器;并且可以通過(guò)FSMC模塊掛載最多1GB容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card外部存儲(chǔ)器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式,使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求,其內(nèi)部框架圖如下:
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LTM32F103ZET6芯片主要特性:
ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核
512KB閃存、64KB SRAM高速存儲(chǔ)器
高達(dá)96MHz工作頻率
2.0V~3.6V工作電壓范圍
-40℃~85℃工作溫度范圍
多達(dá)11個(gè)16位定時(shí)器
多達(dá)13個(gè)I2C/UART/SPI/SDIO通信接口
支持睡眠、停機(jī)、待機(jī)三種低功耗模式
封裝尺寸:LQFP144(20x20mm)
應(yīng)用場(chǎng)景: LTM32F103ZET6可以廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊、數(shù)據(jù)通信設(shè)施、應(yīng)用控制設(shè)備、醫(yī)療與手持設(shè)備。 應(yīng)用產(chǎn)品(例):
LTM32F103ZET6預(yù)計(jì)7月份量產(chǎn),目前已經(jīng)送樣中。列拓科技高性能、高閃存、低功耗微控制器系列產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)放樣片申請(qǐng),免費(fèi)申請(qǐng)樣片請(qǐng)發(fā)郵件至[email protected]。您可以訪問(wèn)列拓科技官方網(wǎng)站http://www.leto-ic.com選擇適用的型號(hào)。
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原文標(biāo)題:列拓科技推出極高性能、高閃存、低功耗微控制器芯片LTM32F103ZET6
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