據報道，市調機構Yole Developpement的報告顯示，雖然存儲市場具有季節和周期性波動的特性，但全球NAND存儲市場規模仍會呈增長態勢，預計2019-2025年該市場規模年復合增長率為11%，將從2019年的440億美元增長至2025年的810億美元。

與此同時，3D NAND存儲晶圓制造設備市場規模也會同步增長，據Yole預估，該市場規模將會由2019的102億美元增長至2025年的175億美元，年復合增長率達到9%。

就設備廠商而言，阿斯麥（ASML）、應材（Applied Materials）、東京威力科創（Tokyo Electron）和科林研發（Lam Research）為前四大3D NAND存儲晶圓制造設備廠商，合計共占70%以上市場。

其中ASML為微影設備領域領導廠商。科林研發除了是蝕刻設備領導者外，也在積極拓展化學氣相沉積（CVD）與原子層沉積（ALD）設備市場。目前科林研發、應材、東京威力科創在CVD、ALD、物理氣相沉積（PVD），以及蝕刻設備等市場中競爭激烈。

另外，該報道指出，雖然各存儲制造廠商在提高3D NAND層數和整體晶粒儲存密度上會有各自不同策略，但大致可區分為串堆疊（string stacking）、儲存單元架構（cell architecture），與邏輯電路設計等3個重點范疇。
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