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      BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E，30V150A 33mΩ

      海棠呀 ? 2023-03-17 16:56 ? 次閱讀

      BSB017N03LX3 G替代型號(hào)PC003NG-E，30V150A 33mΩ
      型號(hào)：PC003NG-E
      電壓電流：30V150A
      內(nèi)阻：33mΩ
      封裝：TO-220

      poYBAGQUKvyAGXIPAACju2qX5Ks221.png

      Description：
      This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.
      Features：
      1) VDS=30V,ID=150A,RDS(ON)<3mΩ @VGS=10V
      2) Low gate charge.
      3) Green device available.
      4) Advanced high cell denity trench technology for ultra low RDS(ON).
      5) Excellent package for good heat dissipation.

      pYYBAGQUKwmAS75AAAFrOKv-vLc249.png
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        發(fā)表于 03-19 18:33
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        發(fā)表于 03-18 18:32
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