7月29日，三安光電Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目在湖北葛店葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)舉行開工儀式。

作為國內(nèi)LED芯片龍頭企業(yè)，三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用，著重于砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等半導(dǎo)體新材料所涉及到的LED外延、芯片為核心主業(yè)。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于照明、顯示、背光、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、微波射頻、激光通訊、功率器件、光通訊、感應(yīng)傳感等領(lǐng)域。

此次開工的Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目是三安光電改善其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升核心競爭力，鞏固在LED芯片領(lǐng)域行業(yè)地位的重要舉措。

2019年4月26日，三安光電發(fā)布公告稱，擬投資120億元在湖北省葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)興辦Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體項目，主要生產(chǎn)經(jīng)營Mini/Micro LED 外延與芯片產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

三安光電方面表示，Mini/Micro LED 是公司未來重點發(fā)展方向之一。該項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于改善公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業(yè)地位。

三安光電Mini/MicroLED芯片產(chǎn)業(yè)化項目位于湖北省葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，項目用地約756畝，計劃總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米。項目將建成Mini/MicroLED氮化鎵芯片、Mini/MicroLED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)生產(chǎn)基地。預(yù)計氮化鎵芯片系列年產(chǎn)161萬片（藍光MiniLED72萬片/年；藍光MicroLED9萬片/年；綠光MiniLED72萬片/年；綠光MicroLED8萬片/年）、砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片（紅光MiniLED66萬片/年；紅光MicroLED9萬片/年）、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品年產(chǎn)84000臺。

項目建成達產(chǎn)后，將形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、掌握核心技術(shù)、掌握行業(yè)話語權(quán)，具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。

據(jù)高工新型顯示了解到，項目一期總投資為60億元。

對于在Mini/Micro LED方面的“野心”，三安光電也從未掩飾。在三安光電2018年年報中就坦承， Mini-LED 已于一年前開始實現(xiàn)量產(chǎn)銷售，出貨量也隨著關(guān)鍵設(shè)備的逐步到位在疊加，Micro-LED 巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)也在改進并突破，這兩塊業(yè)務(wù)未來將會是重點發(fā)展方向之一。

近兩年來，LED照明市場增速放緩，需求不振，也導(dǎo)致了上游LED芯片整體價格下降幅度較大。

報告顯示，2018年隨著擴產(chǎn)產(chǎn)能釋放，2018年Q3LED芯片供需比達到1.2；隨著2019年乾照光電、兆元光電產(chǎn)能的釋放，供需比仍攀升，預(yù)計2019年毛利率仍將下降。

而顯示市場隨著顯示技術(shù)的不斷升級，MiniLED 和 MicroLED 顯示又具有無拼縫、高亮度和無反射圖像等特點，憑借產(chǎn)品的清晰度、畫質(zhì)、厚度、反應(yīng)速度等方面優(yōu)勢，已逐漸從商業(yè)級顯示切入消費級顯示，而且下游應(yīng)用企業(yè)也在大力推廣，一旦規(guī)模化應(yīng)用，前景將非常廣闊。

無論是從占領(lǐng)高毛利的顯示市場還是消化既有產(chǎn)能，加大在Mini/Micro LED顯示方面的投入已經(jīng)成為三安光電的必由之路。