華潤(rùn)微作為國(guó)內(nèi)最早進(jìn)入微電子產(chǎn)業(yè)的大型國(guó)有企業(yè)之一，華潤(rùn)微在國(guó)家微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展、布局中具有重要地位。在追求商業(yè)利益最大化的同時(shí)，我們一定要有憂患意識(shí)和長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo)，在核心技術(shù)和重要的產(chǎn)業(yè)鏈上，自覺擔(dān)當(dāng)起國(guó)家賦予的新使命。

華潤(rùn)微在IGBT領(lǐng)域

根據(jù)公司發(fā)布的投資者互動(dòng)信息： 華潤(rùn)微IGBT產(chǎn)品主要應(yīng)用為感應(yīng)加熱、UPS、逆變器、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。參考英飛凌的標(biāo)準(zhǔn)，公司目前量產(chǎn)的IGBT產(chǎn)品技術(shù)類似于英飛凌IGBT第四代產(chǎn)品。公司第五代IGBT產(chǎn)品在研發(fā)中，預(yù)期2020年下半年會(huì)有成果，并在此基礎(chǔ)上陸續(xù)開發(fā)不同應(yīng)用頻率的產(chǎn)品。另外公司的IGBT產(chǎn)品規(guī)劃路線是：在發(fā)展單管系列化產(chǎn)品的同時(shí)發(fā)展模塊產(chǎn)品。

華潤(rùn)微在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域

在第三代功率半導(dǎo)體上，公司已儲(chǔ)備硅基 GaN 功率器件設(shè)計(jì)、加工和封裝測(cè)試技術(shù)、SiC 功率器件設(shè)計(jì)、加工和封裝測(cè)試技術(shù)。目前公司在碳化硅二極管正處于產(chǎn)業(yè)化的前夕，目前已經(jīng)建立一條中試生產(chǎn)線，并完成第一階段建設(shè)目標(biāo)，1200V、650V 碳化硅二極管在考核中，預(yù)計(jì)在2020有望實(shí)現(xiàn)銷售收入，目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)樘?yáng)能逆變器、通訊電源、服務(wù)器、儲(chǔ)能設(shè)備等，碳化硅 MOSFET 在積極研發(fā)中。

另外，公司氮化鎵目前處于研發(fā)階段，600V 硅基氮化鎵 HEMT 器件動(dòng)態(tài)、靜態(tài)參數(shù)基本達(dá)標(biāo)。

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