本應(yīng)用筆記介紹如何正確測(cè)試包含DS2786開路電壓電池監(jiān)測(cè)器的電路板。提供了分步測(cè)試程序，可以遵循該程序以確保電路板已正確組裝.此外，本筆記還指導(dǎo)讀者在DS2786組裝到電路板上后如何正確編程EEPROM。

介紹

基于開路電壓（OCV）的DS2786電量計(jì)出廠時(shí)，默認(rèn)的OCV曲線和默認(rèn)配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計(jì)的精度并使DS2786適應(yīng)特定應(yīng)用，可能需要對(duì)DS2786的EEPROM進(jìn)行重新編程。本應(yīng)用筆記介紹如何對(duì)EEPROM進(jìn)行編程和測(cè)試組裝好的電路板。

執(zhí)行板級(jí)測(cè)試

以下是在最終組裝到電池組之前如何對(duì)基于DS2786的OCV板進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試的示例。圖1所示為利用DS2786所有功能的電路板原理圖示例。所有關(guān)鍵測(cè)試點(diǎn)（有7個(gè)）在圖中用圓圈數(shù)字表示。測(cè)試流程假設(shè)電路的所有分立元件都已經(jīng)過測(cè)試，因此，目標(biāo)是通過驗(yàn)證連接來驗(yàn)證電路板是否已正確組裝。

圖1.必須驗(yàn)證的電路板節(jié)點(diǎn)。

測(cè)試 1：測(cè)試初始化。該測(cè)試的目的是確定電路板上是否有任何直接短路并驗(yàn)證通信。在此步驟中成功與設(shè)備通信以讀取電壓寄存器可驗(yàn)證SDA和SCL連接（節(jié)點(diǎn)1）以及Pack+到VDD引腳（節(jié)點(diǎn) 2）和 V 形封裝黨衛(wèi)軍引腳（節(jié)點(diǎn) 3）連接。此外，通過讀取此步驟中的電壓寄存器并確認(rèn)它是有效的測(cè)量值，連接到 V在可以驗(yàn)證引腳（節(jié)點(diǎn) 4）。

測(cè)試 2：驗(yàn)證 SNS（節(jié)點(diǎn) 5）。與SNS引腳的連接可以通過有效的電流測(cè)量進(jìn)行驗(yàn)證。

測(cè)試 3：驗(yàn)證輔助輸入 AIN0 和 AIN1（節(jié)點(diǎn) 6）。與 AIN0 和 AIN1 引腳的正確連接可以通過有效的電阻測(cè)量進(jìn)行驗(yàn)證。此測(cè)試是可選的。

測(cè)試 4：驗(yàn)證 VPROG 并對(duì) EEPROM（節(jié)點(diǎn) 8）進(jìn)行編程。為了對(duì)DS2786的EEPROM進(jìn)行編程，需要一個(gè)測(cè)試點(diǎn)將編程電壓連接到VPROG引腳。通過編寫和復(fù)制 EEPROM 并驗(yàn)證 EEPROM 是否已更新來驗(yàn)證此連接。電流偏移偏置寄存器（COBR）包含在EEPROM中，因此在對(duì)EEPROM進(jìn)行編程之前校準(zhǔn)COBR可能是有益的。

*請(qǐng)勿將 0xFFh 寫入內(nèi)存地址 7Dh，否則從地址將更改，設(shè)備將停止響應(yīng)當(dāng)前從地址。

校準(zhǔn)電流偏移偏置寄存器

電流失調(diào)偏置寄存器允許DS2786的電流測(cè)量值以25μV步長(zhǎng)調(diào)整至+3.175mV至-3.2mV之間的任意值。COBR 的出廠默認(rèn)值為 0x00h。下面列出了校準(zhǔn)電路中DS2786電流失調(diào)的步驟：

為DS2786供電，確保檢測(cè)電阻上沒有電流流過。

將 0x00h 寫入 COBR（內(nèi)存地址 0x60h）。

等待 880 毫秒進(jìn)行下一個(gè)轉(zhuǎn)換周期。

讀取當(dāng)前寄存器。

盡可能多次重復(fù)步驟3和4以獲得平均電流讀數(shù)。

將平均電流讀數(shù)的相反值寫入COBR。

將值復(fù)制到 EEPROM（此步驟應(yīng)與將所有值復(fù)制到 EEPROM 結(jié)合使用）。

總結(jié)

正確驗(yàn)證組裝好的基于OCV的DS2786電量計(jì)需要測(cè)試電路中的每個(gè)焊接點(diǎn)。測(cè)試 1、2 和 3 可以合并為一個(gè)步驟，以減少測(cè)試時(shí)間，尤其是轉(zhuǎn)換時(shí)間的延遲。

此外，在測(cè)試期間對(duì)EEPROM進(jìn)行編程可以提供更有效的測(cè)試流程，并提供方便的時(shí)間施加將參數(shù)保存到EEPROM所需的編程電壓，包括電流偏移偏置。

審核編輯：郭婷