保護(hù)三極管的基極
這次出現(xiàn)的問(wèn)題是使用了ULN2003,由于直接用它的輸入級(jí)接入模塊的輸入端,因此出現(xiàn)了問(wèn)題。
由于電纜上存在分布電感和分布電容,因此很容易出現(xiàn)耦合,在ISO7637的實(shí)驗(yàn)中,存在高頻脈沖250V,200ns
我們必須加入限流電阻,并且與RB和分壓,或者加入其他抗瞬態(tài)的器件,這樣的設(shè)計(jì)是非常耗成本的,因此一般可以采用分立的器件。
最好不用用晶體管的基極直接面對(duì)輸入,這回造成很大的隱患。
另外一個(gè)錯(cuò)誤很常見(jiàn),就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面,前面已經(jīng)驗(yàn)算過(guò)MCU的輸出能力:單片機(jī)IO口的驅(qū)動(dòng)能力
這很明顯的造成了晶體管Ib過(guò)大,引起過(guò)大的損耗。
因此如果遇到分立的晶體管,注意驗(yàn)證它的基極,是否直接接MCU,是否內(nèi)部含有限流電阻(Build-in),否則很可能造成過(guò)熱和損壞。
這里順便說(shuō)明一下,三極管由于有熱擊穿效應(yīng),所以建議把余量放大些,60%~75%,否則很有可能造成損壞。
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原文標(biāo)題:簡(jiǎn)析保護(hù)三極管的基極
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