賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執行數據寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數據，在A0到A17引腳上提供地址。字節高使能（BHE）和字節低使能（BLE）將控制寫入操作輸入到指定存儲器位置的上字節和下字節。BHE控制I/O8至I/O15，BLE控制I/O0至I/O7。

通過斷言芯片使能（CE）和輸出使能（OE）輸入LOW并在地址線上提供所需地址來執行數據讀取。讀取數據可在I/O線上訪問（I/O0到I/O15）。字節訪問可以通過斷言所需的字節使能信號（BHE或BLE）來執行，以從指定的地址位置讀取數據的上字節或下字節。詳情及實現國產替換聯系英尚微。

特征
?高速
?tAA=10納秒/15納秒
?低有功和備用電流
?有效電流：ICC=38mA（典型值）
?備用電流：ISB2=6-mA（典型值）
?工作電壓范圍：1.65V至2.2V、2.2V至3.6V和4.5V至5.5V
?1.0-V數據保留
?TTL兼容輸入和輸出
?無鉛44引腳SOJ、44引腳TSOPII和48球VFBGA封裝

審核編輯黃宇