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一種用于高效PEMFCs的緊密填充的混合Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C電催化劑

清新電源 ? 來(lái)源: 清新電源 ? 2022-12-26 10:28 ? 次閱讀

研究背景

氮摻雜碳(M–N–C)上負(fù)載單原子金屬位點(diǎn)已成為質(zhì)子交換膜燃料電池(PEMFC)中備受追捧的氧還原反應(yīng)(ORR)催化劑。然而,對(duì)于4e-ORR還原過(guò)程,孤立的金屬位點(diǎn)難以吸附被還原的中間產(chǎn)物,導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)一步還原成H2O。而納米晶(NC)催化劑具有連續(xù)的d軌道,可以捕獲多電子過(guò)程中產(chǎn)生的還原產(chǎn)物。

為了利用4e-ORR中的M–N–C來(lái)減少Pt的使用,可以替換還原過(guò)程的1-2e-。此時(shí)還需要另一個(gè)位點(diǎn)通過(guò)中繼催化完成其他電子的轉(zhuǎn)移。在中繼催化過(guò)程中,M–N–C上產(chǎn)生的中間產(chǎn)物需要快速遷移到相鄰位點(diǎn),例如NC/簇,同時(shí)避免直接解吸而不參與后續(xù)反應(yīng),這需要兩個(gè)活性位點(diǎn)的有效偶聯(lián),以縮短中間體在ORR過(guò)程中的擴(kuò)散距離。

相鄰M-N-C和NC/簇的復(fù)雜位點(diǎn)可以確保4e-過(guò)程中連續(xù)遷移的中間體的有效還原,并有助于進(jìn)一步減少動(dòng)力學(xué)過(guò)程中傳質(zhì)和濃差極化的影響。因此,通過(guò)中繼催化充分利用M–N–C是減少Pt用量和催化劑成本的有前途的方法。

成果簡(jiǎn)介

鑒于此,中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)吳宇恩教授和周煌博士(共同通訊作者)等人開發(fā)了一種氣體促進(jìn)脫合金工藝來(lái)合成用于高效PEMFC的Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C催化劑。對(duì)于多電子的氧還原反應(yīng)(ORR),該催化劑保證了Ni單位點(diǎn)上兩個(gè)電子的還原,相應(yīng)的中間體(OOH*)迅速遷移到鄰近的Pt基NC上完成后續(xù)的電子轉(zhuǎn)移。這種高效的接力催化過(guò)程可以大大降低Pt的使用量。

研究亮點(diǎn)

1、Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C中含有鉑基合金納米晶體(NCs)和致密的孤立Ni位點(diǎn),兩種類型的位點(diǎn)之間可以實(shí)現(xiàn)有效的電子轉(zhuǎn)移接力,以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的ORR性能;

2、理論結(jié)果表明,雜化Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C可以保證關(guān)鍵反應(yīng)中間體OOH*從Ni位點(diǎn)持續(xù)遷移到相鄰Pt基NC上,形成中繼反應(yīng),提高催化性能。

圖文介紹

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圖1 Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C制備示意圖和結(jié)構(gòu)特征。(a) Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的制備示意圖。Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的結(jié)構(gòu)特征:(b)TEM圖像,(c)HRTEM圖像,(d)FFT和(e)線掃描圖,(f)EDS映射,(g),(h)HADDF-STEM圖像。

Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C電催化劑詳細(xì)制備路線如圖1a所示。首先,利用溶劑熱法合成了平均直徑為7.66 nm的八面體Pt1.5Ni合金。然后,將其均勻負(fù)載在ZIF-8的氮摻雜碳(N-C)上(Pt1.5Ni/N-C)。然后將Pt1.5Ni/N-C放入管式爐中(50-300 ℃)在NH3氣氛下加熱。隨著溫度升高,大量Ni原子從Pt-Ni合金顆粒中脫出,八面體Pt1.5Ni逐漸演化為球形Pt1.5Ni1-x納米顆粒(NPs)。同時(shí),遷移的Ni原子被相鄰的N-C上的氮缺陷捕獲。最后,形成了具有富Pt表面和緊密孤立Ni位點(diǎn)的Pt-Ni合金雜化體系(Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C)。

