（文章來源：芯智訊）

近年來，隨著國家的大力支持以及國內市場需求的快速增長，國產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，而在關鍵的國產(chǎn)半導體設備領域也有了不小的進步。比如在硅刻蝕機領域，北方華創(chuàng)實現(xiàn)了14nm設備的突破，同時也在去年實現(xiàn)了適用于8英寸晶圓的金屬刻蝕機的研發(fā)和生產(chǎn)。已經(jīng)登錄科創(chuàng)板的中微半導體自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。

但是在晶圓制造環(huán)節(jié)更為關鍵的光刻機領域，卻仍與國外有著巨大的差距。目前荷蘭的ASML是全球最大的光刻機制造商，占據(jù)了全球光刻機市場（按銷售計）的近90%的市場份額，尤其是在高端的極紫外光(EUV)領域，ASML處于完全壟斷地位，其一臺EUV光刻機售價高達1億歐元。而EUV光刻機則是實現(xiàn)5nm甚至是更為先進的制程工藝的關鍵。

近日，北京證監(jiān)局披露了“北京華卓精科科技股份有限公司”（以下簡稱“華卓精科”）的第三期輔導工作報告，該公司擬登陸科創(chuàng)板。而根據(jù)華卓精科官網(wǎng)顯示，其生產(chǎn)的光刻機雙工件臺，打破了ASML公司在光刻機工件臺上的技術上的壟斷，成為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術的公司。

光刻機是制造大規(guī)模集成電路的核心裝備。為將設計圖形制作到硅片上，并在一顆芯片上集成數(shù)十億、甚至上百億的晶體管，光刻機需達到十幾納米甚至幾納米的更高的圖像分辨率。而光刻機性能的兩大核心部件：一個是EUV曝光系統(tǒng)，另一個是雙工件臺。

在EUV曝光系統(tǒng)方面，中國目前還比較落后，主要是中科院長春光機所在研究。2002年，就研制國內第一套EUV光刻原理裝置，實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝科技重大專項將EUV光刻技術列為32-22nm裝備技術前瞻性研究 重要攻關任務。長春光機所作為牽頭單位承擔起了極紫外光刻關鍵技術研究項目研究工作。歷經(jīng)八年的艱苦奮戰(zhàn)，2017年，長春光機所的32nm線寬的EUV光刻曝光系統(tǒng)于通過了重大專項項目組專家的驗收。

雖然該EUV光刻曝光系統(tǒng)與國際先進水平仍有不小的差距，但是從國產(chǎn)化角度來看，可以說是一個重大突破。而光刻機另一大核心部件之一的工件臺，在高速運動下需達到2nm（相當于頭發(fā)絲直徑的三萬分之一）的運動精度，它的定位精度直接影響了 光刻出來的硅片的質量。 這也奠定了光刻機超精密工件臺技術在超精密機械制造與控制領域的最尖端地位，被稱為超精密技術皇冠上的明珠。

在2000年前，光刻設備只有一個工件臺，晶圓片的對準與蝕刻流程都在上面完成。直到2001年，ASML推出了Twinscan雙工件臺系統(tǒng)，使得光刻機能在一個工件臺進行曝光晶圓片，同時在另外一個工作臺進行預對準工作，并在第一時間得到結果反饋，生產(chǎn)效率提高大約35%，精度提高10%以上。而隨近年來技術的持續(xù)改進，雙工件臺的效率得到了持續(xù)的提升。

有資料顯示，目前單工件臺的光刻機的生產(chǎn)速度只有每小時80片，而雙工件臺，它的生產(chǎn)速度則可以高達每小時270片~300片。雖然，相比單工件臺系統(tǒng)來說，雙工件臺系統(tǒng)雖然僅是加一個工件臺，但技術難度卻不容小覷，對工件臺轉移速度和精度有非常高的要求。此前僅有荷蘭ASML一家壟斷，直到2016年，才被中國打破。

根據(jù)當時的報道顯示，圍繞雙工件臺系統(tǒng)的研發(fā)，該項目組“完成專利申請231項（其中國際發(fā)明專利41項），已獲得授權122項；培養(yǎng)了一支近200人的研發(fā)團隊，建立了高水平研發(fā)平臺，為后續(xù)產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化打下了堅實的基礎。”而此次準備在科創(chuàng)板上市的華卓精科的團隊正是清華大學機械工程系朱煜教授領導的光刻機雙工件臺系統(tǒng)研究團隊。

華卓精科官網(wǎng)顯示，其生產(chǎn)的光刻機雙工件臺主要應用于65nm及以下節(jié)點的ArF干式、浸沒式步進掃描光刻機、KrF步進掃描光刻機，單臺系列產(chǎn)品應用于i線、g線步進掃描光刻機及封裝光刻機等。華卓精科表示，其生產(chǎn)的光刻機雙工件臺，打破了ASML公司在光刻機工件臺上的技術上的壟斷，成為世界上第二家掌握雙工件臺核心技術的公司。
（責任編輯：fqj）