功率密度在汽車(chē)系統(tǒng)中舉足輕重。無(wú)論是傳統(tǒng)的電子轉(zhuǎn)向和制動(dòng)系統(tǒng),還是新型48V/12V混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車(chē)(EV)系統(tǒng),都是如此。Nexperia的最新LFPAK88銅夾封裝將小尺寸、低導(dǎo)通電阻、高ID的優(yōu)點(diǎn)集于一身,實(shí)現(xiàn)了1 W/mm3以上的功率密度。
作為各個(gè)市場(chǎng)大量應(yīng)用的主要?jiǎng)右颍β拭芏仍谄?chē)系統(tǒng)中舉足輕重。例如,在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向中,我們正在向雙重冗余遷移,旨在提高系統(tǒng)安全性,這使電子元件數(shù)量增加一倍,但需要占用的空間不會(huì)同等增加。
隨著更多48伏特輕度混合動(dòng)力汽車(chē)投入生產(chǎn),我們也看到更多汽車(chē)應(yīng)用的引入,例如皮帶傳動(dòng)起動(dòng)發(fā)電機(jī)(BSG)和12/48V DC/DC轉(zhuǎn)換器,幫助降低二氧化碳排放量。這些模塊同樣受到當(dāng)前的空間限制,因而我們需要高功率密度的解決方案
在所有這些情況下,LFPAK88都能真正提供幫助。它將小尺寸、低導(dǎo)通電阻、高ID的優(yōu)點(diǎn)集于一身,并且可以達(dá)到1 W/mm3以上的功率密度 – 在每立方毫米的體積內(nèi)提供很高的功率!首先,我們通過(guò)直觀的比較,展示該封裝相對(duì)于其他封裝的改進(jìn)。下表顯示了使用相同汽車(chē)級(jí)40 V超結(jié)技術(shù)平臺(tái)的多款產(chǎn)品,用以展示封裝而非芯片帶來(lái)的變化。對(duì)于LFPAK88,這些包括先前最低的0.7 mΩ導(dǎo)通電阻器件和新發(fā)布的0.55 mΩ器件。
器件編號(hào) | 封裝 | ID最大值(A) | 導(dǎo)通電阻(m?) | 功率密度(W/mm3) |
BUK7S0R7-40H | LFPAK88 | 425 | 0.7 | 1.16 |
BUK761R2-40H | D2PAK | 120 | 1.2 | 0.02 |
正如上表中所示,我們不僅能夠進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻,還能夠顯著增加漏極電流最大值。考慮到節(jié)省空間方面,與3引腳的D2PAK相比,Nexperia的LFPAK88現(xiàn)在將汽車(chē)BUK7S0R5-40H和工業(yè)PSMNR55-SSH的功率密度提高了53倍(對(duì)比先前的48倍)。值得注意的是,由于LFPAK88具備明顯的優(yōu)勢(shì),D2PAK BUK761R2-40H經(jīng)開(kāi)發(fā)后并未發(fā)布。
這種高功率密度是如何實(shí)現(xiàn)的?總體而言,它是通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)和改進(jìn)的芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。就LFPAK88封裝本身而言,有三個(gè)因素與提高功率密度相關(guān):
更高的電流能力可以增加功率
更小的封裝外形可以提高密度
更高的效率可以減少散熱問(wèn)題。
下面我們簡(jiǎn)單地依次討論這三大因素。
夾片與線纜 – 優(yōu)于當(dāng)前的連接
在D2PAK及其不同版本中,芯片與封裝引出端之間采用線纜連接,這就限制了它能夠處理的電流量。LFPAK使用的銅夾片技術(shù)在芯片和引出端之間提供更大面積的接觸,從而能夠處理更大的電流,提高輸出功率。
縮小外形體積
在選擇LFPAK88封裝外形時(shí),我們?cè)诜庋b電流、散熱能力、占位面積三者之間達(dá)到了最佳折衷,使其適合更高功率的應(yīng)用。外形體積為8.0 x 8.0 x 1.6 mm,在長(zhǎng)度、寬度和高度方面均小于前一代的D2PAK和D2PAK-7,與D2PAK相比,占位面積減小了60%,整體占用空間減少了86%。
高效易散熱
在更小的面積內(nèi)操作更高的電流,效率至關(guān)重要,效率提高便無(wú)需處理多余的熱量。高效率意味著有更多功率被用于執(zhí)行任務(wù)。LFPAK通過(guò)減小導(dǎo)通電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率,因?yàn)殂~夾不會(huì)增加電阻,這一點(diǎn)與內(nèi)部焊線有所差異。沒(méi)有焊線連接到源極,再加上外部源極引腳很小,這也會(huì)減小寄生源極電感。在今后的博客中,我將更詳細(xì)地討論寄生源極電感和熱效率。
芯片支持
更新的芯片技術(shù)還有助于提高功率密度。Nexperia采用了汽車(chē)級(jí)超結(jié)技術(shù),單元間距更窄,因而減小了封裝導(dǎo)通電阻。這樣可以達(dá)到更高的效率,提高IDmax性能。
審核編輯:郭婷
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先進(jìn)的LFPAK MOSFET技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF

LFPAK88中的N溝道 40V,1.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R2-40H

LFPAK88中的N溝道 40V,1.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R0-40H

LFPAK88是提高效率的捷徑

N 溝道 55V,1.03mOhm、330A 邏輯電平 LFPAK88中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMN1R2-55SLH

LFPAK88中的N溝道 40V,2mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R0-40H

LFPAK88中的N溝道 40V,2.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R5-40H

LFPAK88中的N溝道 40V,0.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R5-40H

LFPAK88中的N溝道 40V,1.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R5-40H

采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88中的N溝道 40V,0.7 mΩ、425 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR70-40SSH

LFPAK88中的N溝道 40V,0.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R9-40H

PSMN1R3-80SSF:N溝道MOSFET LFPAK88包目標(biāo)數(shù)據(jù)表

N溝道80 V,1.2 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)級(jí)MOSFET LFPAK88數(shù)據(jù)手冊(cè)

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