主動(dòng)超構(gòu)材料（active metamaterials）是推動(dòng)超構(gòu)材料實(shí)用化的重要途徑之一。近日，南方科技大學(xué)叢龍慶團(tuán)隊(duì)，應(yīng)邀撰寫(xiě)了題為“Terahertz Metamaterials for Free-Space and on-Chip Applications: From Active Metadevices to Topological Photonic Crystals”的綜述性文章，發(fā)表在2022年Advanced Devices & Instrumentation期刊上。本文聚焦未來(lái)在無(wú)線通信、成像、傳感領(lǐng)域都極具應(yīng)用潛力的太赫茲（THz）波段，重點(diǎn)總結(jié)基于復(fù)合超構(gòu)材料（hybrid metamaterials）實(shí)現(xiàn)主動(dòng)調(diào)制的研究進(jìn)展，介紹幾種基本工作機(jī)制、相關(guān)器件性能指標(biāo)、發(fā)展概況、技術(shù)瓶頸等，為讀者了解技術(shù)原理、開(kāi)展相關(guān)研究提供參考。目前，主動(dòng)超構(gòu)材料的應(yīng)用主要針對(duì)自由空間太赫茲波調(diào)制，而片上信息傳輸將進(jìn)一步助力器件小型化，提升器件集成度。基于拓?fù)涔庾訉W(xué)的太赫茲波導(dǎo)有望解決片上傳輸效率問(wèn)題，本文第二部分還重點(diǎn)介紹了當(dāng)前的熱點(diǎn)研究方向——拓?fù)涔庾訉W(xué)，分別從基本原理、幾種典型的拓?fù)涔庾泳w類型、太赫茲應(yīng)用進(jìn)展三方面展開(kāi)。

研究進(jìn)展

液晶-超構(gòu)材料復(fù)合器件
向列相液晶在可見(jiàn)波段已廣泛應(yīng)用于相位調(diào)制，在太赫茲波段的應(yīng)用價(jià)值也非常高。但想要獲得足夠大的相移，液晶的厚度需要與波長(zhǎng)相近，因而增加了調(diào)制-恢復(fù)時(shí)間，這就為太赫茲應(yīng)用帶來(lái)挑戰(zhàn)。將液晶材料與超構(gòu)材料結(jié)合，可以大大減小液晶厚度、減小驅(qū)動(dòng)電壓、提高器件開(kāi)關(guān)速度，并利用超構(gòu)表面產(chǎn)生一系列功能應(yīng)用（圖1a）。

圖1 幾種典型的復(fù)合超構(gòu)材料

（a）液晶-超構(gòu)材料器件；（b）相變材料-超構(gòu)材料太赫茲主動(dòng)調(diào)控；（c）石墨烯-超構(gòu)材料太赫茲調(diào)控；（d）MEMS-超構(gòu)材料太赫茲調(diào)制器；（e）硅-超構(gòu)材料全光超快調(diào)制器。

相變材料-超構(gòu)材料器件

利用相變材料（GST、 VO2等）在外界驅(qū)動(dòng)調(diào)制下由晶態(tài)到無(wú)定形態(tài)轉(zhuǎn)換的過(guò)程帶來(lái)材料折射率和吸收系數(shù)的變化，可以為復(fù)合超構(gòu)材料器件的主動(dòng)調(diào)制帶來(lái)豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，滿足不同的應(yīng)用需求（圖1b）。目前，相變材料的驅(qū)動(dòng)手段多樣化，具備各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。

石墨烯-超構(gòu)材料器件石墨烯在太赫茲波段的電導(dǎo)率與直流電導(dǎo)率正相關(guān)，因此可以通過(guò)調(diào)制費(fèi)米能級(jí)的方式實(shí)現(xiàn)太赫茲波高效、寬帶的調(diào)制。典型的調(diào)制應(yīng)用包括類二極管光學(xué)器件、寬帶調(diào)相器件、光學(xué)記憶器件、非線性器件等。基于電驅(qū)動(dòng)的石墨烯-超構(gòu)材料器件調(diào)制速度仍受限于RC時(shí)間；另外，其自身厚度有限，與光相互作用的強(qiáng)度受限，需要依賴于超構(gòu)材料極強(qiáng)的局域場(chǎng)增強(qiáng)來(lái)提升調(diào)制深度。MEMS-超構(gòu)材料器件微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）是目前最先進(jìn)的集成系統(tǒng)的基礎(chǔ)部分。基于MEMS成熟的加工工藝和廣泛的應(yīng)用，其技術(shù)可以很好地拓展應(yīng)用于太赫茲波段，典型的應(yīng)用場(chǎng)景之一是利用靜電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)對(duì)電磁波偏振態(tài)的動(dòng)態(tài)調(diào)制（圖1d）。將MEMS與超構(gòu)表面結(jié)合還可以實(shí)現(xiàn)可編程調(diào)制器，有望集成動(dòng)態(tài)偏振態(tài)調(diào)制、波前偏置、全息顯示等復(fù)雜的功能于一個(gè)器件。但可靠性是MEMS-超構(gòu)表面陣列面臨的一個(gè)問(wèn)題，例如變形分布不均勻、缺陷、懸臂梁無(wú)法釋放等。

