芯片制程從微米級進入2納米時代,晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢?
發表于 07-08 16:28
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工藝的持續發展提供了新的方向。
根據imec的一篇最新論文,imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶體管布局,預計該布局將從A10代(1納米
發表于 06-20 10:40
晶體管,FET和IC,FET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設計,源極跟隨器電路設計,FET低頻功率放大器的設計與制作,柵極接地放大電路的設計,電流反饋型OP放大器的設計與制作,進晶體管
發表于 04-14 17:24
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發表于 12-21 11:04
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晶體管與場效應管的區別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流。
發表于 12-03 09:42
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本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優勢。 ? 我們所處的這個由永遠在線的個人電腦、平板電腦和智能手機構成的世界的誕生,要歸功于一個了不起的趨勢:金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的不斷微型化
發表于 11-27 09:04
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智能手機網絡連接速度的5000倍。典型的5G運行速度約為200Mbps,而在實際使用中,由于信號連接問題,其提供的速度往往遠低于100Mbp
發表于 10-22 16:27
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晶體管的輸出特性是描述晶體管在輸出端對外部負載的特性表現,這些特性直接關系到晶體管在各種電路中的應用效果和性能。晶體管的輸出特性受到多種因素的影響,包括輸入信號、電源電壓、溫度以及
發表于 09-24 17:59
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晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對于理解其工作原理和應用至關重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關模式。這兩種模式基于晶體管內部PN結的特性,通過控制輸入電壓或電流來實現對輸出電流的控制。下面將詳
發表于 09-13 16:40
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NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結構、工作原理、性能特點、應用場景等方面詳細闡述NMOS晶體管
發表于 09-13 14:10
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CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領域中都扮演著重要角色,但它們在結構、工作原理和應用方面存在顯著的區別。以下是對兩者區別的詳細闡述。
發表于 09-13 14:09
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晶體管時間繼電器,作為一種關鍵的電子控制元件,在現代自動化控制系統、通信系統以及工業生產中扮演著重要角色。其利用晶體管的特性實現時間延遲控制,具有結構簡單、響應速度快、工作可靠等優點。
發表于 08-23 15:43
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晶體管計算機的誕生標志著計算機技術的一個重要里程碑,它不僅推動了計算機硬件的革新,還促進了計算機軟件技術的發展。以下是對晶體管計算機誕生及其特點的詳細闡述。
發表于 08-23 15:06
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GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細,融合了多種材料和工藝,以實現高效、高頻率和高功率密度的性能。
發表于 08-15 11:01
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晶體管是一種半導體器件,廣泛應用于電子設備中。它具有三個主要的引腳:基極(B)、發射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發射極之間的電流,來控制集電極和發射極之間的電流。晶體管
發表于 07-18 18:15
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