DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思，也就是電腦內(nèi)存。對(duì)于今天的消費(fèi)者來說，電腦內(nèi)存只是些綠色的小條條，售價(jià)不過幾百元。然而這些小玩意，卻走過了長(zhǎng)達(dá)120年的復(fù)雜演進(jìn)歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存。人們已經(jīng)很難想象，一個(gè)電冰箱大小的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，只能存儲(chǔ)幾K數(shù)據(jù)，售價(jià)卻高達(dá)幾萬美元。在中國(guó)市場(chǎng)，1994年的時(shí)候，一根4M內(nèi)存售價(jià)1400元，相當(dāng)于兩個(gè)月工資。1999年臺(tái)灣921大地震，在北京中關(guān)村，一根64M SDRAM內(nèi)存條，價(jià)格可以在幾天內(nèi)，從500元暴漲到1600元。

自1970年，美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年。DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)，累計(jì)創(chuàng)造了超過1萬億美元產(chǎn)值（$1000,000,000,000美元）。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來，卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。無數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地。就連開創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM，也分別在1986年、1998年和1999年，凄慘地退出了DRAM市場(chǎng)。目前，只有韓國(guó)三星和海力士，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。

從美國(guó)到韓國(guó)，這個(gè)巨大的轉(zhuǎn)變，背后隱藏著半個(gè)世紀(jì)以來，那些不為人知的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)，足以載入經(jīng)濟(jì)學(xué)教科書。把歐美和中國(guó)，那些冒牌經(jīng)濟(jì)學(xué)家，極力鼓吹的“自由市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)”論調(diào)，徹底掃進(jìn)垃圾堆。

——這是一場(chǎng)真正的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)，國(guó)與國(guó)之間的生死較量，慘烈程度遠(yuǎn)超液晶戰(zhàn)爭(zhēng)。

1949年，美國(guó)哈佛大學(xué)實(shí)驗(yàn)室的王安博士，發(fā)明磁芯存儲(chǔ)器。這種古老的存儲(chǔ)器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存淘汰。

內(nèi)存百年——一不怕死的都沖進(jìn)來

在敘述這場(chǎng)經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)前，我們先從總體上，了解一下DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的脈絡(luò)和現(xiàn)狀。

電腦存儲(chǔ)器的發(fā)明者，幾乎都來自計(jì)算機(jī)巨頭——美國(guó)IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國(guó)統(tǒng)計(jì)學(xué)家霍列瑞斯（Hollerith Machin）研制了穿孔制表機(jī)，采用在卡紙上打孔的方式，記錄統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。1890年，美國(guó)進(jìn)行第12次人口普查時(shí)，便大量采用這種機(jī)器。直到1930年代，IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。

1932年，IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克（Gustav Tauschek），發(fā)明了第一種被廣泛使用的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器，稱為“磁鼓存儲(chǔ)器”。直到1950年代，磁鼓依然是大型計(jì)算機(jī)的主要存儲(chǔ)方式。1956年，IBM公司購(gòu)買了中國(guó)人王安博士（上海人），擁有的“磁芯存儲(chǔ)器”專利。磁芯存儲(chǔ)一直使用至1970年代。1966年，IBM公司的研究人員，羅伯特·登納德博士，發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存，并在1968年獲得專利。

然后，1970年美國(guó)英特爾，依靠批量生產(chǎn)DRAM大獲成功，逼死了磁芯存儲(chǔ)器。1976年日本廠商進(jìn)攻DRAM市場(chǎng)后，差點(diǎn)將英特爾逼死。1985年美國(guó)發(fā)動(dòng)經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)，扶植韓國(guó)廠商進(jìn)攻DRAM產(chǎn)業(yè)，又將日本廠商逼死。1997年美國(guó)發(fā)動(dòng)亞洲金融風(fēng)暴，差點(diǎn)將韓國(guó)廠商逼死。美國(guó)控制韓國(guó)經(jīng)濟(jì)后，韓國(guó)廠商又借著DRAM市場(chǎng)的暴利翻身崛起。此時(shí)不怕死的臺(tái)灣人沖進(jìn)DRAM市場(chǎng)，投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，逼死了德國(guó)廠商，并將臺(tái)灣DRAM廠商打翻在地，狠踩兩腳。2017年，不怕死的中國(guó)大陸廠商沖了進(jìn)來，準(zhǔn)備投資660億美元，進(jìn)攻DRAM市場(chǎng)。

有人說，中國(guó)人瘋了。

我說沒瘋，因?yàn)橹袊?guó)——做為世界第一大電子產(chǎn)品制造國(guó)，居然90%以上的內(nèi)存靠進(jìn)口，剩下那部分，居然連國(guó)產(chǎn)的產(chǎn)量，都控制在韓國(guó)企業(yè)手里。

2015年，韓國(guó)三星電子投資136億美元（15.6萬億韓元），在韓國(guó)京畿道平澤市，建設(shè)12寸晶圓DRAM廠（Fab18）。該項(xiàng)目占地2.89平方公里，總產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到每月45萬片晶圓，其中3D NAND閃存芯片將占據(jù)一半以上。主要生產(chǎn)第四代64層堆疊3D NAND閃存芯片。2017年7月4日三星宣布該廠投產(chǎn)。

行業(yè)高度壟斷——韓國(guó)三星獨(dú)占鰲頭

我們來看看市場(chǎng)情況，就知道中國(guó)為什么非要進(jìn)攻DRAM市場(chǎng)了。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器主要應(yīng)用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦、手機(jī)、平板電腦、固態(tài)硬盤、閃存等領(lǐng)域，包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器銷售總額達(dá)772億美元。在全球3352億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)中，占據(jù)23%的份額，是極為重要的產(chǎn)業(yè)核心部件。

其中DRAM內(nèi)存主要用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦，全球市場(chǎng)規(guī)模約420億美元，目前被韓國(guó)三星、海力士和美國(guó)鎂光三家壟斷，占據(jù)90%以上的份額。從1992年以來，韓國(guó)三星在DRAM市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)25年蟬聯(lián)世界第一，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，市占率超過60%。似乎無人可以撼動(dòng)它的地位。

NAND Flash閃存主要用于手機(jī)存儲(chǔ)、平板電腦、SSD固態(tài)硬盤、大容量閃存，全球市場(chǎng)規(guī)模約300億美元，壟斷形勢(shì)更加嚴(yán)重。韓國(guó)三星、海力士、美國(guó)鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商，壟斷了全球99%的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家，就占了80%以上的份額。NOR Flash閃存屬于小眾產(chǎn)品，主要用于16M以下的小容量閃存，全球市場(chǎng)規(guī)模只有30億美元，由美國(guó)鎂光、韓國(guó)三星、臺(tái)灣旺宏、華邦、中國(guó)大陸的易兆創(chuàng)新等7家企業(yè)瓜分。

行業(yè)高度壟斷造成的結(jié)果，是前三大廠商可以輕易操縱產(chǎn)量和價(jià)格，用低價(jià)來擠垮競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，或用漲價(jià)來謀取暴利。2016年由于全球內(nèi)存芯片缺貨，三星電子營(yíng)業(yè)收入達(dá)到809億美元，利潤(rùn)高達(dá)270億美元。韓國(guó)海力士收入142億美元，美國(guó)鎂光收入128億美元。

