對(duì)于國(guó)產(chǎn)軟硬件，我們從未如此期盼，幸運(yùn)的是各項(xiàng)突破也是接踵而至，現(xiàn)在我們終于有了自己的內(nèi)存。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站上，已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

據(jù)介紹，長(zhǎng)鑫DDR4內(nèi)存芯片可匹配主流市場(chǎng)需求，支持多領(lǐng)域應(yīng)用、多產(chǎn)品組合，并有充分的可靠性保障，規(guī)格方面單顆容量8Gb（1GB），頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。

長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào)，這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。

根據(jù)此前消息，這些芯片都采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造，預(yù)計(jì)到2020年底月產(chǎn)能可達(dá)4萬(wàn)片晶圓。

DDR4內(nèi)存條也是長(zhǎng)鑫自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，搭載原廠顆粒，種類齊全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM筆記本型，容量均為單條8GB，頻率2666MHz，電壓1.2V，工作溫度0℃至95℃。

LPDDR4X內(nèi)存芯片號(hào)稱匹配主流需求，兼?zhèn)涓咚俣扰c低功耗，可提供超高續(xù)航能力、超低功耗設(shè)計(jì)、穩(wěn)定流暢體驗(yàn)，規(guī)格方面單顆容量2GB、4GB，頻率3733MHz，電壓1.8V、1.1V、0.6V，工作溫度-30℃至85℃，200ball FBGA封裝。

目前，長(zhǎng)鑫已開(kāi)始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢，相信它們很快就會(huì)出現(xiàn)在市面上。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，總投資1500億元，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。

就在去年底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可，而這些專利來(lái)自Polaris 2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專利組合。

責(zé)任編輯：wv