早于上世紀(jì)九十年代初,有意見認(rèn)為電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD) 日漸式微,最終將成為“科技恐龍”。如果用索尼公司(Sony) 2015年的發(fā)布來看待,這個(gè)預(yù)言好像也有點(diǎn)道理:當(dāng)時(shí)索尼公司正式發(fā)布終止量產(chǎn)CCD 時(shí)間表,并開始接收最后訂單。雖然多年前業(yè)界已預(yù)計(jì)這是遲早出現(xiàn)的舉措,但是索尼這一發(fā)布仍然震驚了專業(yè)成像社群[2]。值得一提的是很多工業(yè)或?qū)I(yè)應(yīng)用(就是CMOS 圖像傳感器 (CIS) 的重點(diǎn)市場(chǎng))到現(xiàn)在仍然基于CCD傳感器技術(shù)。
到底CCD有什么特點(diǎn)優(yōu)于CIS,使其更具吸引力呢?在發(fā)展初期,CCD和CIS兩種技術(shù)是共存的;后來CCD被視為能夠滿足嚴(yán)格圖像質(zhì)量要求的高階技術(shù),而同時(shí)期的CMOS技術(shù)仍然未成熟并受制于其固有噪聲和像素復(fù)雜性等問題。在這一時(shí)期,圖像技術(shù)仍然以模擬結(jié)構(gòu)為主,而集成圖像處理功能(系統(tǒng)級(jí)芯片SOC) 這一意念還沒有被認(rèn)真考量。基于摩爾定律,技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮小使得SOC技術(shù)從2000年起快速擴(kuò)展并更具競(jìng)爭(zhēng)力。現(xiàn)在CIS繼續(xù)致力改進(jìn)光電性能,在很多方面都顯得比CCD優(yōu)勝。如果利用文首提到的“進(jìn)化論”譬喻,其實(shí)可以把CIS視作抵過多次自然災(zāi)害仍然存活的哺乳類動(dòng)物,而這個(gè)進(jìn)化歷史更是跨越6500萬年的史詩式故事!
CCD的工作原理是將光子信號(hào)轉(zhuǎn)換成電子包并順序傳送到一個(gè)共同輸出結(jié)構(gòu),然后把電荷轉(zhuǎn)換成電壓。接著這些信號(hào)會(huì)送到緩沖器并存儲(chǔ)到芯片外。在CCD應(yīng)用中,大部分功能都是在相機(jī)的電路板上進(jìn)行的。當(dāng)應(yīng)用需要修改時(shí),設(shè)計(jì)人員可以改動(dòng)電路而無需重新設(shè)計(jì)圖像芯片。在CMOS圖像傳感器中,電荷轉(zhuǎn)換成電壓的工作是在每一像素上進(jìn)行。CMOS圖像芯片在像素級(jí)把電荷轉(zhuǎn)換成電壓,而大部分的功能則集成進(jìn)芯片。這樣所有功能可通過單一電源工作,并能夠?qū)崿F(xiàn)依照感興趣區(qū)域或是開窗靈活讀出圖像。
一般來說,CCD採用NMOS技術(shù),因而能夠通過如雙層多晶硅、 抗暈(antiblooming)、金屬屏蔽和特定起始物料互相覆蓋等特定工藝實(shí)現(xiàn)性能。而CMOS是基于用于數(shù)字集成電路的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝技術(shù)生產(chǎn),再根據(jù)客戶要求加入成像功能(如嵌入式光電二極管) 。
一般的見解是CMOS傳感器的生產(chǎn)成本比CCD低,因而它的效能也較CCD低。這個(gè)假設(shè)是基于市場(chǎng)需求的考量而出的,但是其它專業(yè)市場(chǎng)的意見卻認(rèn)為兩者的技術(shù)水平相若,而CCD甚至可能更經(jīng)濟(jì)[3]。例如大型主要的航天計(jì)劃仍然採用CCD元件,原因不單是CCD在小批量和低成本的考量下在工藝級(jí)實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)化,還有是長(zhǎng)期穩(wěn)定供貨的需求考量。同樣地,基于高端CCD的解決方案在科學(xué)成像市場(chǎng)也有主流占有率,而且還有一些新產(chǎn)品在開發(fā)階段。情況就是恐龍進(jìn)化成飛鳥,而它們大部分都能夠提供優(yōu)秀的成像功能……
CMOS的擁有經(jīng)改進(jìn)的系統(tǒng)復(fù)雜性,因?yàn)樗旧鲜乔度肓巳缒?shù)轉(zhuǎn)換、相關(guān)雙采樣(CDS)、時(shí)鐘生成、穩(wěn)壓器等系統(tǒng)級(jí)芯片(System-On-Chip,SOC)結(jié)構(gòu),或是影像后處理等功能,而這些以前都是應(yīng)用系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)才有的功能。現(xiàn)在的CIS通常是依照從180 nm到近期65 nm的1P4M (1層聚酯,4層金屬) 工藝生產(chǎn),允許像素設(shè)計(jì)加入非常高的轉(zhuǎn)換因子,便于結(jié)合列增益放大。這使得CMOS的光反饋和光敏感度一般都比CCD為佳。相較于CMOS,CCD芯片的襯底偏壓穩(wěn)定性更好且芯片上的電路更少,所以擁有更顯著的低噪優(yōu)勢(shì),甚至達(dá)到無固定模式噪聲的水平。
另一方面,CIS有較低采樣頻率,可以減小像素讀出所需要的帶寬,因而瞬時(shí)噪聲也較小。快門會(huì)同時(shí)對(duì)陣列上的所有像素進(jìn)行曝光。但是CMOS傳感器采用這一方法的話,由于每像素需要額外的晶體管,反而占用更多像素空間。
另外,CMOS每一像素?fù)碛幸粋€(gè)開環(huán)輸出放大器,而因晶圓工藝的差異,每一放大器的補(bǔ)償和增益會(huì)有所變化,使高或暗的不均勻狀況都比CCD傳感器差。相對(duì)于同級(jí)的CCD傳感器,CMOS傳感器擁有較低的功耗,而芯片上其它電路的功耗也比CCD經(jīng)優(yōu)化模擬系統(tǒng)芯片匹配的解決方案來得低。取決于供貨量并考慮到CCD導(dǎo)入外部相關(guān)電路功能的成本,CMOS的系統(tǒng)成本也有可能低于CCD。表一總結(jié)了CCD和CMOS的特點(diǎn),有些功能有利于一種或其他技術(shù),所以毋需完全分割整體性能或成本。不過,CMOS的真正優(yōu)勢(shì)是通過系統(tǒng)級(jí)芯片(system-on-chip)方式實(shí)現(xiàn)導(dǎo)入靈活性,以及其低功耗特點(diǎn)。
審核編輯黃昊宇
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CMOS圖像傳感器的制造步驟

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