在電壓型變頻器驅(qū)動電機時會發(fā)生一些寄生高頻現(xiàn)象,其取決于電機系統(tǒng)本身的整體條件。由于逆變器du/dt變化,在導(dǎo)線末端會產(chǎn)生高頻電流,它會流經(jīng)軸承和所涉及到的組件。
在電機中產(chǎn)生的軸電流可以分成三種:EDM火花引起的電流(EMD current),循環(huán)電流(Circulation current)和轉(zhuǎn)子對地電流(Rotor ground current),參見圖1,圖11和圖12。
循環(huán)電流和轉(zhuǎn)子對地電流是高頻電流,電流主要流經(jīng)繞組對定子/外殼的寄生電容Cws。EDM電流產(chǎn)生是由于逆變器的共模電壓在電機軸承上產(chǎn)生一個寄生電壓降,當(dāng)軸承潤滑脂中的擊穿場強超過一定值時就會引起EDM電弧放電。這些現(xiàn)象都會導(dǎo)致軸承內(nèi)壁產(chǎn)生搓板式的條紋,繼而在電機運行中產(chǎn)生巨大噪音,并可能導(dǎo)致軸承出現(xiàn)不可預(yù)測的故障。
在實際應(yīng)用過程中我們可以通過使用降低逆變器開關(guān)器件IGBT的du/dt,采用絕緣軸承,加裝逆變器輸出共模扼流圈和對電機轉(zhuǎn)子通過碳刷接地來大大降低這些流經(jīng)軸承高頻電流,但是經(jīng)由共模電壓引起的軸承潤滑脂絕緣失效的放電很難得到控制。
圖1.軸電流分布
電機軸電流對軸承的典型損壞
電機軸電流的危害是明顯的,甚至有可能燒毀軸承,所以在設(shè)計變流器和電機系統(tǒng)時需要特別考慮,老師詳細(xì)講解的共模電壓的問題,也提出了du/dt等參數(shù)的影響。
典型的損壞有以下三種
潤滑脂變化
磨毛軸承軌道
搓板式電弧條紋
由逆變器共模電壓導(dǎo)致的EDM電弧電流
我們可以通過電機的寄生電容網(wǎng)絡(luò)CWR,Crs,Cb和逆變器共模電壓UCM算出電機軸承上的電壓Ub:
圖5.軸寄生參數(shù)模型
在實驗中發(fā)現(xiàn)一旦軸承上的電壓(紅色)不能跟隨逆變器的共模電壓(黑色)時,代表著絕緣失效,在軸承上產(chǎn)生了電火花放電,繼而進一步也會產(chǎn)生高頻循環(huán)漏電流。
圖6.軸電壓電流測試
兩電平和三電平共模電壓值
共模電壓和寄生電容是產(chǎn)生軸電壓的原因,老師詳細(xì)分析了兩電平和三電平共模電壓值。
三相共模電壓可以通過三相線電壓之和除以3得到。在空間矢量調(diào)制方式下,兩電平8種開關(guān)狀態(tài)中會出現(xiàn)2種共模電壓±1/2Uzk,±1/6Uzk;在三電平27種開關(guān)時理論上會有4種電壓0,±1/2Uzk,±1/3Uzk,±1/6Uzk,但實際使用很少出現(xiàn)±1/2Uzk的情況,參見圖8。
為了分析軸電流,我們定義了TCM和Ts
圖7.波形中主要參數(shù)定義
圖8
圖9表示了在不同調(diào)制比兩電平和三電平各種共模電壓所占的占空比對比。從中我們可以發(fā)現(xiàn):
調(diào)制系數(shù)與共模分量
在較低調(diào)制比下兩電平的1/2Uzk的占比很高,并隨著調(diào)制比上升降低,在高調(diào)制比下取而代之的是1/6Uzk的共模分量占主導(dǎo)。
對比之下三電平在低調(diào)制比下有更少的共模電壓,0電平在低調(diào)制比下占主導(dǎo),1/3Uzk已經(jīng)1/6Uzk分量也出現(xiàn)的很少。隨著轉(zhuǎn)速的升高三電平和兩電平的特性會趨于相同。
圖9
在實際實驗中我們可以對比發(fā)現(xiàn)在三電平拓?fù)湓诘娃D(zhuǎn)速下軸電流發(fā)生的次數(shù)明顯比兩電平少,對應(yīng)的在低轉(zhuǎn)速下二電平主導(dǎo)有Uzk/2的共模電壓,三電平只有少量的六分之一Uzk和三分之Uzk共模電壓。隨著轉(zhuǎn)速升高兩電平和三電平都被六分之一Uzk共模電壓主導(dǎo),軸電流發(fā)生的情況也趨于相同。
圖10.軸電流發(fā)生的頻度
du/dt的控制
電壓型逆變器是軸電流產(chǎn)生的根源,表1很好歸納了母線電壓,IGBT的開關(guān)頻率和du/dt對各參數(shù)的影響。母線電壓Uzk的升高會抬高共模電壓進而增加三種軸電流的產(chǎn)生。增大du/dt對EDM電流沒有直接影響,它會增加循環(huán)電流(Zirkular)和轉(zhuǎn)子對地電流(Rotor-Erd)。
表1
圖11.循環(huán)電流(Zirkular)
圖12.轉(zhuǎn)子對地電流(Rotor-Erd)
在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,母線電壓,IGBT的開關(guān)頻率是設(shè)計參數(shù),一般不會隨意改變,而du/dt與開關(guān)器件的動態(tài)特性有關(guān),可以得以優(yōu)化。
IGBT的du/dt與柵極驅(qū)動電阻,結(jié)溫和開通電流有關(guān),低溫小電流時du/dt更高。要降低du/dt可以用大的驅(qū)動?xùn)艠O電阻,但會犧牲動態(tài)損耗。對于電機驅(qū)動用IGBT,其動態(tài)特性可以在du/dt=5kV/us附近優(yōu)化,使得這時的開通損耗Eon比較小。譬如英飛凌的IGBT7。(相關(guān)內(nèi)容請回顧應(yīng)用指南 | IGBT7的dv/dt可控性)
總結(jié)
電機產(chǎn)生軸電流的原因有三種,我們也有很多應(yīng)對的方式。其中我們發(fā)現(xiàn)逆變器拓?fù)涞倪x擇也會影響到電機的軸電流,使用三電平逆變器拓?fù)湓诘退傧聲欢ǔ潭壬辖档湍孀兤鞴材k妷涸谳S承中發(fā)生軸電流的次數(shù)。此外我們還可以通過優(yōu)化逆變器中IGBT的du/dt來減小軸電流,從而達到延長電機使用壽命的目的。
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