而中國(guó)廠商深受其害。中國(guó)是世界最大的電子產(chǎn)品制造國(guó)。2016年，光是中國(guó)就是生產(chǎn)了3.314億臺(tái)電腦，21億臺(tái)手機(jī)（其中智能手機(jī)占15億臺(tái)），1.78億臺(tái)平板電腦。與之相對(duì)應(yīng)，2016年，中國(guó)進(jìn)口DRAM產(chǎn)品超過130億美元。中國(guó)需要的存儲(chǔ)器芯片9成以上需要進(jìn)口。國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能也掌握在韓國(guó)海力士等外資廠商手中。

2015年起，美國(guó)鎂光（Micron），在新加坡Woodlands投資40億美元，擴(kuò)建Fab 10X晶圓廠，主要生產(chǎn)第二代32層堆疊3D NAND閃存。2017年建成后，月產(chǎn)能14萬片晶圓，采用16納米工藝。

DRAM起源——IBM公司羅伯特·登納德博士的杰作

1960年代早期，美國(guó)電子產(chǎn)業(yè)，主要由IBM、摩托羅拉、德州儀器、美國(guó)無線電公司（RCA）等老牌企業(yè)控制。他們依靠二戰(zhàn)時(shí)期，美國(guó)政府的巨額軍工訂單，發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)巨無霸。二戰(zhàn)后主要生產(chǎn)電視機(jī)、收音機(jī)等新興的家用電器，并為美軍武器提供電子裝備。電子計(jì)算機(jī)也是新的產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)，IBM具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

IBM公司在1956年，花費(fèi)巨資從王安手里，購(gòu)買磁芯存儲(chǔ)器專利，主要是為了解決大型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)問題。磁芯存儲(chǔ)器并不完美，不但磁芯容易損壞，而且價(jià)格昂貴，運(yùn)行速度也慢。然而，磁芯存儲(chǔ)器比磁鼓有個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)：電腦斷電后，磁芯保存的數(shù)據(jù)不會(huì)消失。為解決磁芯存儲(chǔ)器存在的不足，IBM進(jìn)行了長(zhǎng)達(dá)十幾年的研究。

1961年，IBM在紐約州成立了以半導(dǎo)體為方向的托馬斯·沃森研究中心。仙童當(dāng)時(shí)是IBM的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商，并且發(fā)展非常迅速。1965年，仙童公司的戈登·摩爾，在《電子學(xué)》雜志發(fā)表文章預(yù)言：當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的晶體管數(shù)量，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。這個(gè)預(yù)言后來被稱為“摩爾定律”。

1966年，IBM托馬斯·沃森研究中心，34歲的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士，提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，來制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想。原理是利用電容內(nèi)，存儲(chǔ)電荷的多寡，來代表一個(gè)二進(jìn)制比特(bit)是1還是0。每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管加一個(gè)電容（1T/1C結(jié)構(gòu)）。1968年6月，IBM注冊(cè)了晶體管DRAM專利(3387286號(hào)專利)。但是由于IBM正在遭受美國(guó)司法部的反壟斷調(diào)查，拖延了DRAM項(xiàng)目商業(yè)化進(jìn)度，這給其他公司帶來了機(jī)會(huì)。

此時(shí)，晶體管集成電路已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)熱潮，大批美國(guó)公司投入這一領(lǐng)域。1969年，加州桑尼維爾的Advanced Memory system公司，最早生產(chǎn)出1K容量的DRAM，并出售給計(jì)算機(jī)廠商霍尼韋爾。但是由于存在DRAM工藝上的缺陷，霍尼韋爾后來向新成立的英特爾公司尋求幫助。

1972年前后，英特爾公司為美國(guó)Prime電腦公司，生產(chǎn)的微型電腦主板上，焊接了128顆1K存儲(chǔ)容量的C1103 DRAM內(nèi)存，組成128K容量的內(nèi)存，以便運(yùn)行類似DOS的操作系統(tǒng)。1GB=1048576KB，如今一根最普通的4G內(nèi)存，容量等于這塊老古董的3.2萬倍。最大的單根內(nèi)存容量達(dá)到128G，是這家伙的100萬倍。

英特爾C1103——DRAM內(nèi)存商業(yè)化大獲成功

1967年，仙童半導(dǎo)體成立十年時(shí)，公司營(yíng)業(yè)額已接近2億美元（作為對(duì)比1967年中國(guó)外匯儲(chǔ)備為2.15億美元）。但是隨著德州儀器、摩托羅拉、國(guó)家半導(dǎo)體在晶體管市場(chǎng)的崛起，仙童的利潤(rùn)迅速下滑，加之巨額研發(fā)投入，企業(yè)內(nèi)部矛盾嚴(yán)重。仙童的行業(yè)第一地位，迅速被德州儀器取代。

1968年8月，仙童總經(jīng)理鮑勃·諾伊斯，拉著研發(fā)部門負(fù)責(zé)人戈登·摩爾辭職。從風(fēng)險(xiǎn)投資家阿瑟·洛克那里拉來250萬美元投資，正式成立了英特爾(Intel)公司，洛克出任董事長(zhǎng)。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思，商標(biāo)是花1.5萬美元，從一家酒店手里買的。當(dāng)時(shí)公司只有諾伊斯和摩爾兩個(gè)員工，他們招兵買馬時(shí)，又從仙童公司挖來了工藝開發(fā)專家安迪·格魯夫，擔(dān)任運(yùn)營(yíng)總監(jiān)。

英特爾成立之初，繼承了仙童的技術(shù)能力。公司制定的發(fā)展方向是研制晶體管存儲(chǔ)器芯片，這是一個(gè)全新的市場(chǎng)。當(dāng)時(shí)的半導(dǎo)體工藝主要有雙極型晶體管，和場(chǎng)效應(yīng)（MOS）晶體管。這兩項(xiàng)工藝都是仙童的長(zhǎng)項(xiàng)。但是哪一種工藝用來生產(chǎn)的芯片更好，他們并不清楚。于是公司成立了兩個(gè)研發(fā)小組。1969年4月，雙極型小組推出了64bit容量的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）芯片C3101，只能存儲(chǔ)8個(gè)英文字母。這是英特爾的第一個(gè)產(chǎn)品，客戶是霍尼韋爾。

此時(shí)在美國(guó)電腦市場(chǎng)上，IBM已經(jīng)成為無可爭(zhēng)議的霸主，被稱為藍(lán)色巨人，其他電腦廠商在重壓下苦不堪言。霍尼韋爾公司為了提高其計(jì)算機(jī)性能，正在尋找SRAM存儲(chǔ)器，這為英特爾帶來了市場(chǎng)機(jī)會(huì)。與此同時(shí)，仙童公司的市場(chǎng)主管杰里·桑德斯，又拉走了一批人，成立了AMD公司。由于融資困難，桑德斯找到了英特爾公司的諾伊斯尋求幫助，最后拉來了155萬美元投資。此后的半個(gè)世紀(jì)里，英特爾和AMD成為一對(duì)難分難解的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

