電磁兼容性（EMC）是電子設備存在于電磁環(huán)境中而不會對該環(huán)境中的其他電子設備造成干擾或干擾的能力。

EMC通常分為兩類：

1.輻射- 電子設備發(fā)出的電磁干擾可能會對同一環(huán)境中的其他電子設備造成干擾/故障。也稱為電磁干擾（EMI）。

2.免疫/易感性- 免疫是指電子設備在電磁環(huán)境中正常運行而不會因其他電子設備發(fā)出的輻射而發(fā)生干擾/故障的能力，易感性基本上與免疫力相反，因為設備對電磁干擾的免疫力越小，它就越容易受到影響，通常抗擾度測試是不是必需的用于在澳大利亞，新西蘭，北美和加拿大銷售/分銷消費/商用型產品。

電磁兼容性排放

EMC排放進一步細分為兩類：

1.輻射排放

2.進行排放

電磁場由以下部分組成：

1.電場（電場） - 通常以伏/米（V / M）為單位測量

2.磁場（H場） - 通常以每米安培（A / m）為單位測量

電磁場的這兩個分量本身是兩個獨立的場，但不是完全獨立的現象。電場和H場彼此成直角移動。

輻射發(fā)射（E-Field）：

輻射發(fā)射是源自電子或電氣設備內部產生的頻率的電磁干擾（EMI）或干擾。輻射發(fā)射可能會帶來嚴苛的合規(guī)性問題，對于一些一般性指導，請查看我們的文章 EMC輻射發(fā)射常見問題和解決方案。輻射發(fā)射直接從設備的機箱或通過互連電纜（如信號端口，有線端口，如電信端口或電源導線）通過空氣傳播。

一個很好的例子是HDMI端口和可以從這些電纜輻射的相關EMI，我們用它作為案例研究，文章可以在這里找到; 符合EMC輻射發(fā)射測試（EMI）。在EMC測試期間，使用頻譜分析儀和/或EMI接收器以及合適的測量天線進行輻射發(fā)射測量。

EMC輻射發(fā)射測試方法

輻射發(fā)射（H場）：電磁波的磁性成分使用頻譜分析儀和/或EMI接收器以及合適的測量天線。典型的磁場天線包括環(huán)形天線，并且還包括根據CISPR 15的特定天線，例如Van Veen Loop。Van Veen環(huán)形天線基本上是三個環(huán)形天線，它們一起構成三個軸（X，Y和Z）的產品磁場發(fā)射。

傳導發(fā)射（連續(xù)和不連續(xù)）：

傳導發(fā)射是電磁干擾（EMI）或源自電子或電氣設備內部產生的頻率的干擾。然后，這些發(fā)射沿著互連的電纜傳播，例如有線端口，例如電信端口或電力導線。這些發(fā)射可以是連續(xù)的（在給定頻率下連續(xù)發(fā)射），也可以是不連續(xù)的（非常數，偶爾發(fā)生）。

在EMC測試期間，通過位于測試室內的ISN（阻抗穩(wěn)定網絡）在EMI接收器上進行傳導發(fā)射測量。

電磁兼容性抗擾度
EMC抗擾度測試可以被認為是連續(xù)的或瞬態(tài)的。對產品應用連續(xù)測試以模擬現實世界中可能發(fā)生的RF接近度。瞬態(tài)現象通常是涉及能量爆發(fā)的短事件。

EMC抗擾度測試要求通常根據電磁干擾如何耦合到設備上而分開：

1.免疫，機箱端口

2.免疫，信號端口和電信端口

3.抗擾度，輸入直流電源端口

4.抗擾度，輸入交流電源端口

測試級別，干擾信號類型等取決于被測設備的類型和所應用的標準。

持續(xù)免疫測試

輻射抗擾度：RF信號發(fā)生器，放大器和天線用于產生不同頻率的電磁場。被測設備（EUT）的外殼端口和相關電纜通過輻射天線暴露在電磁場中。輻射測試信號處于特定幅度并且調制應用特定時間段。大多數需要抗擾度測試的標準都要求進行此測試。

傳導抗擾度：

在傳導抗擾度測試期間，RF信號發(fā)生器和放大器產生電磁場。該電磁場通過注入裝置（通常是CDN，或“耦合/去耦網絡”用作注入裝置）耦合到產品信號，數據或電源端口。這種傳導抗擾度測試本質上是連續(xù)的，在許多標準中稱為“射頻連續(xù)傳導”。通常，傳導抗擾度測試適用于長度超過3米的交流和直流端口和信號電纜。

工頻磁場抗擾度：
由電磁線圈產生的波動磁場在主電源頻率（50 / 60Hz）下振蕩。EUT放置在這個波動的磁場內并暴露足夠的時間以評估產品的性能。磁場抗擾度測試通常僅適用于磁敏感設備。

瞬態(tài)免疫測試：

瞬態(tài)現象是短暫的能量爆發(fā)，被測產品將在很短的時間內暴露出來。與連續(xù)抗擾性一樣，瞬態(tài)抗擾度適用于產品機箱端口，信號/數據端口和電源端口（如果適用）。

靜電放電（ESD）：

ESD脈沖直接施加到器件的外殼上，間接施加到垂直/水平耦合平面，靠近被測產品，測試水平與所應用的標準相關。有關靜電放電效果和可能的ESD兼容性解決方案的更多信息，請查看文章：靜電放電常見EMC解決方案。

電快速瞬變（EFT）/突發(fā)：

快速瞬變是一系列短脈沖，其幅度和重復頻率都很高，上升時間很短。快速瞬態(tài)現象通常由高速開關事件引起，例如感應負載中斷和繼電器觸點反彈等。通常，快速瞬態(tài)測試適用于長度超過3米的交流和直流端口和信號電纜。

浪涌：

浪涌是由高功率開關事件，磁/電感耦合甚至閃電產生的一種瞬態(tài)現象。在主電源的幾個相角處應用EUT的電源端口上的浪涌測試。通常，浪涌測試適用于交流端口，有時也適用于直流端口，某些EMC產品標準中的信號電纜長度超過30米，或者電纜可能在建筑物外部運行。有關浪涌的更多信息，請參閱我們的文章 Surges EMC測試典型問題和解決方案。

電壓驟降，短暫中斷（VDI）和電壓變化：

電壓驟降和短暫中斷測試的目的是模擬電力網絡中的故障。這些故障可能是由斷電（停電/掉電事件）或負載突然大的變化引起的。電壓變化通常由連接到電力網絡的連續(xù)變化的負載引起。電壓驟降或中斷是二維現象，其特征在于殘余電壓（指定下降之后的電源電壓）和持續(xù)時間（標稱電壓下降到產品的下降多長時間）。該測試僅適用于產品的AC輸入端口。

脈沖磁場：

與工頻磁場抗擾度測試一樣，被測產品放置在磁環(huán)內。與工頻磁場測試不同，EUT不是將EUT暴露在連續(xù)波動的磁場中（以50 / 60Hz振蕩），而是暴露于由瞬態(tài)發(fā)生器提供的磁場脈沖。磁脈沖振幅高但上升時間短，然后評估產品的性能以確保正常操作。