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      輸入電容對低頻特性的影響

      CHANBAEK ? 來源：頭條號小川Engineer ? 作者：頭條號小川Engine ? 2023-02-25 10:26 ? 次閱讀
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      小川今天給大家介紹的是輸入電容對低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。

      仿真之前我們先看看影響放大器低頻特性的主要電容是：

      1、輸入耦合電容Ci和輸入阻抗Ri： fT=1/2πRiCi

      poYBAGP5cYaAC9XmAAAJ5alqMuM222.png

      2、輸出耦合電容Co和負載阻抗RL： ft=1/2πRLCo

      pYYBAGP5cY6AWr-YAAAK3q4d5vg823.png

      poYBAGP5cZyAA9BKAAGMsba1nkk391.png

      仿真前

      poYBAGP5caeAUVQ_AAGNW2adnRs426.png

      仿真中

      poYBAGP5cbiAR8QiAAEXrpmtdUo385.png

      波特圖

      影響放大電路低頻特性的因素很多，比如受耦合電容 、及射極旁路電容的影響。本例測量輸入電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變，僅輸入電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標，按下述要求調(diào)節(jié)：Mode區(qū)，選擇Magnitude;Horizontal區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為100MHz，I值為1Hz;Vertical區(qū)，選擇Log，F(xiàn)值為40dB，I值為-20dB。打開電源開關(guān)，就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動讀數(shù)指針在曲線中間部位，測量出中頻時的增益，再分別求出高、低端的-3db頻率點，測得 f(L)=48Hz。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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