1969年7月，場(chǎng)效應(yīng)管小組推出了256bit容量的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片C1101。這是世界第一個(gè)大容量SRAM存儲(chǔ)器。霍尼韋爾很快下達(dá)了訂單。隨后，英特爾研究小組不斷解決生產(chǎn)工藝中的缺陷，于1970年10月，推出了第一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）芯片C1103，有18個(gè)針腳。容量有1Kbit，售價(jià)僅有10美元，它標(biāo)志著DRAM內(nèi)存時(shí)代的到來。

當(dāng)時(shí)的大中型計(jì)算機(jī)上，還在使用笨重昂貴的磁芯存儲(chǔ)器。為了向客戶宣傳DRAM的性能優(yōu)勢(shì)，英特爾開展全國(guó)范圍的營(yíng)銷活動(dòng)，向計(jì)算機(jī)用戶宣傳DRAM比磁芯更便宜（1比特僅需1美分）的概念。由于企業(yè)客戶出于安全考慮，不會(huì)購(gòu)買獨(dú)家供貨的產(chǎn)品，必須要有可替代的第二供貨源。于是英特爾選擇了加拿大的一家小公司，微系統(tǒng)國(guó)際公司（MIL）合作，授權(quán)他們用1英寸晶圓生產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，每年收取100萬美元的授權(quán)費(fèi)用。C1103的用戶主要包括惠普電腦的HP9800系列，和DEC公司的PDP-11計(jì)算機(jī)，產(chǎn)量有幾十萬顆。

1972年，憑借1K DRAM取得的巨大成功，英特爾已經(jīng)成為一家擁有1000名員工，年收入超過2300萬美元的產(chǎn)業(yè)新貴。C1103也被業(yè)界稱為磁芯存儲(chǔ)器殺手，成為全球最暢銷的半導(dǎo)體芯片。同年IBM在新推出的S370/158大型計(jì)算機(jī)上，也開始使用DRAM內(nèi)存。到1974年，英特爾占據(jù)了全球82.9%的DRAM市場(chǎng)份額。

加入DRAM戰(zhàn)場(chǎng)——德州儀器、莫斯泰克、鎂光

1973年石油危機(jī)爆發(fā)后，歐美經(jīng)濟(jì)停滯，電腦需求放緩，影響了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。而英特爾在DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的份額也快速下降。因?yàn)樗麄円齺砹烁?jìng)爭(zhēng)對(duì)手，主要有德州儀器（TI）、莫斯泰克（Mostek）和日本NEC。

早在1970年英特爾發(fā)布C1103后，德州儀器便對(duì)其進(jìn)行拆解仿制，通過逆向工程，研究DRAM存儲(chǔ)器工藝結(jié)構(gòu)。1971年德州儀器采用重新設(shè)計(jì)的3T1C結(jié)構(gòu)，推出了2K產(chǎn)品。1973年德州儀器推出成本更低，采用1T1C結(jié)構(gòu)的4K DRAM（型號(hào)TMS4030），成為英特爾的強(qiáng)勁對(duì)手。

莫斯泰克則是一家小公司，1969年，德州儀器半導(dǎo)體中心的首席工程師L.J.Sevin（MOS場(chǎng)效應(yīng)管專家），拉著一幫同事辭職，在馬薩諸塞州成立了莫斯泰克（Mostek）公司，工廠設(shè)在德州卡羅爾頓，主要為計(jì)算機(jī)企業(yè)配套生產(chǎn)存儲(chǔ)器件。Mostek開發(fā)的第一個(gè)DRAM產(chǎn)品MK1001，只有1K容量。1973年，Mostek采用公司創(chuàng)始人Robert Proebsting設(shè)計(jì)的地址復(fù)用技術(shù)，研制出16針腳的MK4096芯片，容量提高到4K。16針腳的好處是制造成本低，當(dāng)時(shí)德州儀器、英特爾和摩托羅拉制造的內(nèi)存是22針腳。

憑借低成本，莫斯泰克逐漸在內(nèi)存市場(chǎng)取得優(yōu)勢(shì)。而英特爾此時(shí)將精力放在開發(fā)8080處理器上，在微型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)取得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了采用雙層多晶硅柵工藝的MK4116，容量提高到16K。這一產(chǎn)品幫助莫斯泰克擊敗英特爾，占據(jù)了全球75%的市場(chǎng)份額。

其后莫斯泰克又開發(fā)了64K容量的MK4164，到70年代后期，一度占據(jù)了全球DRAM市場(chǎng)85%的份額。但是隨著日本廠商廉價(jià)芯片的瘋狂沖擊，短短幾年時(shí)間，美國(guó)廠商就撐不住了。1979年，陷入困境的莫斯泰克，被美國(guó)聯(lián)合技術(shù)公司（UTC），以3.45億美元收購(gòu)。后來又轉(zhuǎn)賣給了意法半導(dǎo)體。

1978年，從莫斯泰克離職的三名設(shè)計(jì)工程師，拉來風(fēng)險(xiǎn)投資后，在愛達(dá)荷州一家牙科診所的地下室，創(chuàng)辦了鎂光科技（Micron）。鎂光簽訂的第一份合約是為莫斯泰克設(shè)計(jì)64K存儲(chǔ)芯片。后來，鎂光從愛達(dá)荷州億萬富翁，靠生豬養(yǎng)殖起家的J.R.Simplot那里拉來了投資，開始建設(shè)第一座DRAM工廠。為了節(jié)省投資費(fèi)用，工廠建設(shè)在一家廢棄的超市建筑里，肉類冷庫(kù)被改造成凈化車間，生產(chǎn)設(shè)備也是二手的。到1981年晶圓廠投產(chǎn)，只花了700萬美元，而新建一座同類工廠的投資額，一般是1億美元。鎂光的第一批產(chǎn)品是64K DRAM，主要供應(yīng)給正在飛速崛起的個(gè)人電腦制造商。像當(dāng)時(shí)銷量很高的Commodore 64電腦，就是采用鎂光64K內(nèi)存。到1984年，鎂光推出了世界最小的256K DRAM。

與莫斯泰克類似，鎂光的敵人來自日本。1980年，日本研制的DRAM產(chǎn)品，只占全球銷量的30%，美國(guó)公司占到60%。到了1985年局勢(shì)已經(jīng)完全倒轉(zhuǎn)。由于日本廉價(jià)DRAM的大量?jī)A銷，鎂光被迫裁員一半，1400名工人失業(yè)。鎂光只得向美國(guó)政府尋求幫助。從1985年至1986年，英特爾連續(xù)虧損六個(gè)季度。DRAM市場(chǎng)份額僅剩下1%。當(dāng)時(shí)，英特爾的年銷售額為15億美元，虧損總額卻高達(dá)2.6億美元，被迫關(guān)閉了7座工廠，并裁減員工。瀕臨死亡的英特爾，被迫全面退出DRAM市場(chǎng)，轉(zhuǎn)型發(fā)展CPU，由此獲得新生。

日本電子企業(yè)、汽車企業(yè)的兇猛攻勢(shì)，最終引爆了美日兩國(guó)的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)爭(zhēng)。

