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前言：PCIExpress base和CardElectro Mechanical（CEM）規范定義了用于桌面/服務器PCIe通道的拓撲結構。典型的通道包括Root Complex（CPU），Baseboard（主板），CEM連接器，Add-in Card（AIC）和Non-root complex（GPU / SSD / NIC）。交流耦合電容放置在靠近發射器的TX通道上。

PCIe Gen5相關規范預計將于2019年完成。數據速率從16 GT/s增加到32GT/s。該通道最多可包含2個CEM連接器，并且在母板和AIC上具有與Gen4類似的走線長度。(小于4 inch)

PCIE5.0 大致拓撲結構

本文討論了Gen5的新性能要求，并描述了在連接器和AIC上實現這些要求的關鍵設計因素，上一代Gen4的設計要求簡列如下：

1.使用更高等級的PCB材料，例如Megtron 6、 Megtron 7、IT-988G-SE材料需要多和加工廠溝通，其他要求可能具有挑戰性，如無鹵素、耐高溫、超大板要求。

2.必須保持CEM連接器的向后代的兼容性，同時提高其性能。

要使用以前的PCIeCard，CEM連接器的外部外殼尺寸必須保持不變。可以修改連接器的內部尺寸以實現所需的損耗和串擾預算，但仍必須保持與舊AIC的兼容性。在連接器內部，我們可以改變觸點的幾何形狀，以實現更好的插入損耗（IL）和回波損耗（RL），同時保持相同的形狀因子以保持向后兼容性。這改善了配合接口區域的阻抗，同時將串擾提高到-40dB以下的水平。我們還可以在設計中添加有損塑料材料，以抑制不需要的接地模式共振。

PCIe4 和PCIe 5 CEM連接器阻抗比對（Amphenol）

3.關于走線和VIA

對于AIC設計人員來說，第一個要問的關鍵問題是，“我們可以繼續使用Gen5 PCB的微帶走線技術嗎？”雖然Gen4中的大多數基板已經使用帶狀線，但典型的AIC仍然使用微帶來實現更簡單的布線，通常短于4inch，性能可接受。由于所有球柵陣列（BGA）焊盤，金手指和背面安裝的交流耦合電容都在表面層上，因此微帶線選擇可最大限度地減少通孔數量。歷史上，微帶通常表現出比帶狀線更低的損耗，因為通常使用更寬的線寬來保持85歐姆的阻抗。然而，對于Gen5速度，微帶線具有與帶狀線相當的損耗，并且在阻抗控制，銅表面粗糙度，遠端串擾和模式轉換方面比帶狀線差得多。微帶線對大批量生產（HVM），溫度和濕度變化也更敏感。相比之下，帶狀線需要更多的過孔用于層過渡，并且可能需要通過back drill減少stub。造成布線通道狹窄，這可能需要增加PCB層數。

4.對于差分線阻抗公差控制，要求最好在+-5%，保證PCB阻抗平滑。

綜上所述：對于每個產品系列，所有這些因素之間的權衡導致不同的設計選擇。Gen5的回損目標也很難實現。通常，金手指和連接器接觸處造成了阻抗不匹配。為了解決這個問題，我們建議改進引入線的形狀和尺寸，以更好地保持阻抗并優化回波損耗，從而優化整體通道性能。

Gen5的新增設計規則分享如下：

1.CEM連接器處的優化設計，如下圖是2中fanout的方式

2種CEM連接器的出線方式

藍色線顯示原始結構的串擾，其中不包括額外的通孔。紅色線顯示了通過添加接地通孔可以實現的實質性改進，每個pin腳接另一端地，接地通孔用于改善接回流地路徑的整體完整性。

2.Add-in Card (AIC) 金手指部分尺寸的設計

PCIe 4 和PCIe 5AIC Card 尺寸比對

（Amphenol）

PCIe 4 和PCIe 5 AIC Card 內部尺寸比對

（Amphenol）

為了保持向后兼容性，根據PCIe Gen5規范，金邊指的前邊緣距離插卡邊緣依然是5.6 mm。連接區域與較舊的Gen4版本相同。 PCIe Gen4和Gen5的AIC形狀因子分別如上圖所示

為了減少NEXT，在PCIe Gen5附加卡的邊緣指區域下方增加了20.5mil的內部接地層。內部接地層位于PCB內部深處，并且不延伸到邊緣手指處。

3. 金手指部分焊盤的設計

PCIe4 和PCIe 5 AIC Card 焊盤尺寸比對

對比Gen4和Gen5之間的AIC焊盤尺寸。 PCIe Gen5焊盤尺寸為3.91x0.7 mm（上圖中所示的黃色焊盤），PCIe Gen5的接觸焊盤已減小到3.0x0.6 mm（圖中所示的黑色焊盤）。更改接觸墊尺寸可將擦拭距離從2.5mm（PCIe Gen4 SMT）減小到1.6 mm（PCIe Gen5 SMT），滿足建議的最小擦拭距離1.43 mm且有足夠的緩沖。根據PCB制造商的意見，只要尺寸公差不低于+/- 0.038 mm，手指尺寸的減小就不會產生任何成本影響。這種公差可由頂級PCB供應商維護。