任何一顆合格的存儲芯片，都是由晶圓(Wafer)經過一系列的測試，將符合規(guī)格要求的Die取下，封裝形成日常所見的芯片。MK米客方德的存儲產品也是如此，在批量生產前，都會做大量的測試和驗證以確保芯片的性能和可靠性。

以下是MK米客方德對產品進行可靠性相關的測試項目。

Pre-Conditioning(PC)：預處理

芯片先在125℃的高溫箱中烘烤24小時，下一步在溫度為60℃、濕度為60%RH的溫濕箱中吸收一定水分，下一步進入回流焊測試。查看芯片是否有脫層、爆米花效應等；此實驗用于模擬芯片在生產、運輸、上板使用等過程。

加速測試

大多數半導體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應力。施加的應力可增強或加快潛在的故障機制，幫助找出根本原因，并幫助MK采取措施防止故障模式。

在半導體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數情況下，加速測試不改變故障的物理特性，但會改變觀察時間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額”。

高加速測試是基于 JEDEC 的資質認證測試的關鍵部分。以下測試反映了基于JEDEC規(guī)范JEP47的高加速條件。如果產品通過這些測試，則表示器件能用于大多數使用情況。

溫度循環(huán)測試

根據 JED22-A104 標準，溫度循環(huán) (TC) 讓部件經受極端高溫和低溫之間的轉換。進行該測試時，將部件反復暴露于這些條件下經過預定的循環(huán)次數。以評估芯片封裝對于極端高低溫快速轉換的耐受度。

高溫老化壽命測試(HTOL)

HTOL 用于確定高溫工作條件下的器件可靠性。該測試通常根據 JESD22-A108 標準長時間進行。

溫濕度偏壓高加速應力測試(BHAST)

根據 JESD22-A110 標準，THB 和 BHAST 讓器件經受高溫高濕條件，同時處于偏壓之下，其目標是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但BHAST 條件和測試過程讓可靠性團隊的測試速度比 THB 快得多。快速地將器件內部缺陷或薄弱環(huán)節(jié)激發(fā)出來，從而剔除有缺陷的器件，提高器件使用可靠性。

熱壓器/無偏壓HAST

熱壓器和無偏壓 HAST 用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性。與 THB 和 BHAST 一樣，它用于加速腐蝕。不過，與這些測試不同，不會對部件施加偏壓。

高溫貯存

HTS（也稱為“烘烤”或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測試期間不處于運行條件下。

靜電放電(ESD)

靜電荷是靜置時的非平衡電荷。通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產生；一個表面獲得電子，而另一個表面失去電子。其結果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

當靜電荷從一個表面移到另一個表面時，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個表面之間移動。當靜電荷移動時，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結。JEDEC 通過以下兩種方式測試 ESD。

1.人體放電模型(HBM)

一種組件級應力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。人體接觸器件時產生的放電。基本上一般消費級產品達到2000V即可。

2.帶電器件模型(CDM) 一種組件級應力，根據 JEDEC JESD22-C101 規(guī)范，模擬生產設備和過程中的充電和放電事件。在元器件裝配、傳遞、試驗、測試、運輸和儲存的過程中由于殼體與其它材料摩擦，殼體會帶靜電。一旦元器件引出腿接地時，殼體將通過芯體和引出腿對地放電。

FT測試(RDT可靠性驗證測試) MK嵌入式產品在特定環(huán)境下通過Burn In板進行離線老化。

容量	SD NAND型號表
	商業(yè)級	工業(yè)級
512M	MKDV512MCL-ABA	/
1Gbit	MKDV1GCL-AB	MKDV1GIL-AS
2Gbit	MKDV2GCL-AB	MKDV2GIL-AS
4Gbit	MKDV4GCL-AB	MKDV4GIL-AS
8Gbit	/	MKDV8GIL-AS
16Gbit	MKDN016GCL-AA	/
32Gbit	MKDN032GCL-AA	MKDN032GIL-AA
64Gbit	MKDN064GCL-AA	MKDN064GIL-ZA
128Gbit	MKDN128GCL-ZA	/
256Gbit	MKDN256GCL-ZA	/
512Gbit	MKDN512GCL-ZA	/