舉國(guó)體制——籌集720億日元研制DRAM核心設(shè)備

在1970年代，日本盡管可以生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，但是最關(guān)鍵的制程設(shè)備和生產(chǎn)原料要從美國(guó)進(jìn)口。為了補(bǔ)足短板，1976年3月，經(jīng)通產(chǎn)省、自民黨、大藏省多次協(xié)商，日本政府啟動(dòng)了"DRAM制法革新"國(guó)家項(xiàng)目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業(yè)聯(lián)合籌資400億日元。總計(jì)投入720億日元（2.36億美元）為基金，由日本電子綜合研究所，和計(jì)算機(jī)綜合研究所牽頭，設(shè)立國(guó)家性科研機(jī)構(gòu)——“VLSI技術(shù)研究所”（超LSI技術(shù)研究組合）。研究所地址就選在，位于川崎市高津區(qū)的NEC中央研究所內(nèi)。日立公司社長(zhǎng)吉山博吉擔(dān)任理事長(zhǎng)，根橋正人負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)領(lǐng)導(dǎo)，垂井康夫擔(dān)任研究所長(zhǎng)，組織800多名技術(shù)精英，共同研制國(guó)產(chǎn)高性能DRAM制程設(shè)備。目標(biāo)是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實(shí)用化，遠(yuǎn)期在10-20年內(nèi)，實(shí)現(xiàn)1M DRAM的實(shí)用化。（VLSI是超大規(guī)模集成電路的簡(jiǎn)稱）

在這個(gè)技術(shù)攻關(guān)體系中，日立公司（第一研究室），負(fù)責(zé)電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置，右高正俊任室長(zhǎng)。富士通公司（第二研究室）研制可變尺寸矩形電子束掃描裝置，中村正任室長(zhǎng)。東芝（第三研究室）負(fù)責(zé)EB掃描裝置與制版復(fù)印裝置，武石喜幸任室長(zhǎng)。電氣綜合研究所（第四研究室）對(duì)硅晶體材料進(jìn)行研究，飯塚隆任室長(zhǎng)。三菱電機(jī)（第五研究室）開發(fā)制程技術(shù)與投影曝光裝置，奧泰二任室長(zhǎng)。NEC公司（第六研究室）進(jìn)行產(chǎn)品封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試、評(píng)估研究，川路昭任室長(zhǎng)。

在產(chǎn)業(yè)化方面，日本政府為半導(dǎo)體企業(yè)，提供了高達(dá)16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造DRAM集成電路產(chǎn)業(yè)群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大規(guī)模集成電路。美國(guó)IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時(shí)發(fā)布了產(chǎn)品。這一年，由于日本64K動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）開始打入國(guó)際市場(chǎng)，集成電路的出口迅速增加。

1980年，日本VLSI聯(lián)合研發(fā)體，宣告完成為期四年的“VLSI”項(xiàng)目。期間申請(qǐng)的實(shí)用新型專利和商業(yè)專利，達(dá)到1210件和347件。研發(fā)的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、X射線、電子束的各型制版復(fù)印裝置、干式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。針對(duì)難度大的高風(fēng)險(xiǎn)研究課題，VLSI項(xiàng)目采用多個(gè)實(shí)驗(yàn)室群起圍攻的方式，調(diào)動(dòng)各單位進(jìn)行良性競(jìng)爭(zhēng)，保證研發(fā)成功率。各企業(yè)的技術(shù)整合，保證了DRAM量產(chǎn)成功率，奠定了日本在DRAM市場(chǎng)的霸主地位。

1970年代，日本松下電器京都府長(zhǎng)岡工場(chǎng)，整齊排列的100臺(tái)自動(dòng)焊線機(jī)，只需要10個(gè)人操作。該廠從1968年開始半導(dǎo)體生產(chǎn)。1970年代美國(guó)向馬來西亞、韓國(guó)、臺(tái)灣轉(zhuǎn)移電子制造業(yè)，以降低人力成本。日本則采用大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)的方式來降低成本。日本報(bào)紙震驚地寫道：半導(dǎo)體工廠的人都消失了。

獲得豐厚回報(bào)——日本躍居世界第一大DRAM生產(chǎn)國(guó)

1977年，全球的個(gè)人電腦出貨量總計(jì)大約4.8萬臺(tái)。到1978年已經(jīng)暴增至20萬臺(tái)，市場(chǎng)規(guī)模大約5億美元。其中美國(guó)Radio Shack公司（電器連鎖零售店）出售的Tandy TRS-80電腦銷量約10萬臺(tái)，均價(jià)600美元，銷售額6000美元，采用蓋茨新開發(fā)的操作系統(tǒng)，CPU則是從英特爾辭職的前首席設(shè)計(jì)師費(fèi)金，研制的Zilog—Z80。蘋果公司的Apple II銷量達(dá)到2萬臺(tái)，平均單價(jià)1500美元，屬于高端貨，年銷售額約3000萬美元。個(gè)人電腦市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)，對(duì)內(nèi)存產(chǎn)生了大量需求。這給日本DRAM廠商帶來了出口機(jī)會(huì)。

做出口貿(mào)易的都知道，出口貨不但價(jià)錢便宜，質(zhì)量還要好。而在當(dāng)時(shí)，美國(guó)人一般認(rèn)為日本貨質(zhì)量低劣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上美國(guó)貨。但是實(shí)際的結(jié)果令人大跌眼鏡。1980年，美國(guó)惠普公司公布DRAM內(nèi)存采購(gòu)情況。對(duì)競(jìng)標(biāo)的3家日本公司和3家美國(guó)公司的16K DRAM芯片，質(zhì)量檢驗(yàn)結(jié)果顯示：美國(guó)最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。雖然惠普礙于情面，沒有點(diǎn)出這些公司的名字。但人們很快知道了，三家美國(guó)公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司為了拿到訂單，甚至在給銷售部門的指示上明確要求，要比美國(guó)公司的價(jià)格低10%。

質(zhì)量好，價(jià)格低，量又足，日本DRAM內(nèi)存在美國(guó)迅速崛起。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產(chǎn)國(guó)。這一年3月，日本NEC的九州工廠，DRAM月產(chǎn)量為1000萬塊（約1萬片晶圓）。到了10月，月產(chǎn)量暴增至1900萬塊。其產(chǎn)量之大，成品率之高（良率超過80%），質(zhì)量之好，使得美國(guó)企業(yè)望塵莫及。與產(chǎn)量相伴的是，原來價(jià)格虛高的DRAM內(nèi)存模塊，價(jià)格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲(chǔ)芯片，現(xiàn)在只要5美元就能買到了，日本廠商還能賺錢。美國(guó)企業(yè)由于芯片成品率低，根本無法與日本競(jìng)爭(zhēng)，因此陷入困境。

1982年，美國(guó)50家半導(dǎo)體企業(yè)秘密結(jié)成技術(shù)共享聯(lián)盟，避免資金人力重復(fù)投資。可是這些合作項(xiàng)目剛剛啟動(dòng)，就傳來了壞消息。美國(guó)剛剛研制出256K DRAM內(nèi)存，而日本富士通、日立的256K DRAM已經(jīng)批量上市。1983年間，銷售256K內(nèi)存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外，只有一家摩托羅拉是美國(guó)公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產(chǎn)量，就高達(dá)300萬塊。日本廠商開出的海量產(chǎn)能，導(dǎo)致這一年DRAM價(jià)格暴跌了70%。內(nèi)存價(jià)格暴跌，使得正在跟進(jìn)投資更新技術(shù)設(shè)備的美國(guó)企業(yè)，普遍陷入巨額虧損狀態(tài)。難以承受虧損的美國(guó)企業(yè)，紛紛退出DRAM市場(chǎng)，又進(jìn)一步加強(qiáng)了日本廠商的優(yōu)勢(shì)地位。

