DRAM廠商長鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司，融資價(jià)款達(dá)到156.50億元。

根據(jù)兆易創(chuàng)新公告，長鑫存儲(chǔ)是睿力集成的全資子公司，也是目前國內(nèi)唯一量產(chǎn)國產(chǎn)DRAM內(nèi)存的廠商，其第一大股東石溪集電的執(zhí)行事務(wù)合伙人為石溪長鑫,石溪長鑫的實(shí)際控制人即兆易創(chuàng)新實(shí)控人朱一明。

自研內(nèi)存芯片項(xiàng)目獲資金支持

中國的存儲(chǔ)制造在過去一年取得突破性進(jìn)展。NAND Flash方面，4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功。 長鑫存儲(chǔ)主攻DRAM，今年2月，長鑫存儲(chǔ)宣布研發(fā)出DDR4及LPDDR4X兩種存儲(chǔ)器，采用19納米制程，這也是我國第1顆自研DRAM芯片。5月，多款搭載長鑫存儲(chǔ)10納米級(jí)DDR4芯片的內(nèi)存條上市，真正掀開國產(chǎn)內(nèi)存新篇章。

長鑫存儲(chǔ)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。資料顯示，長鑫存儲(chǔ)集成電路制造基地項(xiàng)目總投資超過2200億元，其中，長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目也是中國大陸第一個(gè)投入量產(chǎn)的DRAM設(shè)計(jì)制造一體化項(xiàng)目。

此輪融資中，大基金二期、安徽省國資旗下三重一創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金各自向睿力集成投資50億元，老股東、合肥國資注資成立的長鑫集成投資8.5億元，小米長江產(chǎn)業(yè)基金在內(nèi)的12家跟進(jìn)投資人總共投資40億元，合肥集鑫企業(yè)管理合伙企業(yè)投資5億元，兆易創(chuàng)新進(jìn)行3億元可轉(zhuǎn)股債券投資。 本次增資完成后，兆易創(chuàng)新將持有睿力集成約0.85%股權(quán)。在業(yè)務(wù)合作層面，公司與睿力集成全資子公司長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司簽署了《框架采購協(xié)議》、《代工服務(wù)協(xié)議》、《產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)平臺(tái)合作協(xié)議》及與此相關(guān)的補(bǔ)充協(xié)議，將與長鑫存儲(chǔ)在產(chǎn)品代銷、代工服務(wù)、產(chǎn)品聯(lián)合開發(fā)層面開展業(yè)務(wù)合作。 針對(duì)此次大基金二期入股，有業(yè)內(nèi)人士評(píng)論，長鑫存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化預(yù)計(jì)會(huì)進(jìn)入快速發(fā)展階段。

沖擊全球第四大DRAM廠商，長鑫存儲(chǔ)還有這些助力

根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的2020年二季度全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，三星、SK海力士、美光這前三家DRAM大廠占據(jù)了全球市場(chǎng)約95%的份額。

集邦咨詢分析師預(yù)估，明年四季度長鑫存儲(chǔ)的投片量將增長到8.5萬片/月，并超過南亞科技成為全球第四大DRAM廠商。目前長鑫存儲(chǔ)DRAM工藝以19nm工藝為主，有望在明年年中將更新一代的17nm工藝導(dǎo)入量產(chǎn)階段。展露頭角后，不管是在產(chǎn)能還是技術(shù)方面，長鑫存儲(chǔ)都有望提升其在高度集中的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)內(nèi)的影響力。 除了自主研發(fā)，長鑫存儲(chǔ)一直借助收購的方式提升技術(shù)。2019年12月，長鑫存儲(chǔ)和加拿大公司W(wǎng)i-LANInc.。這家從英飛凌手上收購大筆奇夢(mèng)達(dá)專利的公司達(dá)成協(xié)議，長鑫獲得了1000多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)依據(jù)專利許可協(xié)議。 今年4月，據(jù)長鑫存儲(chǔ)微信公眾號(hào)消息，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國半導(dǎo)體公司Rambus簽署了專利許可協(xié)議。

依據(jù)此協(xié)議，長鑫存儲(chǔ)從Rambus獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策不斷加碼，并提出重點(diǎn)補(bǔ)齊短板的訴求。當(dāng)前圍繞內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)的政策支持，也在為國內(nèi)首個(gè)自研內(nèi)存芯片項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)進(jìn)程增添助力。 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項(xiàng)簽約儀式在湖州舉行。

其中，長三角地區(qū)擬支持長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目建設(shè)，提升長三角地區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)競爭力。長鑫12英寸存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目業(yè)務(wù)合作協(xié)議，由長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司、蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約。

7月初，安徽省發(fā)布《重點(diǎn)領(lǐng)域補(bǔ)短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件，希望2-3年內(nèi)解決一些關(guān)鍵技術(shù)瓶，即指向長鑫存儲(chǔ)的芯片項(xiàng)目。 在內(nèi)存技術(shù)方面，方案要求推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，面向中高端移動(dòng)、平板及消費(fèi)類產(chǎn)品DRAM存儲(chǔ)芯片自主可控需求，研發(fā)先進(jìn)低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化等。

來源：全球半導(dǎo)體觀察 集邦咨詢

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