Vishay 新款高能液鉭電容器

器件可直接取代同類解決方案或用作高容量電容

減少元件數量

降低設計成本

為滿足國防和航空航天應用需求，Vishay 推出新款高能液鉭電容器，器件每款電壓等級和外形尺寸的容量均為業界先進。EP2有 B 和 C 兩種封裝，提供徑向插件端接，可選螺桿固定，可用來直接取代同類器件，或用作等效機械封裝的高容量電容，減少元件數量、節省空間、降低設計成本。

日前發布的器件采用 Vishay 成熟的 SuperTan技術，B 封裝和 C 封裝器件超高容量分別達到 2,700 μF~48,000 μF 和 3,600 μF~72,000 μF。電容器額定電壓為 25VDC至 125VDC。EP2 容值指標居業界先進水平，其中 C 封裝器件 80V 條件下的容值達到 9,000 μF，35V 條件下達到 58,000 μF，這些容值分別比緊隨其后的競品高 50 % 和 21 %。電容器標準容值公差為 ± 20 %，同時提供公差為 ± 10 % 的產品。EP2采用全鉭密封外殼提高可靠性，適于激光制導、雷達和航電系統脈沖電源和能量保持應用。電容器機械性能牢固，提高了抗振動（高頻：20 g；隨機：19.64 g）和抗機械沖擊（50 g）的能力。 電容器工作溫度 -55 °C 至 +85 °C，當電壓降額使用時最高可達到 +125 °C，1 kHz 和 +25 °C下，最大 ESR 低至 0.017 Ω。電容器有錫/鉛（Sn / Pb）端接和符合 RoHS 的 100% 純錫端接不同類型。 編輯：黃飛

編輯：黃飛