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OCL電路的的輸出功率及效率

fcsde-sh ? 來源:張飛實戰(zhàn)電子 ? 作者:郭嘉老師 ? 2021-10-28 10:43 ? 次閱讀

01OCL電路的組成及工作原理

為了消除基本OCL電路所產(chǎn)生交越失真,應當設(shè)置合適的靜態(tài)工作點,使兩只放大晶體三極管均工作在臨界導通或微導通狀態(tài)。能夠消除交越失真的OCL電路如圖1所示。

dd3890b2-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.png

圖(1)消除交越失真的OCL電路

在上圖中,靜態(tài)時,從+12V經(jīng)過R5、R6、D1、D2、R7、R8到GND有一個直流電流,它在Q1和Q2管兩個基極之間所產(chǎn)生的電壓為Ub1b2=UR6+UD1+UD2+UR7,使Ub1b2略大于Q1管發(fā)射結(jié)和Q2管發(fā)射結(jié)開啟電壓之和,從而使兩只管子均處于微導通態(tài),即都有一個微小的基極電流,分別為Ib1和Ib2。調(diào)節(jié)R6和R7,可使發(fā)射極靜態(tài)電位Vout為0V,即輸出電壓Vo為0V.

當所加信號Ui按正旋規(guī)律變化時,由于二極管D1、D2的動態(tài)電阻很小,而且R6和R7的阻值也比較小,因而可以認為Q1管基極電位的變化與Q2管基極電位的近似相等,即Ub1≈Ub2≈Ui。

也就是說,可以認為兩管基極之間電位差基本是一個恒定值,兩個基極的電位隨Ui產(chǎn)生相同變化。這樣,當Ui》2.5V且逐漸增大時Vbe1逐漸變大,Q1的基極電流Ib1隨之增大,發(fā)射極電流Ie1也必然增大,負載電阻RL上得到正方向的電流;與此同時,Ui的增大使Veb2減小,當減小到一定數(shù)值時,Q2管截至。同樣道理,當Vi《2.5v且逐漸減小時, Veb2逐漸增大,Q2的基極電流Ib2隨之增大,發(fā)射極電流Ie2必然也會增大,負載電阻RL上得到負方向的電流;與此同時,Ui的減小,使Vbe1減小,當減小到一定數(shù)值時,Q1管截至。這樣,即使Ui很小,總能保證至少有一個晶體三極管導通,因此消除了交越失真。Q1和Q2管在Ui的作用下,其輸入特性的中的圖解分析如圖3所示:

dd9a9398-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.png

圖(1.1) 輸入特性的中的圖解分析

Q1和Q2靜態(tài)工作點以下,輸入信號越大到越小,到Q1截至,Ui無信號,Q1又回到了靜態(tài)工作點電流。

輸入信號越小到越大,到Q2截至,Ui很小的時候(無信號),Q2又回到了靜態(tài)工作點電流。

綜上所述,輸入信號的正半周主要是Q1管發(fā)射極驅(qū)動負載,負半周主要是Q2管發(fā)射極驅(qū)動負載,而且兩管的導通時間都比輸入信號的半個周期要長,即在輸入電壓很小的時候,兩只管子同時導通,因而他們工作在甲乙類狀態(tài)。

值得注意的是,若靜態(tài)工作點失調(diào),例如R6、D1、D2、R7中的任意一個元器件虛焊,則從12V經(jīng)過R5、Q1管的發(fā)射結(jié),R9R10,Q2的發(fā)射結(jié)到R8到GND形成一條通路,有較大的基極電流Ib1和Ib2流過,從而導致Q1和Q2有很大的集電極電流Ic1和Ic2,且每只管子的最大管壓降VCE都約等于12V,以至于Q1和Q2管可能因為功耗過大而損壞。因此,R9和R10的作用就非常重要了,可以分擔Q1Q2 的VCE的壓降。

02OCL電路的的輸出功率及效率

功率放大電路最重要的技術(shù)指標是電路的最大輸出功率Pom及效率η ( 伊塔)。為了求解Pom,需首先求出負載上能夠得到的最大輸出電壓幅值。當輸入電壓足夠大,且有不產(chǎn)生飽和失真時,電路的分析如圖3.2所示。

圖中的I區(qū)為Q1的輸出特性,II區(qū)為Q2的輸出特性。因兩只管子的靜態(tài)電流很小,所以可以認為靜態(tài)工作點在橫軸上,如上圖所標注的,因而最大輸出電壓幅值等于電源電壓減去晶體管的飽和壓降,即(Vcc-Vces1)。

實際上,即使不畫出圖形,也能得到同樣的結(jié)論。可以想象,在正旋波的正半周,Ui從0逐漸增大,輸出電壓也隨之逐漸增大,Q1管的CE管壓降必然逐漸減小,當管壓降下降到飽和壓降時,輸出電壓達到最大值,其值為(Vcc-Vces1),因此最大不失真輸出電壓的有效值:

Uom=(Vcc-Vces1)/dee74d7c-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.jpg,假設(shè)三極管參數(shù)等一樣,飽和壓降也一樣,即Vces1=-Vces2=Vces。

最大輸出功率:Pom=Uom^2/R=(Vcc-Vces)^2/2RL+2R9 或R10 一個周期內(nèi)回路阻抗2RL+2R9

在忽略基極回路電流的情況下,電源Vcc提供的電流:

Ic=(Vcc-Vces)/RLsinwt

電源在負載獲得最大交流功率時,所消耗的的平均功率等于平均電流于電源電壓之積,

Pv=1/Πdee74d7c-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.jpg(Vcc-Vces)/RLsinwt*Vcc dwt=2/Π*Vcc(Vcc-Vces)/RL

整理后得到,轉(zhuǎn)換效率

η。=Pom/Pv=Π/4*(Vcc-Vces)/Vcc

在理想情況下,即飽和管的壓降可忽略不計,R9和R10比較小忽略不計(Q1和Q2射極負反饋電阻),的情況下

Pom=Uom^2/RL=Vcc^2/2RL

Pv=2/Π*Vcc^2/RL

η。=Pom/Pv=Π/4=78.5%

這里應當注意,大功率飽和管壓降為2-3v,因而一般情況下不能忽略飽和管的壓降,即不能用上面的三個式子。

03OCL電路中晶體管的選擇

在功率放大電路中,應根據(jù)晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來選擇晶體管。

1、最大的管壓降

從OCL電路工作原理的分析可知,兩只功放管中Q1和Q2處于截至狀態(tài)的管子將承受較大的管壓降。假設(shè)輸入電壓Ui為正半周,Q1導通,Q2截至,當Ui從0開始增加到峰值時,Q1和Q2管的發(fā)射極電位Ve逐漸增加到(VCC-Vces1),因為Q2管的管壓降Vec2的數(shù)值 Vec2=(Ve-0)=Ve,Vce2max=Vcc-Vces1,由于Ie平均電流比較小,R9R10阻值比較小,所以先忽略這兩個電阻產(chǎn)生的壓降。。利用同樣的分析方法去分析,可得:

當Ui為下半周值時,Q1管承受最大的管壓降,數(shù)值為VCC-Vces2.所以考慮要預留一定的余量,管子承受最大的壓降為/Vcemax/=Vcc。

2、集電極最大電流

從電路最大輸出功率的分析可知,晶體管的發(fā)射極電流等于負載電流,負載電阻上的的最大電壓為Vcc-Vces1,故集電極電流的最大值為:

Ic≈Iemax=(Vcc-Vces1)/RL

考慮留有一定余量

Icmax=Vcc/RL

3、集電極最大功率

在功率放大電路中,電源提供的功率,除了轉(zhuǎn)換輸出功率外,其余部分主要消耗在功率管Q1和Q2上,可以認為晶體管所損耗的功率Pq=Pv-Po。當激勵信號輸入電壓為2.5v時,即輸出功率最小時,由于集電極電流非常小,使管子的損耗很小;當輸入電壓最大時,即輸出功率最大,由于管子壓降很小,使管子的損耗也很小;可見,管耗最大既不會發(fā)生在電壓電壓最小時,也不會發(fā)生在輸入電壓最大時。下面列出了晶體管的集電極功耗Pq與輸出電壓峰值Vom的關(guān)系,然后對Vom求管壓降和集電極電流瞬時值的表達式:

Vce=(Vcc-Vomsinwt),Ic=Vom/R

df742d14-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.png

L*sinwt

功耗Pq為功放管Q1和Q2管所損耗的平均功率,所以每只晶體管的集電極功耗表達式為:

瞬時最大的管壓降*瞬時的電流 再求平均

Pq=1/2Πdee74d7c-3790-11ec-82a8-dac502259ad0.jpg(Vcc-Vomsin wt)*Vom/RL*sin wt*dwt

=1/RL(Vcc*Vom/Π-Vom^2/4)

假設(shè)dPq/dVom=0,可以求得,Vom=2/Π*Vcc≈0.6Vcc。

以上分析表明,當Vom≈0.6Vcc時,Pq=Pqmax。 將Uom代入Pq==1/RL(VccVom/Π-Vom^2/4)

Pqmax=Vcc^2/Π^2RL

當Vces=0時,根據(jù)Pom=Vom^2/RL=Vcc^2/2RL

Pqmax=2*Pom/Π^2≈0.2Pom/Uces=0

可見,晶體管集電極最大功耗僅為理想(飽和壓降為0)時最大輸出功率的五分之一。

查詢手冊選擇晶體管時,應使用極限參數(shù)

Vbrceo》Vcc

Icm》Vcc/RL

Pcm》0.2Pom/Vces=0, Pcm集電極功耗

這里仍需要強調(diào)的,在選擇晶體管時,其極限參數(shù),特別是Pcm應留一定的余量,并且嚴格按照手冊PCBlayout或安裝散熱片。

責任編輯:haq

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