1978年3月15日，日本朝日新聞，報(bào)道垂井康夫擔(dān)任所長(zhǎng)的VLSI技術(shù)研究所，研制成功電子束掃描裝置。

低成本優(yōu)勢(shì)——美國(guó)廠商節(jié)節(jié)敗退

1984年，日本DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入技術(shù)爆發(fā)期。通產(chǎn)省電子所研制成功1M DRAM，三菱甚至公開展出4M DRAM的關(guān)鍵技術(shù)。日立生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存，已經(jīng)開始采用1.5微米生產(chǎn)工藝。東芝電氣綜合研究所，則投資200億日元，建造超凈工作間。在這種超凈廠房?jī)?nèi)，每一立方米的凈化空氣中，直徑0.1微米的顆粒，不能超過350個(gè)。只有在這種條件下才能制備1M、4M容量的DRAM存儲(chǔ)器。與此同時(shí)，東芝研制出直徑8英寸（200mm）級(jí)的，世界最大直徑硅晶圓棒。到1986年，光是東芝一家，每月1M DRAM的產(chǎn)量就超過100萬塊。

日本企業(yè)大量投資形成的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，導(dǎo)致日本半導(dǎo)體對(duì)美國(guó)出口額，從1979年的4400萬美元，暴增至1984年的23億美元。五年間暴增52倍！而同時(shí)期，美國(guó)對(duì)日本出口的半導(dǎo)體，僅僅只增長(zhǎng)了2倍。美國(guó)公司失去產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的后果，便是越想追趕越要投資，越投資虧損越大，陷入惡性循環(huán)。

以英特爾為例，本來到1978年前后，英特爾在莫斯泰克的猛攻下，已經(jīng)成為美國(guó)DRAM市場(chǎng)的后進(jìn)角色，美國(guó)市場(chǎng)占有率低于20%。但是隨著1980年后，日本DRAM產(chǎn)品大量出口美國(guó)，英特爾的日子就過不去下了。雖然DRAM產(chǎn)品只占英特爾銷售額的20%，但是為了保住這塊核心業(yè)務(wù)，公司80%的研發(fā)費(fèi)用投向了DRAM存儲(chǔ)器，明顯是本末倒置。等到英特爾好不容易開發(fā)出新DRAM產(chǎn)品，此時(shí)日本廠商已經(jīng)在低價(jià)傾銷成品，導(dǎo)致英特爾無利可圖，連研發(fā)費(fèi)用都賺不回來。1984年至1985年間，陷入巨額虧損的英特爾，被迫裁員7200人，仍不能扭轉(zhuǎn)困局。1985年10月，英特爾向外界宣布退出DRAM市場(chǎng)，關(guān)閉生產(chǎn)DRAM的七座工廠。

1985年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)入蕭條，半導(dǎo)體價(jià)格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。價(jià)格暴跌使美國(guó)英特爾、國(guó)家半導(dǎo)體等廠商撤出了DRAM市場(chǎng)。然而，就在同一年，日本NEC的集成電路銷售額，排名世界第一，企業(yè)營(yíng)業(yè)額是二戰(zhàn)前的三百多倍，一舉超越長(zhǎng)期是行業(yè)龍頭的美國(guó)德州儀器公司。憑借VLSI項(xiàng)目的成功，日本企業(yè)一舉占據(jù)了64K、128K、256K和1M DRAM市場(chǎng)90%的份額。

1991年6月，日本駐美大使村田良平，與布什政府的美國(guó)貿(mào)易代表卡拉·安德森·希爾斯，在華盛頓簽署新的五年期《日美半導(dǎo)體協(xié)議》。美國(guó)希望在1992年底前，能夠在日本半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)20%的份額。這個(gè)協(xié)議讓美國(guó)企業(yè)喘口氣，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)則異軍突起。到1995年底，外國(guó)半導(dǎo)體在日本市場(chǎng)占有率超過了30%。希爾斯這個(gè)女人非常厲害，中國(guó)的很多對(duì)美貿(mào)易談判，都是以她為對(duì)手。

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟——四大財(cái)閥全力進(jìn)攻DRAM產(chǎn)業(yè)

1976年，就在日本啟動(dòng)VLSI研究項(xiàng)目的同時(shí)，韓國(guó)政府在龜尾產(chǎn)業(yè)區(qū)（漢城東南200公里），建立韓國(guó)電子技術(shù)研究所（KIET），分為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制程、系統(tǒng)三大部門。每個(gè)部門都交由具備美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)驗(yàn)的專員領(lǐng)導(dǎo)。并招收美國(guó)歸來工程師，設(shè)置試驗(yàn)生產(chǎn)線，協(xié)助企業(yè)研發(fā)集成電路關(guān)鍵技術(shù)。1978年，韓國(guó)電子技術(shù)所通過與美國(guó)硅谷的公司合資，建造了韓國(guó)第一條3英寸晶圓生產(chǎn)線（比臺(tái)灣工研院晚2年），并在1979年生產(chǎn)出16K DRAM。盡管比日本落后幾年，但這是韓國(guó)第一次掌握VLSI（超大規(guī)模集成電路）技術(shù)。

電子產(chǎn)業(yè)的景氣環(huán)境，促使韓國(guó)LG、現(xiàn)代等財(cái)閥，都加入了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。韓國(guó)貿(mào)工部因此牽頭，組建了韓國(guó)電子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（EIAK）。該聯(lián)盟后來在韓國(guó)高科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展中，扮演舉足輕重的角色。而三星、LG和現(xiàn)代，成為韓國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)突破的主力軍。1980年1月，三星電子與三星半導(dǎo)體合并，組成新的三星電子，專攻半導(dǎo)體領(lǐng)域。

到1983年，日本DRAM內(nèi)存在美國(guó)市場(chǎng)大獲成功的時(shí)候，眼紅的韓國(guó)四大財(cái)閥——三星、現(xiàn)代、LG和大宇，全部安排資金，重資下注DRAM產(chǎn)業(yè)。它們的企業(yè)策略很明確：以較低的成本追趕日本DRAM產(chǎn)業(yè)。而韓國(guó)全斗煥政府，采取了金融自由化政策，松綁融資環(huán)境。1983年的股票價(jià)格上漲，讓韓國(guó)各財(cái)閥能夠輕易調(diào)動(dòng)資金，投入到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

韓國(guó)三星位于漢城以南30公里的龍仁市器興的產(chǎn)業(yè)基地。

技術(shù)起步期——三星從美國(guó)日本弄來技術(shù)

1983年2月，三星集團(tuán)創(chuàng)始人李秉喆在東京發(fā)表宣言：宣布三星集團(tuán)正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并準(zhǔn)備出資1000億韓元（約1.33億美元），執(zhí)行這項(xiàng)計(jì)劃。在此之前，三星已經(jīng)建立半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室，并聚焦在DRAM領(lǐng)域。三星之所以選擇DRAM，是考慮到在所有存儲(chǔ)產(chǎn)品中，DRAM的應(yīng)用范圍和市場(chǎng)潛力最大。但是從技術(shù)領(lǐng)域看，三星當(dāng)時(shí)存在著巨大的技術(shù)鴻溝。如何獲得先進(jìn)核心技術(shù)呢？三星嘗試從國(guó)外引進(jìn)技術(shù)，連續(xù)遭到美國(guó)德州儀器、摩托羅拉、日本NEC、東芝、日立等公司的拒絕。