HR-TEM圖像和相應(yīng)的快速傅里葉變換(FFT)圖案顯示,獲得的Pt1.5Ni1-x NPs為球形且具有良好的結(jié)晶性,其晶格間距為0.230nm和0.196nm,分別對(duì)應(yīng)于Pt(111)和(200)晶面(圖1c,d)。取自圖1f的線掃描剖面顯示Pt1.5Ni1-x NPs合金具有富鉑的外殼表面層(圖1e)。

圖1f中的EDS圖(由紫色和藍(lán)色圓圈判斷)顯示,鎳元素均勻地分布在N-C基底上的鉑鎳合金結(jié)構(gòu)周圍。高角度環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)也顯示了原子級(jí)分散的Ni位點(diǎn)均勻地分布在Pt1.5Ni1-x附近(圖1g,h)。

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圖2 HADDF-STEM圖像和DFT計(jì)算的Pt1.5Ni NPs在NH3和熱處理下的演變。Pt1.5Ni NPs的 (a) HADDF-STEM圖像和EDS映射,(b) 線掃描,(c)-(g) Pt1.5Ni NPs演化過(guò)程的HADDF-STEM圖像和幾何結(jié)構(gòu)模型,(h) 計(jì)算反應(yīng)過(guò)程能量和相應(yīng)結(jié)構(gòu)。

合成的Pt1.5Ni NPs在室溫下具有八面體形態(tài)(圖2a)。元素映射表明Pt1.5Ni NPs擁有富含Pt的軸和角以及富含Ni的面組成。沿(100)方向的線掃描也證明面中富含鎳,在中心軸中富含鉑(圖2b)。在50℃時(shí),Pt1.5Ni NPs八面體形態(tài)沒(méi)有發(fā)生變化,反映了良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性(圖2c)。

當(dāng)溫度上升到100 ℃和200 ℃時(shí),顆粒逐漸被侵蝕成凹形,表面發(fā)生了脫合金過(guò)程。由于NH3的作用,合金顆粒中的鎳原子發(fā)生浸出,并最終被N缺陷捕獲(圖2d,e)。同時(shí),在分子持續(xù)熱運(yùn)動(dòng)下,鉑原子從富含鉑的邊緣遷移到(111)面。隨著溫度進(jìn)一步升高,脫合金過(guò)程加劇,形成截?cái)嗟陌嗣骟w形狀且形成(100)面,同時(shí)在相鄰的N-C上有豐富的Ni單點(diǎn)(圖2f)。

在300℃時(shí),截?cái)嗟陌嗣骟w進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為球形(圖2g)。DFT計(jì)算結(jié)果顯示,NH3配位的單個(gè)鎳原子的遷移以及隨后被N4缺陷捕獲是放熱過(guò)程且達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)需要2.85eV的擴(kuò)散勢(shì)壘,這比鉑的相應(yīng)勢(shì)壘(3.78eV)小得多(圖2h)。這進(jìn)一步表明,在體相中,鎳原子比鉑原子更容易遷移。

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圖3 Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和參照材料的結(jié)構(gòu)特征。(a) Pt1.5Ni/N-C和Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的XRD圖案和 (b) Ni 2p的XPS,(c) Ni K邊NEXAFS光譜,(d) EXAFS光譜,(e) Pt L3邊NEXAFS光譜。

脫合金處理Pt1.5Ni/N-C后的XRD圖案顯示(圖3a),鉑鎳合金的(111)晶面相對(duì)應(yīng)的峰位略微向低角度移動(dòng),這可能是鎳從Pt1.5Ni體相中浸出造成晶格間距擴(kuò)大引起的。鎳的XPS光譜顯示(圖3b),與Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C相比,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C中的Nix+(007f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.pngx07f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.png3)2p3/2峰強(qiáng)度明顯增加,這表明部分鎳在Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C中發(fā)生氧化。

隨著退火溫度的增加,Ni K-邊NEXAFS光譜(圖3c)顯示,白線(WL)強(qiáng)度逐漸增加,吸收閾值位置向Ni3+轉(zhuǎn)移,表明Ni被進(jìn)一步氧化。此外,R空間的EXAFS光譜顯示,Ni-Ni鍵相對(duì)于鎳箔有一定程度的正移,在約1.5 ?處逐漸出現(xiàn)了強(qiáng)度較低的新峰(圖3d),揭示了表面金屬性的逐漸降低和Ni單原子位點(diǎn)的形成。

Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的擬合結(jié)果顯示,位于1.49 ?的峰可以歸屬于Ni-N鍵,相應(yīng)的配位數(shù)為4。對(duì)于Pt L3邊XANES光譜,WL強(qiáng)度在退火過(guò)程中逐漸增強(qiáng),這與合金內(nèi)部的電子轉(zhuǎn)移有關(guān),進(jìn)一步證明了合金化的降低(圖3e)。

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圖4 Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和參照材料的催化性能。(a) Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C、Pt1.5Ni/N-C、商業(yè)Pt/C和Ni-N-C的ORR極化曲線和 (b) 循環(huán)伏安曲線,(c) 和 (d) 在0.85V、0.9V、0.95V與RHE的質(zhì)量活性和比活性比較,(e) Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C在ADT前后的ORR極化曲線;Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C在(f)H2-O2和(g)H2-空氣燃料電池i-V極化和功率密度圖,以及(h)Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C在H2/O2下分別在開始(BOL)、10000和30000周期的ADT;(i) Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和商用20%Pt/C在ADT之前和之后在0.9V iR-free的質(zhì)量活性。

線性掃描伏安曲線(LSV)表明(圖4a),在0.1 M HClO4溶液中,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的半波電位(E1/2)為0.967 V,優(yōu)于Pt1.5Ni/N-C(0.926 V)、商用Pt/C(0.887 V)。在N2飽和電解質(zhì)中測(cè)量了循環(huán)伏安(CV)曲線(圖4b),得到Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的電化學(xué)活性表面積(ECSA)值為89.88 m2 gPt?1,高于Pt1.5Ni/N-C(76.07 m2 gPt?1),表明前者具有更高的Pt利用率。

Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C在不同的電勢(shì)下具有最佳的質(zhì)量活度(MA)和比活度(SA),特別是在0.9 V下分別為4.1 A mgPt?1/4.6 mA cm?2,比Pt1.5Ni/N-C高出約2.9/2.5倍,比Pt/C高出約15.2/7.0倍(圖4c,d)。催化劑性能在20000次循環(huán)后只出現(xiàn)了少許衰減,表明該催化劑具有良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

將Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C組裝進(jìn)燃料電池的膜電極內(nèi),分析了燃料電池的極化曲線和功率密度。在H2/O2電池的分壓為0.0、0.5、1.0和2.0bar時(shí),最大功率密度分別為1.23、1.42、1.52和1.72W cm-2(圖4f)。Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C MEA提供了比Pt1.5Ni/N-C更高的初始質(zhì)量活性(0.70 A mgPt-1),并且在30000次循環(huán)后只有26.3%的衰減,實(shí)現(xiàn)了DOE 2025的目標(biāo)(質(zhì)量活性為0.44 A mgPt-1,30000次循環(huán)后衰減07f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.png40%)(圖4i)。

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圖5 Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和參考材料的DFT計(jì)算結(jié)果和示意圖。(a) Ni-N-C、Pt1.5Ni/N-C、Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的ORR自由能圖;(b) Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的示意圖;(c)Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C、Pt1.5Ni/N-C和Ni-N-C的態(tài)密度和相應(yīng)的d帶中心。

采用密度泛函理論(DFT)計(jì)算探究在Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C上杰出ORR活性的機(jī)制。根據(jù)計(jì)算出的反應(yīng)路徑自由能曲線,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C、Pt1.5Ni/N-C和Ni-N-C的決速步驟(RDS)分別為*OH+H++e-07f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.png*+H2O,*O+H++e-07f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.png*OH,和*+O2+H++e-07f78978-84a9-11ed-bfe3-dac502259ad0.png*OOH,相應(yīng)的最大自由能變化在0.9 V時(shí)分別為0.31、0.35和0.81eV,表明Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和Pt1.5Ni/N-C在ORR四電子路徑上比Ni–N–C更具活性。

當(dāng)ORR過(guò)程發(fā)生在Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的近鄰Ni-N-C位點(diǎn)(鄰近PtNi團(tuán)簇位點(diǎn))時(shí),*OOH中間物不能穩(wěn)定地結(jié)合在近鄰Ni-N-C位點(diǎn)上,將遷移到鄰近的PtNi位點(diǎn)上并分解為O*和*OH(圖5b)(路徑B)。PtNi團(tuán)簇和Ni-N-C的相互協(xié)助共同完成了一個(gè)四電子轉(zhuǎn)移路徑,多位點(diǎn)協(xié)同作用有效地激活了氧分子,這對(duì)進(jìn)一步的還原過(guò)程是有利的。

