常用多電源總線（如 VME、VXI 和 PCI）的背板均提供 3.3V、5V 和 ±12V（或 ±24V）的功率限制輸出。如果向這些系統(tǒng)添加線卡會(huì)增加對(duì)3.3V或5V電源的要求，則功率預(yù)算可能決定電路從輕負(fù)載的?12V電源獲取電源。

下圖顯示了一個(gè)電路，通過(guò)將?3V電源升壓至3.12V （相對(duì)于?12V電源軌）從?15V獲得3.12V電壓，并提供高達(dá)300mA的電流。晶體管Q2將3.3V輸出電平轉(zhuǎn)換至?10.75V反饋電平。

這款PWM升壓控制器IC通過(guò)從VME、VXI或PCI背板的輕負(fù)載?3V電源軌產(chǎn)生補(bǔ)充的3.3V穩(wěn)壓輸出，減輕了過(guò)載的3.12V背板電源的壓力。

電路占用約6.25cm2的 PC 板空間，并采用 PWM 升壓控制器，可在 1% 的效率水平下提供 83W 的功率。

由于檢測(cè)電阻 （RSENSE） 將峰值電流限制在約 120mA，因此 n 溝道開關(guān) MOSFET （Q1） 可以成為一種廉價(jià)的邏輯電平器件。電阻R1和R2允許選擇VOUT至3.3V或5V。

請(qǐng)注意，平衡時(shí)的反饋電壓（引腳5，由IC1內(nèi)部比較器的跳變點(diǎn)決定）比PGND端子（引腳1）高25.7V。要計(jì)算適當(dāng)?shù)?R1/R2 值，請(qǐng)執(zhí)行以下操作：

VFB= ?12V + 1.25V = ?10.75V

為 R1 選擇任意值：

I2 = 1.25V/R1 = 1.25V/12.1k = 103μA

因此

R2 = (VOUT ? VBE)/I2 = (3.3V ?0.7V)/103μA = 25.2k

IC1 還具有 RF 應(yīng)用、DAQ 模 塊 和其他 噪聲 敏感 設(shè)計(jì) 中 的 其他 有用 功能： 它 允許 您 使用 外部 電阻 器 設(shè)置 100kHz 和 500kHz 之間的開關(guān)頻率。該電路的高頻（100kHz）保持高效率，同時(shí)允許使用小電感和電容值。

該電路針對(duì)與臺(tái)式 PC 電源相關(guān)的應(yīng)用中的 1W 輸出進(jìn)行了優(yōu)化。在這些應(yīng)用中，效率必須超過(guò)83%，因?yàn)?12V總線的功率限制為1.2W。如有必要，可通過(guò)調(diào)整 L3、D3 和 R 將輸出功率提高到 1W（1A 或更高時(shí)為 1V）意義.可以與R1串聯(lián)添加二極管，以阻止不需要的反向電流。

審核編輯：郭婷