外接電容越大晶振起振越慢嗎？
外接電容越大？晶振起振越慢?
首先說明的是:但凡需要外接電容的晶振均為無源晶振。另外，注意區分外接電容C1和C2（接地電容，對地電容）并不等同于晶振負載電容（CL）。C1和C2是電路板和包括IC和晶振在內的組件的總電容值。
一般情況下，增大無源晶振的外接電容將會使晶振振蕩頻率下降，即偏負向。舉例，若無源晶振12MHz的外接電容為18PF，實際輸出頻率為12.002876MHz。更改外接電容為27PF之后，該晶振的實際輸出頻率會有所降低，如：11.9998923 MHz。
晶振的外接電容越大，晶振的振蕩越穩定，但是會增加起振時間，即晶振起振慢，其原理是外接電容會存儲更多電荷，即降低電流強度，從而降低電路提供給晶振起振的激勵功率。
當無源晶振的輸出波形出現削峰、畸變時，這一般是由于電流過驅動（over drive）導致，可以嘗試通過串聯一顆電阻解決，電阻值一般在幾十kΩ~幾百kΩ。如果要穩定波形，則可嘗試并聯一顆1M反饋電阻。
審核編輯：劉清
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
無源晶振
+關注
關注
1文章
856瀏覽量
16843 -
負載電容
+關注
關注
0文章
145瀏覽量
10800 -
反饋電阻器
+關注
關注
1文章
46瀏覽量
5463
原文標題：外接電容大小與晶振起振快慢關系
文章出處：【微信號：晶科鑫，微信公眾號：晶科鑫】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
晶振的外接電容值選擇不當，會對電路產生什么影響？
如果晶振的外接電容值選擇不當，可能會對電路產生以下影響 ：
1.頻率穩定性： 電容值過小可能導致頻率穩定性下降，容易受到外界因素的干擾。電容
發表于 03-04 11:33
如何正確計算并使用晶振的外接負載電容
的估算值為3pF到5pF。3. 計算實際外接電容：從CL值中減去雜散電容Cs。將結果乘以2，因為晶振通常需要兩個外接電容，它們是并聯的。示例
發表于 08-09 15:40
設計MCU時晶振不工作怎么辦？MCU如何選型？怎樣外接電容？
在設計MCU，會遇到晶振不工作，這個文檔的內容解釋MCU如何選型，以及怎樣外接電容。使晶振更好的工作，希望這個文檔內容可以幫助大家解決現有難
發表于 07-10 08:00
?10次下載
如何區分晶振的負載電容與外接電容
經常遇到有人把晶振的負載電容與外接電容混淆，甚至還有人誤以為這是指同樣的參數。這里需要特別指出的是：若你這樣想，就大錯特錯了。
簡要介紹晶振的負載電容與外接電容的區別與關系
經常遇到有人把晶振的負載電容與外接電容混淆，甚至還有人誤以為這是指同樣的參數。這里需要特別指出的是：若你這樣想，就大錯特錯了。
工商網監
評論