成都銳成芯微科技股份有限公司（簡稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺的LogicFlash Pro eFlash IP產品，其特點是在BCD工藝節點上僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。

BCD+eFlash工藝平臺需求日益強烈

嵌入式存儲IP被廣泛應用于需要存儲代碼程序、關鍵數據或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，電源/電池管理芯片和顯示驅動器芯片等。近年來，隨著大數據、物聯網、汽車電子等應用領域的蓬勃發展，對芯片中存儲IP的可靠性、穩定性、安全性、存儲容量、操作性能都提出了更高要求。

模擬芯片大多采用BCD工藝平臺來實現，比如電源管理芯片、電機驅動芯片、照明驅動芯片、快充/無線充芯片、BMS電池管理系統中的模擬前端芯片等。BCD（Bipolar-CMOS-DEMOS）工藝通過集成高驅動能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高壓高頻的 DEMOS 器件，實現了單片晶圓生產功率、模擬和數字信號電路。

近些年隨著終端產品的智能化和小型化，模擬芯片如能和控制芯片集成在一顆芯片中，將大幅提高系統性能并節省BOM成本。比如電機驅動芯片中可以同時集成前置驅動、運放、線性穩壓器和MCU控制芯片，做到四合一；再比如無線充電芯片中可以同時集成無線充/快充協議芯片，電源管理芯片，收發芯片和MCU控制芯片等。傳統的MCU控制芯片一般采用eFlash工藝，需要利用平臺上的非揮發存儲器來存儲或運行程序代碼。因此，隨著模擬芯片的集成度、智能化越來越高， BCD+eFlash的工藝平臺需求也日益強烈。

銳成芯微推出eFlash IP

在BCD工藝基礎上只增加三層光罩

從工藝集成的角度來看，將BCD工藝中的DEMOS高壓器件和eFlash做到一起并非易事。高壓DEMOS器件關注的是如何減小器件的開態電阻，如何提高擊穿電壓；而eFlash關注的是數據保持能力，存儲器讀/寫速度，存儲單元的面積，額外光罩層次。在工藝開發時，經常遇到一個難點，這兩種器件都需要增加光罩，修改工藝，這會同時影響到高壓和存儲器件，怎樣進行權衡？

銳成芯微經過長期的技術研發，提出了創新性的eFlash器件結構，并開發了LogicFlash Pro完整的eFlash解決方案。得益于該技術獨特的實現方式，大大簡化了業界流行的eFlash技術的光罩層數和工藝步驟，并且在BCD工藝上只需增加三層光罩便可實現eFlash，不僅維持了原有高壓器件的高性能，也增加了具有高可靠性的eFlash，能幫助芯片企業將模擬芯片和控制芯片合二為一，有效控制整體的系統成本。

銳成芯微基于BCD工藝的eFlash IP已展現優異的測試性能和結果，包括125℃高溫操作壽命大于1000小時，125℃的高溫數據保持能力超過10年，擦除寫入次數大于10萬次。該IP方案已被知名汽車芯片廠商采用。

銳成芯微的嵌入式存儲IP，經過十多年的技術積累和迭代，已發展了包括MTP，OTP，eFlash等眾多產品線，不僅在BCD工藝平臺，也適用于更多邏輯工藝平臺。銳成芯微持續通過差異化路線，幫助芯片廠商加速產品上市時間，迅速占領市場，得益于其在性能、良率、可靠性以及出貨量方面表現突出，已廣泛應用于消費類、通信類，以及工控和汽車電子等領域。

審核編輯：湯梓紅