最終，三星通過美國(guó)幾家陷入困境的小型半導(dǎo)體公司找到門路。當(dāng)時(shí)美國(guó)鎂光科技規(guī)模還很小，已經(jīng)被日本廉價(jià)DRAM擠壓得喘不過氣，還要投錢研發(fā)256K DRAM產(chǎn)品。于是鎂光將64K DRAM的技術(shù)授權(quán)給了韓國(guó)三星。三星又從加州西翠克斯（CITRIX）公司買到了高速處理金屬氧化物的設(shè)計(jì)。

獲得兩家美國(guó)公司技術(shù)后，三星分別在美國(guó)硅谷和漢城南部30公里的龍仁市器興（Giheung），設(shè)立兩個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，招募韓裔美國(guó)工程師，日以繼夜地消化吸收技術(shù)。硅谷團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)收集美國(guó)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)資訊。器興團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)建設(shè)工廠，熟悉三星從日本夏普手里弄來的量產(chǎn)制程設(shè)備。日本夏普由于被通產(chǎn)省歸類為消費(fèi)電子公司，而非IC半導(dǎo)體公司，因此不受出口技術(shù)規(guī)范管制。三星找到這個(gè)漏洞，從夏普買來設(shè)備。六個(gè)月后，三星的工程師成功掌握了，量產(chǎn)64K DRAM的301項(xiàng)流程，和其中8項(xiàng)核心技術(shù)，順利制造出生產(chǎn)模組。

1983年12月1日，三星電子社長(zhǎng)姜振求召開記者招待會(huì)，宣布三星已經(jīng)繼美、日兩國(guó)之后，成功自行研發(fā)出64K DRAM。1984年5月，三星第一座DRAM工廠在器興竣工，工期只用了半年。四個(gè)月后開始批量生產(chǎn)的64K DRAM。這比美國(guó)研制的同類產(chǎn)品晚了40個(gè)月，比日本晚了6年。當(dāng)時(shí)三星生產(chǎn)線上的員工，多數(shù)是農(nóng)村來的婦女，文化素質(zhì)不高，但是服從性好。工廠技術(shù)管理，主要靠三星從美國(guó)高薪招募回來的韓裔工程師。

引進(jìn)技術(shù)——八仙過海各顯神通

繼三星之后，韓國(guó)LG、現(xiàn)代，也通過引進(jìn)國(guó)外技術(shù)，積累了核心技術(shù)能力。1984年，LG半導(dǎo)體接管了韓國(guó)電子技術(shù)研究所（KIET），掌握了老舊的3英寸晶圓生產(chǎn)線。1986年，LG投資1.35億美元，從美國(guó)AMD公司獲得技術(shù)授權(quán)，并和美國(guó)AT&T下屬的西方電子（Western Electric）成立合資公司。LG曾經(jīng)試圖購(gòu)買AT&T的256K DRAM以超越三星，結(jié)果未能如愿。LG因此在64K產(chǎn)品上落后于三星和現(xiàn)代。直至1989年，LG與日立簽署技術(shù)轉(zhuǎn)移協(xié)議，才取得穩(wěn)定的技術(shù)來源。由于韓國(guó)當(dāng)時(shí)已經(jīng)完成對(duì)1M和4M DRAM的技術(shù)攻關(guān)。于是日立將自己的1M和4M DRAM量產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)移給LG，LG支付幾百萬美元的專利授權(quán)費(fèi)用，產(chǎn)品以O(shè)EM方式直接出口給日立。日立這樣做，主要是為了獲得穩(wěn)定的OEM供貨來源，使日立公司能夠騰出人力，專注于下一代16M DRAM的制程研發(fā)。同時(shí)，也可以使日立控制韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)能。

韓國(guó)現(xiàn)代則比較特殊，這個(gè)財(cái)團(tuán)以汽車造船和重型機(jī)械為主，幾乎沒有任何電子產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)。但是為了保持在汽車等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，勢(shì)必要發(fā)展電子工業(yè)。于是在1982年底，現(xiàn)代投資高達(dá)4億美元，啟動(dòng)半導(dǎo)體研制項(xiàng)目。現(xiàn)代效仿三星，也在韓國(guó)和美國(guó)硅谷設(shè)置了兩個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。國(guó)內(nèi)是由114名工程師組成的半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室，硅谷建立了現(xiàn)代電子的子公司，由韓裔美國(guó)工程師組成。1984年，韓國(guó)現(xiàn)代從硅谷華人陳正宇博士，經(jīng)營(yíng)的美國(guó)茂矽（Mosel）公司，購(gòu)買64K SRAM設(shè)計(jì)，開發(fā)出16K SDRAM芯片并量產(chǎn)。由于缺乏經(jīng)驗(yàn)，導(dǎo)致現(xiàn)代的量產(chǎn)成品率低。（陳正宇隨后回到臺(tái)灣，成立了臺(tái)灣茂矽電子。）

無法承受虧損壓力——韓國(guó)大宇退出DRAM市場(chǎng)

面臨技術(shù)障礙的現(xiàn)代電子，被迫轉(zhuǎn)向OEM代工方式，獲得技術(shù)來源。1985年前后，由于美國(guó)廠商在日本進(jìn)攻下節(jié)節(jié)敗退，美國(guó)德州儀器為降低制造成本，與韓國(guó)現(xiàn)代簽訂OEM協(xié)議，由德州儀器提供64K DRAM的工藝流程，改善產(chǎn)品良率。1986年，現(xiàn)代電子成為韓國(guó)第二家，量產(chǎn)64K產(chǎn)品的制造商（比三星慢了兩年）。由于技術(shù)基礎(chǔ)薄弱，現(xiàn)代的市場(chǎng)占有率遠(yuǎn)弱于三星和日本企業(yè)。由于DRAM市場(chǎng)不景氣，現(xiàn)代承受了巨額虧損。幸好現(xiàn)代是大型財(cái)團(tuán)，可以從汽車造船等其他部門，挪用資金來支持現(xiàn)代電子。事實(shí)上，現(xiàn)代電子從1982年投資4億美元到DRAM產(chǎn)業(yè)，要等10年后才能收回全部投資。尤其在前三年，現(xiàn)代電子承受了數(shù)億美元的巨額虧損。韓國(guó)大宇則在技術(shù)和資金壓力下，完全退出了DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

1982年至1986年間，韓國(guó)四大財(cái)團(tuán)在DRAM領(lǐng)域，進(jìn)行了超過15億美元的瘋狂投資，相當(dāng)于同期臺(tái)灣投入的10倍。同時(shí)期，中國(guó)上海寶鋼項(xiàng)目投資40億美元左右。但是在電子工業(yè)方面，中國(guó)政府幾乎放棄了產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)。各省市胡亂花費(fèi)了3-5億美元，購(gòu)買外國(guó)淘汰技術(shù)，根本未能形成技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力。而且在廣東、福建、海南、浙江等沿海省份，巨額走私日本、美國(guó)、臺(tái)灣電子元器件的沖擊下，中國(guó)電子工業(yè)徹底崩潰，就這樣跪了三十年也沒能爬起來。

