近日，國家存儲器基地項目二期在武漢東湖高新區開工，據悉，國家存儲器基地的項目是由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，這項目計劃分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠。

據了解，國家存儲器基地項目一期于2016年底開工建設，目前，32層、64層存儲芯片產品已經實現了穩定的量產，并且成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片。

該項目中計分兩期建設3D?NAND閃存芯片工廠，總投資額達到240億美元。

這在之中，國家存儲器基地項目一期主要將會實現技術頭破，并且建成10萬片/月產能，二期則規劃了20萬片/月的產能，在兩期同時穩定量產之后，國家存儲器基地項目月產能將會超過30萬片/月。

存儲器是信息系統的基礎核心芯片，它能代表集成電路產業規模經濟效益和現金的制造工藝，在近年來，內存、SSD、顯卡價格數次上漲，此次，國家存儲器基地項目二期，將會有效的降低國內半導體產品的成本同時，并促進國內半導體進一步的發展。
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