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GaN“上車(chē)”腳步正在加速

Hobby觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2022-05-26 00:04 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)目前碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)上的應(yīng)用如火如荼,今年以來(lái),可以看到包括蔚來(lái)ET7、比亞迪E3.0平臺(tái)、小鵬G9等都已經(jīng)采用碳化硅器件加持的電機(jī)控制器模塊,碳化硅器件在新能源汽車(chē)上的滲透率在不斷提高。

同是第三代半導(dǎo)體氮化鎵,也不僅僅局限于充電器和射頻領(lǐng)域,事實(shí)上在電動(dòng)汽車(chē)的領(lǐng)域,氮化鎵在也已經(jīng)逐漸加快腳步,希望趕上新能源的這波紅利。近日聞泰科技旗下安世半導(dǎo)體宣布與日本京瓷位于奧地利的子公司Kyocera AVX Components達(dá)成合作,合作方向主要是氮化鎵汽車(chē)電源模塊。

那么目前為止,氮化鎵在汽車(chē)上的應(yīng)用到底進(jìn)展如何?實(shí)際上,氮化鎵在充電器上被廣泛使用,也就是近幾年的事情。汽車(chē)應(yīng)用上,目前距離大規(guī)模應(yīng)用氮化鎵還為時(shí)尚早。氮化鎵“上車(chē)”的一個(gè)重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是,寶馬在2021年與GaN Systems合作,就寶馬高性能車(chē)載標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵功率半導(dǎo)體簽署了全面的產(chǎn)能協(xié)議,合作金額達(dá)1億美元。

而GaN Systems在更早之前的2020年,還曾展示過(guò)一款全氮化鎵汽車(chē),采用太陽(yáng)能蓄電池,證明氮化鎵在功率轉(zhuǎn)換方面的可行性,同時(shí)也證明了氮化鎵在汽車(chē)上,也同樣具有很大的應(yīng)用前景。

具體到在汽車(chē)中的應(yīng)用,氮化鎵可以在電動(dòng)汽車(chē)的牽引逆變器,以及車(chē)載充電器以及DC/DC轉(zhuǎn)換器中發(fā)揮作用,同時(shí),激光雷達(dá)上的電源模塊、汽車(chē)座艙內(nèi)的無(wú)線快充,都可以用到氮化鎵器件。

比如電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器(OBC),使用GaN器件,可以將尺寸減少至原來(lái)的五分之一,充電效率可以達(dá)到98%,同時(shí)還可以減少散熱結(jié)構(gòu)。

DC/DC上,采用GaN器件一個(gè)顯著的提升是,功率密度大幅提升,可以從1kW/L提升到2kW/L。

另一方面,目前電動(dòng)汽車(chē)高端車(chē)型正在逐漸往800V以上的高壓平臺(tái)推進(jìn),但原有的800V以下平臺(tái),氮化鎵可以繼續(xù)帶來(lái)效率提升。而這個(gè)在未來(lái)的中低端汽車(chē)市場(chǎng),將會(huì)有很大的發(fā)展空間。

據(jù)預(yù)測(cè),一輛電動(dòng)車(chē)中,潛在能夠應(yīng)用到氮化鎵的部件的市場(chǎng)機(jī)會(huì)超過(guò)250美元,到了2025年,電動(dòng)汽車(chē)中,氮化鎵功率芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)總值每年將有望超過(guò)25億美元。

另外,碳化硅目前應(yīng)用的主要問(wèn)題在于,碳化硅襯底生長(zhǎng)難度大,良率低導(dǎo)致成本較高。而氮化鎵功率器件可以在硅襯底上生長(zhǎng),也就是硅基氮化鎵器件,并且大多采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝,所以氮化鎵在成本、產(chǎn)能、供應(yīng)上,相比碳化硅具有一定要優(yōu)勢(shì)。

除了GaN Systems,聞泰旗下的安世半導(dǎo)體去年也推出了車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵功率器件,電壓等級(jí)為650V,導(dǎo)通電阻為50mΩ。據(jù)了解,安世半導(dǎo)體現(xiàn)已針對(duì)電壓等級(jí)為900V的氮化鎵器件進(jìn)行開(kāi)發(fā),且未來(lái)還有針對(duì)1200V產(chǎn)品的計(jì)劃,致力于打破氮化鎵產(chǎn)品只能在中低壓應(yīng)用的局面。

確實(shí),以往人們認(rèn)為氮化鎵只適合在650V及以下的中低壓應(yīng)用中,但實(shí)際上,氮化鎵在功率器件中的潛力,遠(yuǎn)不止于此。此前晶湛與美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心合作,成功制備一款氮化鎵SBD,實(shí)現(xiàn)了超過(guò)10kV的超高擊穿電壓,部分指標(biāo)甚至要高于同規(guī)格的SiC SBD。

在未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)上,氮化鎵能否對(duì)碳化硅的市場(chǎng)份額造成較大沖擊這不得而知,但可以確定的是,氮化鎵一定會(huì)有更大的舞臺(tái)。

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