小川今天給大家介紹的是輸入電容對低頻特性的影響的Multisim仿真及分析。希望大家能夠多多支持。
仿真之前我們先看看影響放大器低頻特性的主要電容是:
1、輸入耦合電容Ci和輸入阻抗Ri: fT=1/2πRiCi
2、輸出耦合電容Co和負載阻抗RL: ft=1/2πRLCo
仿真前
仿真中
波特圖
影響放大電路低頻特性的因素很多,比如受耦合電容 、及射極旁路電容的影響。本例測量輸入電容的影響。保持其他元件參數(shù)不變,僅輸入電容由10μF減為1μF。波特圖儀可以測量放大電路的頻率響應(yīng)分幅頻特性和相頻特性。雙擊波特圖儀圖標,按下述要求調(diào)節(jié):Mode區(qū),選擇Magnitude;Horizontal區(qū),選擇Log,F(xiàn)值為100MHz,I值為1Hz;Vertical區(qū),選擇Log,F(xiàn)值為40dB,I值為-20dB。打開電源開關(guān),就觀察到完整的幅頻特性曲線。拖動讀數(shù)指針在曲線中間部位,測量出中頻時的增益,再分別求出高、低端的-3db頻率點,測得 f(L)=48Hz。
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放大器
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