3電源控制(PWR)
3.1綜述
PWR列舉了芯片內部與電源相關的所有資源,包括內部的電源電壓調節器、可編程的電源電壓監測器、低功耗模式。
3.2特性
l集成的電源調節器,提供3路內部電源、均可通過ADC內部通道進行訪問:
uBG1v5 1.5V精度5%
uBG1v2 1.2V精度5%
uBG1v0 1.0V精度0.5%
l多擋位、支持復位或中斷的可編程電源電壓檢測器
l在低功耗模式下,提供兩種低功耗模式:
u睡眠模式
u深度睡眠模式
l深度睡眠下、典型功耗僅為0.8uA
3.3電源調節器
PT32x00x支持在超寬電壓范圍內工作、工作電壓(VDD)詳見《PT32x00x數據手冊》。通過內置的電源調節器提供內部所需的 1.5V電源BG1v5、1.2V參考電源BG1v2以及1.0V參考電源BG1v0。所有的內部電源均可通過ADC內部通道進行訪問、詳見ADC(控制寄存器ADC_CR)的”CHS”位描述。
3.3.1電源調節器
復位后電源調節器總是使能的。根據系統運行狀態、它以 2種不同的模式工作。
1.運行模式:調節器以正常功耗模式提供BG1v5、BG1v2、BG1v0三路電源;BG1v5作為核 心電源共給內部CPU、存儲器和數字外設,并且與BG1v2、BG1v0一起接入ADC的內部模擬通道中.
2.低功耗模式:提供睡眠和深度睡眠兩種低功耗模式,電源調節器將遞進的關閉片內電源、時鐘、外設,以使系統功耗大大降低。
3.3.2電源復位條件
PT32x00x內部有一個完整的上電復位(PUR)和掉電復位(PDR)電路,當VDD電壓達到工作電壓時系統就能正常工作。 當VDD低于指定的限位電壓VPUR/VPDR時,系統保持為復位狀態。
3.3.3可編程的電源電壓監測器(PVD)
用戶可以利用PVD對VDD電壓進行監測,(電源電壓監測器配置寄存器PWR_PVDR)中的”PLS”位用于設定PVD監控VDD電壓的閾值。通過將(PWR_PVDR寄存器)中的PVDE位置’1’以使能PVD。
PVD事件支持用戶通過復位和中斷兩種形式進行訪問,其對應的中斷事件在內部被連接到 NVIC的第20號中斷,如果該中斷在系統中斷使
能寄存器ISER中被使能,一旦發生該事件、NVIC就會響應PVD的中斷請求。PVD事件的觸發/解除機制由硬件自動控制,當VDD下降到”PLS位”所設定的閾值時,PVD中斷被觸發,當VDD上升到PVDUV時,PVD中斷被解除。這一特性可用于用于執行緊急關閉任務。
3.4低功耗模式
系統或電源復位以后,系統處于運行模式。當系統無需繼續運行時,可以利用多種低功耗模式來節省功耗;例如等待某個外部事件時,用戶可以根據最低電源消耗、喚醒時間和可用的喚醒源等條件,選定一個最佳的低功耗模式。
PT32x00x提供了兩種低功耗模式:
l睡眠狀態(Cortex?-M0內核停止,但包括Cortex-M0核心的外設在內的所有外設,如NVIC、SysTick等仍在運行,IFMC無法訪問)
l深度睡眠狀態(除LSI外的所有時鐘均已停止工作,相關的片內電源以及外設被強制關閉)。此外,在運行模式下,還可以通過以下方式降低功耗:
l失能未被使用的時鐘源
l失能未被使用但已被使能的外設。
l將不使用的GPIO做內部下拉處理
3.4.1進入低功耗模式
通過將配置系統控制寄存器(SCR)中的SLP位置’1’以選定系統進入低功耗模式時、系統處于睡眠狀態還是深度睡眠狀態。系統進入低功耗模式有兩種方法:
l執行WFI或WFE指令以進入低功耗模式
l將系統控制寄存器(SCR)中的SOE位置’1’,當系統從最低優先級的中斷處理程序中退出時,立即進入低功耗模式
注意:進入低功耗模式前,應該將所有未使用到的管腳配置為下拉輸入,并清除所有管腳的復用功能可使系統功耗得到最大優化。
3.4.2睡眠狀態
表3-1羅列了系統處于睡眠狀態時、片內資源的工作狀態。如需優化功耗、在進入睡眠狀態前,用戶可手動關閉無需在低功耗模式下工作的外設以降低功耗。
3.4.3深度睡眠狀態
表3-1羅列了系統處于深度睡眠狀態時、片內資源的工作狀態。在深度睡眠狀態下,只有 LSI時鐘掛載的外設可以正常運行,內核的寄存器、內存的信息仍保存,程序在喚醒后仍從上一次停止處執行;除表 3-1所羅列的在深度睡眠狀態下被強制關閉外設外,其他外設均不會被強制關閉,在運行模式下使能的外設、在進入深度睡眠前應該手動關閉以避免額外功耗;如需進一步的優化功耗,可將 LSI時鐘關閉,但LSI時鐘掛載外設將無法工作,此時、低功耗
模式的喚醒僅支持外部中斷喚醒。
注意:GPIO外部中斷喚醒深度睡眠時,僅支持雙沿中斷、高電平中斷和低電平中斷。
3.4.4喚醒方式
當系統處于低功耗模式時,如果是睡眠狀態,根據進入低功耗模式的指令,有相應的喚醒方式:
lWFI指令:任意一個被NVIC響應的外設中斷都能將系統從睡眠模式喚醒。
lWFE指令:包括所有中斷在內、所有內核支持的事件特別地、當(系統控制寄存器SCR)的”SWC”位為’1’時:所有中斷或事件均可喚醒。
注意:使用WFE喚醒睡眠狀態,需要在(中斷掛起清除寄存器ICPR)中清除相應的掛起標志。
如果是深度睡眠狀態,根據進入低功耗模式的方法,有相應的喚醒方式:
lWFI指令:LSI時鐘掛載外設的中斷或者外部中斷
lWFE指令:LSI時鐘掛載外設的中斷、外部中斷、復位事件或調試模式請求事件特別地、當(系統控制寄存器SCR)的”SWC”位為’1’時:LSI時鐘掛載外設的中斷、外部中斷、復位事件或者調試模式請求事件均可喚醒。
審核編輯:湯梓紅
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