硅-超構(gòu)材料器件

太赫茲波段主要采用的半導(dǎo)體材料是硅和砷化鎵，通過(guò)全光調(diào)制和電驅(qū)動(dòng)兩種模式實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)制。全光調(diào)制通常是利用激光脈沖激發(fā)半導(dǎo)體材料的瞬態(tài)載流子，材料載流子濃度的改變對(duì)太赫茲波的透/反射率產(chǎn)生調(diào)制，通過(guò)結(jié)合超構(gòu)表面可實(shí)現(xiàn)調(diào)幅、偏振分束、輻射角度切換等應(yīng)用。最大優(yōu)勢(shì)是可以實(shí)現(xiàn)超快的調(diào)制速度，并可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程調(diào)控。電驅(qū)動(dòng)調(diào)制方式通過(guò)電注入或耗盡載流子的方式改變材料的載流子濃度，這種方式從器件實(shí)用性和集成性的角度往往更有吸引力，但調(diào)制速度受限于驅(qū)動(dòng)電路的RC時(shí)間。

圖2 拓?fù)涔庾訉W(xué)和太赫茲應(yīng)用

（a）拓?fù)浜屯負(fù)洳蛔兞浚唬╞）時(shí)間反演對(duì)稱破缺的拓?fù)涔庾泳w；（c）基于量子自旋霍爾效應(yīng)的拓?fù)涔庾泳w；（d）基于量子谷霍爾效應(yīng)的拓?fù)涔庾泳w；（e）拓?fù)涔庾泳w的太赫茲通信應(yīng)用。

拓?fù)涔庾訉W(xué)

基于拓?fù)涔庾訉W(xué)的太赫茲波導(dǎo)具有傳輸效率高、穩(wěn)定性好、對(duì)大角度偏折不敏感等優(yōu)勢(shì)，將助力太赫茲通信應(yīng)用發(fā)展。拓?fù)涔庾訉W(xué)應(yīng)用大多基于光子晶體。本文簡(jiǎn)述了拓?fù)涔庾訉W(xué)基本原理（圖2a）、拓?fù)涔庾泳w的幾種分類(圖2b，時(shí)間反演對(duì)稱破缺的拓?fù)涔庾泳w)、拓?fù)洳蛔兞康挠?jì)算，重點(diǎn)針對(duì)具備時(shí)間反演對(duì)稱的量子自旋霍爾效應(yīng)（圖2c）和量子谷霍爾效應(yīng)（圖2d）的光子晶體進(jìn)行介紹。最后，文章總結(jié)了目前基于拓?fù)涔庾泳w的太赫茲通信應(yīng)用相關(guān)報(bào)道（圖2e）。

總結(jié)與展望

自由空間太赫茲波的主動(dòng)超構(gòu)材料涉及的驅(qū)動(dòng)方式包括電、光、熱、力等，在應(yīng)用中具備各自的優(yōu)、缺點(diǎn)，例如典型的電驅(qū)動(dòng)方式具有很好的集成性，但調(diào)制速度往往受限于RC時(shí)間；光驅(qū)動(dòng)的調(diào)制時(shí)間可到飛秒量級(jí)，可遠(yuǎn)程遙控，但集成性受限，調(diào)制頻率也受到脈沖激光的重復(fù)頻率限制。針對(duì)片上太赫茲應(yīng)用，結(jié)合拓?fù)涔庾訉W(xué)和主動(dòng)調(diào)制的方法有望切實(shí)推動(dòng)太赫茲通信應(yīng)用的發(fā)展。利用高階拓?fù)涔庾泳w還有望進(jìn)一步提升光與物質(zhì)相互作用，為高功率太赫茲輻射源提供解決方案。

作者簡(jiǎn)介：

叢龍慶，南方科技大學(xué)電子系副教授，研究團(tuán)隊(duì)致力于太赫茲光子學(xué)研究，探索主動(dòng)超構(gòu)材料器件用于自由空間太赫茲波調(diào)控，解決太赫茲無(wú)線通信、單像素成像、傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用問(wèn)題；研究拓?fù)涔庾泳w，用于實(shí)現(xiàn)太赫茲片上調(diào)制應(yīng)用。目前承擔(dān)國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目任務(wù)。

論文信息：

https://doi.org/10.34133/2022/9852503

審核編輯 ：李倩