近日，國際標準化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領域中的一項國際標準“基于測長掃描電鏡的關鍵尺寸評測方法”。

據(jù)悉，該標準是半導體線寬測量方面的首個國際標準，也是半導體檢測領域由中國主導制定的首個國際標準。由中國科學技術大學物理學院和微尺度物質(zhì)科學國家研究中心的丁澤軍團隊主導制定。

芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關鍵尺寸（CD），其大小代表了半導體制造工藝的復雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測量的精準性直接決定著器件的性能。

測長掃描電鏡（CD-SEM）是半導體工業(yè)生產(chǎn)中進行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強效應，納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準算法。

據(jù)中國科大官方消息，與傳統(tǒng)的經(jīng)驗閾值方法相比，丁澤軍團隊的測量方法能夠給出準確的CD值，并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結構形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導體刻蝕線寬的CD-SEM準確評測確定了行業(yè)標準，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。