MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor，即金屬-氧化物-半導體，描述了集成電路中的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極（Gate）。

柵極（Gate）是mos管三極中的一個，還有漏極（Drain）和源極（Source）。那如何區(qū)分它們呢，下面金譽半導體分別來介紹一下mos管三個極代表什么及其怎么判斷三個極和方法。

總的來說，G極比較好認，

D極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊；

S極，不論是p溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。

1.判斷柵極G

MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴峻影響波形跳變的時間。

將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。

2.判斷源極S、漏極D

將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。

3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）

在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。

管腳測定方法：

①柵極G的測定：用萬用表R×100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R×10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2×10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：

a．若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。

如何快速判斷MOS管好壞與引腳性能

1、用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導通電壓。

2、因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。

4、大都源漏間有反并二極管，應注意，及幫助判斷。

5、大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。

如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。

以上就是此次金譽半導體關(guān)于mos管封裝引腳的內(nèi)容分享，希望能對大家有所幫助。

審核編輯：符乾江