面對(duì)韓國(guó)企業(yè)咄咄逼人的追趕態(tài)勢(shì)，日本廠商以低于韓國(guó)產(chǎn)品成本一半的價(jià)格，向市場(chǎng)大量拋售產(chǎn)品，有意迫使韓國(guó)人出局。結(jié)果韓國(guó)大型財(cái)團(tuán)不但頂住巨額虧損壓力，追加投資，還讓日本企業(yè)承擔(dān)了美國(guó)反傾銷的壓力。美國(guó)與日本的紛爭(zhēng)，讓韓國(guó)漁翁得利。1992年，韓國(guó)三星超越日本NEC，首次成為世界第一大DRAM內(nèi)存制造商，并在其后連續(xù)蟬聯(lián)了25年世界第一。

1990年8月，韓國(guó)三星成為世界第三個(gè)推出16M DRAM內(nèi)存芯片的企業(yè)。

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張——補(bǔ)齊短板搶占市場(chǎng)

從1990年開始，韓國(guó)三大企業(yè)已經(jīng)具備了，趕超日本DRAM產(chǎn)業(yè)的技術(shù)體系建設(shè)。三星建立了26個(gè)研發(fā)中心，LG和現(xiàn)代各有18、14個(gè)研發(fā)中心。與之對(duì)應(yīng)的是，三星的技術(shù)研究費(fèi)用成倍增加。1980年三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)費(fèi)用僅有850萬美元，到1994年已經(jīng)高達(dá)9億美元。1990年三星還落后日本，第三個(gè)推出16M DRAM產(chǎn)品。到1992年，三星領(lǐng)先日本，推出世界第一個(gè)64M DRAM產(chǎn)品。1996年，三星開發(fā)出世界第一個(gè)1GB DRAM。與研發(fā)費(fèi)用相對(duì)應(yīng)，1989年韓國(guó)的專利技術(shù)應(yīng)用有708項(xiàng)，1994年竄升至3336項(xiàng)。

但是作為產(chǎn)業(yè)后進(jìn)者的韓國(guó)，仍然存在致命短板。韓國(guó)的核心生產(chǎn)設(shè)備和原料，主要從美國(guó)、日本進(jìn)口。僅在1995年，韓國(guó)就進(jìn)口了價(jià)值25億美元的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，其中47%自日本進(jìn)口，30%來自美國(guó)。由于日本政府在設(shè)備管制方面的漏洞，韓國(guó)可以輕易買到日本先進(jìn)設(shè)備，但是卻很難從日本引進(jìn)技術(shù)。為了減少對(duì)外國(guó)供應(yīng)商的依賴，1994年，由韓國(guó)政府主導(dǎo)，推出總預(yù)算2000億韓元（2.5億美元）的半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目，鼓勵(lì)韓國(guó)企業(yè)投資設(shè)備和原料供應(yīng)鏈。韓國(guó)貿(mào)工部在漢城南部80公里的松炭和天安，設(shè)立兩個(gè)工業(yè)園區(qū)，專門供給半導(dǎo)體設(shè)備廠商設(shè)廠。為了挖來技術(shù)，韓國(guó)以優(yōu)厚條件招攬美國(guó)化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網(wǎng)屏）等廠商，在韓國(guó)設(shè)立合資公司。

完成量產(chǎn)技術(shù)積累后，韓國(guó)企業(yè)開始向產(chǎn)業(yè)廣度擴(kuò)張，以三星為例：三星從美國(guó)SUN公司引進(jìn)JAVA處理器技術(shù)，從法國(guó)STM（意法半導(dǎo)體）引進(jìn)DSP芯片技術(shù)，從英國(guó)ARM引進(jìn)聲音處理芯片技術(shù)，與日本東芝、NEC、沖電氣（OKI）展開新型閃存方面的技術(shù)交流。通過與美國(guó)、歐洲企業(yè)建立聯(lián)盟合作關(guān)系，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產(chǎn)業(yè)資源，開始向微處理器（CPU）等領(lǐng)域快速擴(kuò)張。

1995年美國(guó)微軟公司推出Windows 95操作系統(tǒng)，受此影響，韓國(guó)與日本廠商瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能，導(dǎo)致DRAM產(chǎn)品供過于求，引發(fā)DRAM價(jià)格暴跌70%。但是在美國(guó)的刻意扶植下，韓國(guó)廠商仍然力壓日本。1996年，韓國(guó)三星電子的DRAM芯片出口額達(dá)到62億美元，居世界第一，日本NEC居第二。韓國(guó)現(xiàn)代電子以21.26億美元居第三位。LG半導(dǎo)體以15.4億美元居第九位。

雖然產(chǎn)能在不斷增加，但為此投入的巨額資金，使得韓國(guó)和日本廠商都背負(fù)著巨額債務(wù)。當(dāng)潮水退去時(shí)，才看出誰在裸泳。

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)起步——宏碁電腦咬牙進(jìn)場(chǎng)

1989年，臺(tái)灣宏碁電腦（占股74%）與美國(guó)德州儀器（占股26%）合資，設(shè)立德碁半導(dǎo)體，投資31億元新臺(tái)幣（1.2億美元），由德州儀器提供技術(shù)，在新竹園區(qū)建設(shè)6英寸晶圓廠，生產(chǎn)1M DRAM產(chǎn)品。這是臺(tái)灣第一家專業(yè)DRAM生產(chǎn)廠。臺(tái)積電前廠長(zhǎng)高啟全，也在這一年，集資8億元新臺(tái)幣，創(chuàng)立了旺宏電子，后來成為全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)商。

宏碁電腦最早是1976年，由施振榮等人創(chuàng)辦的一家小公司，靠生產(chǎn)計(jì)算器起家，后來生產(chǎn)小教授掌上學(xué)習(xí)機(jī)壯大，1988年宏碁股票上市。憑借臺(tái)灣股市瘋狂上漲籌措到充裕資金，宏碁看好電腦行業(yè)，便一頭扎進(jìn)了DRAM產(chǎn)業(yè)。但是等到德碁設(shè)廠后，市場(chǎng)已經(jīng)向4M DRAM過渡，宏碁只好追加投資。1990年前后，內(nèi)存市場(chǎng)不景氣加上臺(tái)灣股市暴跌，逼迫德碁咬牙發(fā)行了9億元的三年期特別股，年息5%，期滿后由宏碁購(gòu)回。

面對(duì)沉重的資金壓力，宏碁還將16%的德碁股份，轉(zhuǎn)讓給了中華開發(fā)信托公司。宏碁的苦日子熬了三年，直到1992年日本住友半導(dǎo)體環(huán)氧樹脂廠爆炸，引發(fā)DRAM價(jià)格谷底翻升，德碁才扭虧為盈。隨后又建設(shè)了一座8英寸晶圓廠。但是由于景氣周期影響，1997至98年德碁累計(jì)虧損超過50億元，美國(guó)德州儀器也受不了虧損，干脆把DRAM業(yè)務(wù)甩賣給了鎂光，跟臺(tái)灣宏碁的技術(shù)合作自然也就終止了。在失去技術(shù)來源后，到1999年，宏碁將德碁半導(dǎo)體，高價(jià)出售給了臺(tái)積電，賬面獲利超過200億元新臺(tái)幣。德碁也被臺(tái)積電改造成了晶圓代工廠。

