作者: TI專家 Bruce Trump

翻譯: TI信號鏈工程師 Michael Huang (黃翔)

之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來源，發現其主要由一個或幾個反向偏置的PN節的漏電流組成。如果沒看過該文章，請點擊這里查看。文章結尾引出了一個警示，這些漏電流隨著溫度升高而顯著的增大。

PN節的反向偏置漏電流有很強的正溫度系數，每升高10℃,漏電流大約增大一倍。在figure1歸一化曲線中可以看出，這種指數增長使得漏電流快速增加。到125℃時，漏電流相對室溫下增長了約1000倍。

不同的二極管特性使得漏電流增加的速率不一樣，兩倍的漏電流可能在8℃到11℃左右的范圍內發生。這種高溫下的漏電流增長在一些電路中將會是重要問題，也可能是一個選擇在室溫下有著非常低輸入偏置電流的FET或CMOS運放很好的理由。某些情況下，為了實現高溫度下的低IB ，會使用在高溫度下IB沒那么夸張增長的BJT運放。

一般我們會假設在低溫時，漏電流也繼續降低，但是其他的泄漏源也許會改變這種趨勢。這些雜散泄露可能會有不同的溫度特性。坦率說，低于室溫的情況我們知道的較少，因為我們更關注在室溫及室溫以上的較高的泄露。我們最好不要在遠低于室溫的情況下對其特性太自信。在低溫下更能成為重要問題的是水可能會凝結，這可以使得泄露向上猛增。

之前討論過CMOS運放的輸入偏流主要來自于輸入級上分別連接在電源軌上的兩個鉗位二極管的反向泄露電流的差異。即使一個完全平衡的世界，兩個有著幾乎相同泄露特性的二極管之間的漏電流殘余差值仍然有著相同的指數溫度變化，只是初始

值較低。IB 的極性是不確定的，并由于二極管特性的微小不同，凈余的電流可能會在某個溫度下降到零（對數坐標圖上無法顯示其絕對數值）。

所以，什么結論？如果在您的FET運放電路中極低的輸入偏置電流很關鍵，則認真考慮它隨溫度上升而增加的特性。學習全部的參數和典型性能圖表。避免敏感電路接近熱源。如果必要的話，制作您自己的測量。對于真正關鍵的應用，有特殊用途的超低輸入偏置電流的放大器。他們用富有創造性的保護電路和獨特的引腳排布，實現室溫下3fA范圍內的IB，低于通用器件3個數量級。例如：

LMP7721——3fA輸入偏置電流CMOS運算放大器

INA116——超低輸入偏置電流儀表放大器

閱讀原文, 請訪問http://e2e.ti.com/blogs_/b/thesignal/archive/2012/11/14/temperature-effects-on-input-bias-current-plus-a-random-quiz.aspx

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