隨著電子設(shè)備對(duì)硬件尺寸及空間愈加嚴(yán)苛的要求，存儲(chǔ)小型化的需求愈加強(qiáng)烈，存儲(chǔ)卡也不例外，正朝著小尺寸、大容量、高性能不斷邁進(jìn)。

存儲(chǔ)卡的應(yīng)用從最早適配相機(jī)的CF卡、SD卡，到適用于手機(jī)的Micro SD卡。Micro SD卡雖已成為外置存儲(chǔ)卡的主流，但由于需要向SD-3C組織支付6%的SD卡專利費(fèi)和CPRM專利費(fèi)，如此高成本讓很多終端產(chǎn)品廠商望而止步。與此同時(shí)，智能手機(jī)對(duì)外觀尺寸的限制和要求讓Micro SD卡槽被逐漸取締。

2018年中國(guó)手機(jī)廠商基于NANO SIM卡規(guī)格創(chuàng)新推出的中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)卡，容量從64GB到256GB，聚焦高端智能手機(jī)的擴(kuò)展存儲(chǔ)應(yīng)用。

存儲(chǔ)卡向小型化發(fā)展
創(chuàng)新推出中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)卡
代表未來(lái)的主流存儲(chǔ)卡規(guī)格

作為江波龍電子（Longsys）的高端消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌Lexar雷克沙，借助江波龍積累的產(chǎn)品及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，大力投入研發(fā)和創(chuàng)新。

今年3月2日Lexar雷克沙發(fā)布全新形態(tài)的存儲(chǔ)卡nCARD，專注于5G時(shí)代下的手機(jī)存儲(chǔ)，滿足容量和性能的多方面需求，并解決了未來(lái)手機(jī)存儲(chǔ)擴(kuò)展的n種挑戰(zhàn)。

Lexar雷克沙nCARD與MicroSD存儲(chǔ)卡相比，完全相同的尺寸下體積減小45%，可與NANO SIM卡共享卡槽。

nCARD的讀取速度高達(dá)90MB/s，寫入速度高達(dá)70MB/s，高IOPS響應(yīng)讓手機(jī)運(yùn)行更順暢，釋放設(shè)備全速性能，并提供64GB/128GB/256GB多種存儲(chǔ)容量，匹配不同的市場(chǎng)需求。

Lexar雷克沙nCARD應(yīng)用在智能手機(jī)上

江波龍電子突破技術(shù)難度，率先將長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking?的技術(shù)產(chǎn)品應(yīng)用到新一代的存儲(chǔ)卡，把長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層 3D NAND設(shè)計(jì)到Lexar雷克沙nCARD產(chǎn)品中，聯(lián)合推動(dòng)下一代存儲(chǔ)終端介質(zhì)市場(chǎng)化，共建存儲(chǔ)生態(tài)。

目前，該產(chǎn)品已通過(guò)性能、品質(zhì)測(cè)試，并已做好量產(chǎn)準(zhǔn)備。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層256Gb 封裝nCARD實(shí)際圖

長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布Xtacking? 2.0架構(gòu)的兩款128層3D NAND 產(chǎn)品，分別為：容量為1.33Tb QLC 3D NAND閃存和容量為512Gb TLC 3D NAND閃存，其中，QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優(yōu)于主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

作為業(yè)界首發(fā)的128層QLC閃存，長(zhǎng)存的新品還創(chuàng)下了三個(gè)第一：
①單位密度業(yè)界最高
②1.33Tb的單顆容量最高
③1.6G/s的I/O速度最快

長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?的技術(shù)示意圖

特別說(shuō)明，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3D NAND 512Gb同樣支持雷克沙nCARD產(chǎn)品適配尺寸。通過(guò)高堆疊16 die工藝，明年可以達(dá)到1TB的容量，具備了存儲(chǔ)終端介質(zhì)的優(yōu)勢(shì)條件。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）表示：作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking?2.0時(shí)代的到來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有決心、有實(shí)力、有能力開創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新發(fā)布的128層3D NAND 產(chǎn)品

江波龍電子董事長(zhǎng)蔡華波先生表示：相信在江波龍與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的緊密合作下，明年上半年可實(shí)現(xiàn)1TB容量的量產(chǎn)，加速手機(jī)存儲(chǔ)卡TB時(shí)代的到來(lái)。而未來(lái)在尺寸、讀寫速度、安全性等更多拓展上，我們將會(huì)帶來(lái)更多可能。江波龍電子與產(chǎn)業(yè)伙伴共同布局全新的存儲(chǔ)生態(tài)，推動(dòng)新一代存儲(chǔ)終端介質(zhì)市場(chǎng)化。

搭配nCARD卡槽和eMMC協(xié)議
可將nCARD變?yōu)?a target="_blank">嵌入式存儲(chǔ)介質(zhì)

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