于近日舉辦的英飛凌CoolGaN IPS第三代寬禁帶（WBG）功率半導體媒體溝通會上，英飛凌展示并介紹了面向30W至500W功率級應用的這一系列新品。英飛凌電源與傳感系統事業部大中華區副總裁陳志豪和電源與傳感系統事業部應用市場經理盧柱強對新品做了詳細介紹和解答。

陳志豪對英飛凌的在國內的營運現狀進行了簡介，英飛凌在大中華區的業務不斷拓展，從成立上海辦公室，到無錫擴廠，隨后在北京成立分公司，之后又在無錫第二次擴廠。今年3月，英飛凌還在深圳成立了智能應用能力中心。在完成收購賽普拉斯半導體之后，英飛凌已成為全球十大半導體供應商之一。

盧柱強隨后對氮化鎵和英飛凌在這一材料上的創新作了簡述，目前充電器的技術和市場趨勢主要分為大功率、小尺寸、通用性和低成本四個方面。在英飛凌和賽普拉斯合并之后，英飛凌得以在充電器設計上為客戶提供一站式的解決方案。

英飛凌已經在18W-100W的功率范圍內為客戶提供了理想的解決方案，包括高性價比和高功率密度的方案。而氮化鎵降低耗電和總系統成本，并提高工作頻率、功率密度和系統整體效率的優勢，使得這一寬禁帶半導體材料愈發受到充電器市場和廠商的重視。

比如在電源應用中，氮化鎵可以減少開關損耗，尤其是高頻開關。這一優勢要歸結于其FOM RDS(on)×Qg只有硅器件的6%，可以顯著減少驅動損耗。

自2018來了起，英飛凌的氮化鎵開關管產品就已經實現量產，在通信與服務器領域為客戶提供電源支持。2021年英飛凌推出了新品CoolGaN IPS系列，IPS的全名為集成功率級，即在GaN的開關管的基礎上把驅動IC集成在一個封裝內。

英飛凌600 V CoolGaNTM 半橋式 IPS IGI60F1414A1L適合低功率至中功率范圍、小型輕量化的設計應用。該產品采用了8x8 QFN-28的封裝，針對散熱效能進行強化，可為系統提供極高的功率密度。IPS IGI60F1414A1L還集成了兩個 140 mΩ / 600 V CoolGaN 增強型 （e-mode） HEMT 開關以及英飛凌 EiceDRIVER?系列中的電氣隔離專用高低側柵極驅動器。

系統級封裝集成和柵極驅動器具備的高精度和穩定的傳輸延遲，可讓IGI60F1414A1L提供最低的系統死區時間。 這將有助于系統效率極大化，使充電器和適配器解決方案的功率密度提升至更高水平，達到35 W/in3。

盡管氮化鎵在高頻下性能更好，但頻率越高震蕩越大，越容易損壞，所以英飛凌將驅動IC和開關器件集中起來，放到一個封裝內，減少外部與相互的干擾，提高其可靠性，也易于工程師設計。而外圍器件的減少，也相應減少了PCB面積。目前CoolGaN IPS的主要封裝是8x8，未來英飛凌會提供更多的封裝類型供客戶選用。

盧柱強繼續解釋道，氮化鎵一定是往高頻跑的，工程師都在想辦法往高頻推，頻率高了之后，尖鋒或者是dv/dt會是一個很大挑戰，這時候我們集成Driver以后依然留了一部分的便利性給工程師，我們會把門極驅動和Driver輸出的驅動信號之間拉出來，把這個R/C/D網絡留給工程師，根據他的實際線路來做配置，根據你具體的設計來進行優化。這里會給大家帶來很大的便利和可靠性的優化。

在問及全氮化鎵的方案什么時候能夠普及時，盧柱強回答到：“從產品層面來看，英飛凌已經具備了全氮化鎵方案，也就是包括原邊的高壓氮化鎵，和復變同步整流的100V的氮化鎵，我們這方面的方案也已經在跟客戶合作，也就意味著這個從技術方向來看是可以做的，至于什么時候流行還是要看市場，因為這個市場變得太快，但是我們從器件的廠家來看，會配合市場的發展方向來提供產品。”

針對氮化鎵的良率和成本問題，陳志豪表示：“以英飛凌這么多年在功率器件的生產工藝技術來看，我們生產的良率是非常高的。良率還牽扯到可靠性，你要提供給客戶到哪個可靠性的產品，這都是決定良率的關鍵因素。我們觀察過去20多年來硅的趨勢，20多年前硅在剛推出的時候，跟氮化鎵的現狀很像，它的單價很高。我們的客戶也希望推動碳化硅和氮化鎵發展，原因是當它的使用量提高之后，它的成本自然就壓下來了，這是一個最關鍵的因素。當然英飛凌一定會在這兩者找到最佳的平衡點。”