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中國移動集采700M天線!華為5G基站芯片儲備充足!

工程師 ? 來源:濾波器 ? 作者:濾波器 ? 2020-10-19 11:40 ? 次閱讀

1. 中國移動集采700M天線!

10月13日消息,中國移動集團浙江公司日前啟動2020年700M多頻天線采購項目。共5000套,其中“4+4+8+8”900/1800/FA/D獨立電調智能天線(非標產品)2600套,“4+4”900/1800雙頻電調天線(非標產品)2400套。

據悉,該采購項目劃分1個標包,中標2名,第一名中標份額70%、第二名中標份額30%。

2. 外媒:華為5G基站所用芯片儲備充足,零部件去美化明顯

10月14日消息,據外媒最新報道稱,雖然禁令已經執行,但華為5G基站受影響并不是很大,因為其所需的芯片儲備充足,可支持其未來數年的經營發展。

報道中提到,華為去年就開始為其B2B業務做半導體儲備工作,相較于智能機所用的麒麟芯片,基站芯片所需的生產周期更長,而相較于企業級、運營商業務的影響,華為智能手機業務是這次禁令升級后最慘的領域,遭遇了最嚴重的芯片斷供。

對于這樣的消息,之前華為方面也曾表示,目前To B業務(基站等)芯片的儲備還比較充分。

此外,外媒還拆解并分析了華為的最新5G基站中被稱為基帶的核心裝置,結果發現在基站的1320美元估算成本中,中國企業設計的零部件比例約為48%,其中四分之一是華為委托臺積電(TSMC)生產的被稱為中央處理器的半導體。

華為基站美國零部件的使用比例達到了 27.2%。其中 “FPGA”半導體為美國萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)和賽靈思(Xilinx)公司的產品。對基站不可缺少的電源進行控制的半導體是美國德州儀器TI)和安森美半導體(ON Semiconductor)等的產品。

韓國零部件的使用數量僅次于美國,內存由三星電子制造,日本企業的零部件只有 TDK 和精工愛普生等的產品。

據上游供應鏈的消息,從今年6月份開始,華為就已經開始對相應核心產品進行了重新設計,主要是核心元器件去美化,不過這主要在5G基站等品類中,由于智能手機涉及的元器件過多,所以華為還沒有辦法完全撇開美廠商。

據悉,華為已經啟動代號“南泥灣”的新項目,意在規避含有美國技術的產品,同時加速推進筆記本、智慧屏業務。華為以“南泥灣”的名義啟動新項目,自然是要通過“自力更生、艱苦奮斗”,“在困境期間,希望實現自給自足”。

隨著打擊力度不斷加強,華為方面的態度也越發明確,將全方位扎根,突破物理學材料學的基礎研究和精密制造。在終端器件方面,比如顯示模組、攝像頭模組、5G器件等方面,華為正大力加大材料與核心技術的投入,實現新材料+新工藝緊密聯動,突破制約創新的瓶頸。

3. 中芯 國際“N+1”工藝:全球首發!成功流片!

今天(10月11日),中國領先的一站式IP和定制芯片領軍企業芯動科技(INNOSILICON)官宣:已完成了全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過,這是過去數月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

“N+1”是中芯國際對其第二代先進工藝的代號,其與現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%, 也被稱為“國產版”的7nm芯片技術

芯動科技持續聚焦全球先進工藝芯片IP和定制,擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術,多次在先進工藝上填補國內空白,核心技術支持了全球客戶數十億顆高端SOC量產。

自2019年始,芯動在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下,團隊全程攻堅克難,投入數千萬元設計優化,率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片經過數月多輪測試迭代,助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。

芯動科技與全球知名代工廠已有多年國產IP生態共建的合作, 為大量國內和全球客戶實現從成熟工藝(55nm、40nm、28nm、22nm等)到先進工藝(如FinFET 14nm、12nm、7nm等)的不斷跨越,在各先進工藝中規模IP授權和定制批量生產高端SOC,包括GDDR6/Chiplet/Serdes等先進技術規模量產,連續多年獲得中芯國際“最佳IP合作伙伴”獎。

如今,芯動科技基于國產N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗證成功, 為國產半導體生態鏈再立新功。

來源:濾波器

責任編輯:haq

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