因此,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C的多位點(diǎn)協(xié)同中繼反應(yīng)路徑的催化效率超過(guò)Pt1.5Ni/N-C和Ni-N-C。 隨后計(jì)算了Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C、Pt1.5Ni/N-C和Ni-N-C的態(tài)密度(DOS)以及它們相應(yīng)的活性原子的d帶中心。圖5c中的DOS顯示,與Ni-N-C相比,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C和Pt1.5Ni/N-C催化劑在費(fèi)米級(jí)附近具有豐富的電子態(tài),這意味它們電荷轉(zhuǎn)移能力更強(qiáng)。

此外,Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C比Pt1.5Ni/N-C在費(fèi)米級(jí)附近有更豐富的電子態(tài),表明PtNi團(tuán)簇和Ni-N-C位點(diǎn)之間可能存在電子相互作用,這有助于實(shí)現(xiàn)更高的催化性能。

總結(jié)與展望

本工作開發(fā)了一種高效的氣體促進(jìn)的脫合金處理工藝,合成了一種用于高效PEMFCs的緊密填充的混合Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C電催化劑。活性的增強(qiáng)源于緊密相鄰的活性位點(diǎn),允許在單原子位點(diǎn)和Pt合金上對(duì)關(guān)鍵的中間反應(yīng)物OOH*進(jìn)行接力催化。這一發(fā)現(xiàn)不僅豐富了Pt基ORR催化劑庫(kù),而且還為設(shè)計(jì)有效的中繼催化提供了思路。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:EES:緊密填充的Pt1.5Ni1-x/Ni-N-C雜化物用于中繼催化ORR

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    催化劑作為影響化學(xué)反應(yīng)的重要媒介,在全球各行各業(yè)廣泛使用。除了傳統(tǒng)的石油化工領(lǐng)域,催化劑在清潔能源開發(fā)、環(huán)境保護(hù)等新興領(lǐng)域也起到了關(guān)鍵作用。明達(dá)技術(shù)針對(duì)這現(xiàn)狀,自主研發(fā)新代Mbox
    的頭像 發(fā)表于 08-14 17:02 ?459次閱讀
    網(wǎng)關(guān)助力<b class='flag-5'>催化劑</b>產(chǎn)業(yè)升級(jí),解決痛點(diǎn)問(wèn)題!

    NI MAX里面識(shí)別到Keysight的GPIB卡

    NI MAX里面識(shí)別到Keysight的GPIB卡
    的頭像 發(fā)表于 07-27 10:14 ?1868次閱讀
    <b class='flag-5'>NI</b> MAX里面識(shí)別到Keysight的GPIB卡

    關(guān)于Keysight和NI的GPIB卡沖突,Keysight的GPIB卡用完NI的不能用的情況

    解決GPIB卡沖突的問(wèn)題,Keysight和NI 的GPIB卡
    的頭像 發(fā)表于 07-27 10:04 ?2185次閱讀
    關(guān)于Keysight和<b class='flag-5'>NI</b>的GPIB卡沖突,Keysight的GPIB卡用完<b class='flag-5'>NI</b>的不能用的情況

    NI數(shù)據(jù)采集板卡如何連接使用?

    NI(National Instruments)數(shù)據(jù)采集板卡是一種常用的工業(yè)級(jí)數(shù)據(jù)采集設(shè)備,廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究、工程測(cè)試、自動(dòng)化控制等領(lǐng)域。本文將介紹如何連接產(chǎn)品并使用NI數(shù)據(jù)采集板卡
    的頭像 發(fā)表于 07-11 10:05 ?2007次閱讀

    浪潮通信信息榮獲2024 TM Forum催化劑項(xiàng)目大獎(jiǎng)

    管理權(quán)威機(jī)構(gòu)TM Forum頒發(fā)的催化劑"Outstanding Catalyst-Rising star"獎(jiǎng)項(xiàng)。 隨著網(wǎng)絡(luò)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)愈發(fā)復(fù)雜、客戶需求逐漸多樣,傳統(tǒng)依賴人工維護(hù)+系統(tǒng)輔助
    的頭像 發(fā)表于 06-24 17:36 ?565次閱讀