工研院技術(shù)攻關(guān)——世界先進(jìn)半途而廢

面對(duì)日本、韓國(guó)日新月異的DRAM技術(shù)能力，1990年，臺(tái)灣官方在美國(guó)顧問建議下，啟動(dòng)了“次微米制程技術(shù)發(fā)展五年計(jì)劃”，目標(biāo)是砸下58.8億元（約2億美元），攻克8英寸晶圓0.5微米制程技術(shù)，獲得4M SRAM和16M DRAM的生產(chǎn)能力。聯(lián)華電子、臺(tái)積電、華邦電子、茂矽電子、旺宏電子、天下電子等六家企業(yè)參與其中。由于臺(tái)灣并沒有相關(guān)的技術(shù)能力，臺(tái)灣方面找到了美國(guó)IBM公司，負(fù)責(zé)16M DRAM研制的盧超群博士等人，由他們?cè)谂_(tái)灣設(shè)立鈺創(chuàng)科技，將技術(shù)轉(zhuǎn)移到臺(tái)灣。

由于臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)技術(shù)薄弱，1990年代之后，工研院電子所和從美國(guó)回來的研發(fā)人員，成為臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)源頭。與此同時(shí)，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在日本廉價(jià)芯片攻勢(shì)下節(jié)節(jié)敗退，大規(guī)模裁員也迫使一批硅谷華人，回到臺(tái)灣創(chuàng)業(yè)。

1994年12月，臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)部為了落實(shí)工研院的次微米計(jì)劃成果，決定在新竹園區(qū)，投資180億元（5億多美元），由臺(tái)積電占股30%，和華新麗華、矽統(tǒng)、遠(yuǎn)東紡織等13家公司合股，成立世界先進(jìn)積體電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱世界先進(jìn)），建設(shè)臺(tái)灣第一座8英寸晶圓廠，以DRAM芯片為主攻業(yè)務(wù)。然而世界先進(jìn)的經(jīng)營(yíng)狀況很不好，2001年虧損92.93億元，元?dú)獯髠５?003年，世界先進(jìn)嚴(yán)重虧損，累計(jì)虧損達(dá)194.12億元，被迫退出了DRAM生產(chǎn)。在臺(tái)積電主導(dǎo)下，世界先進(jìn)徹底轉(zhuǎn)型成了晶圓代工廠。從1994年至2003年，世界先進(jìn)只有3年出現(xiàn)獲利，虧損卻長(zhǎng)達(dá)7年。究其虧損原因，在于企業(yè)投資規(guī)模太小，產(chǎn)能微不足道，根本無力與韓國(guó)三星、日本NEC等巨無霸，進(jìn)行同場(chǎng)廝殺。而張忠謀并不看好臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，臺(tái)積電的晶圓代工產(chǎn)能卻供不應(yīng)求，于是張忠謀力爭(zhēng)將世界先進(jìn)，向晶圓代工廠轉(zhuǎn)型。

世界先進(jìn)是臺(tái)灣唯一一家，能夠進(jìn)行DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)的企業(yè)。其他企業(yè)全部是花費(fèi)巨額資金，從日本、美國(guó)獲得制程技術(shù)授權(quán)。每年付出的技術(shù)費(fèi)用，占銷售額3%以上。再加上巨額進(jìn)口設(shè)備投資，使得臺(tái)灣企業(yè)根本無法與掌握自主技術(shù)研發(fā)能力的韓國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。世界先進(jìn)的垮臺(tái)，最終導(dǎo)致臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)如同無根之木，注定了失敗命運(yùn)。

力晶瘋狂投資——十年虧損一年賺回

1993年，臺(tái)灣電腦主板生產(chǎn)廠——精英（力捷）電腦的董事長(zhǎng)黃崇仁，在全球DRAM嚴(yán)重缺貨的情況下，跑到日本東芝要貨，卻吃了閉門羹。黃崇仁決定自行投資生產(chǎn)DRAM。在從日本三菱電機(jī)獲得技術(shù)授權(quán)后，1994年黃崇仁投資4億元新臺(tái)幣，在新竹園區(qū)成立了力晶半導(dǎo)體。由于財(cái)力薄弱、技術(shù)薄弱，力晶面臨極大的困難，直到1996年才建成了第一條8英寸生產(chǎn)線，以0.4微米工藝生產(chǎn)16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市，但是由于0.18微米制程的生產(chǎn)良率問題，加上市場(chǎng)不景氣，到1998年底，力晶稅前虧損38億元，四年累計(jì)虧損65.69億臺(tái)幣，已經(jīng)到了存亡關(guān)頭。黃崇仁在情急之下，找張忠謀幫忙。張忠謀趁機(jī)用臺(tái)積電控股的世界先進(jìn)，向力晶注資27億元，獲得日本三菱電機(jī)和兼松商社釋出的11%力晶股份，成為力晶最大股東。在張忠謀引導(dǎo)下，力晶也開始向晶圓代工轉(zhuǎn)型。

2000年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣大好。此時(shí)只有一座8英寸廠的力晶，宣布投資600億元（19億美元）巨額資金，建設(shè)12英寸晶圓廠。這是一項(xiàng)極為瘋狂的投資。工程開始后，景氣卻迅速下滑，為了籌集資金，力晶發(fā)行了2億美元公司債。到2002年12寸新廠建成，力晶連年虧損。由于三菱電機(jī)將DRAM業(yè)務(wù)并入爾必達(dá)，力晶于是和爾必達(dá)結(jié)成同盟，獲得90納米技術(shù)授權(quán)。2003年力晶又動(dòng)工興建了第二座12英寸廠。直至2004年，力晶的12寸晶圓廠，成為全球唯一將256M SDRAM生產(chǎn)成本，降至3美元以下的廠商。當(dāng)年盈利高達(dá)165.49億元（約5億美元），把過去十年賠掉的錢，一次賺了回來。力晶的股價(jià)也順勢(shì)大漲，成為臺(tái)灣DRAM股王。

2004年是一個(gè)節(jié)點(diǎn)，英特爾在向業(yè)界力推新規(guī)格的DDR2內(nèi)存，以淘汰DDR內(nèi)存。全球DRAM產(chǎn)業(yè)從8英寸廠向12英寸廠轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，以降低制造成本。一片12英寸晶圓，雖然材料成本比8英寸晶圓貴52%，但是產(chǎn)量是8英寸晶圓的2.25倍，可以使產(chǎn)品顆粒成本下降30%左右。但是8英寸廠的投資額約10-15億美元，12英寸廠的投資額，竟暴漲至20-25億美元。在2000年市場(chǎng)景氣時(shí)，幾乎每一家廠商都放話要蓋12英寸晶圓廠，然而經(jīng)過兩年景氣衰退，還敢投資建設(shè)12寸廠的業(yè)者，只剩下了八家——分別是韓國(guó)三星、海力士，美國(guó)鎂光，德國(guó)英飛凌，日本爾必達(dá)，臺(tái)灣的茂德、南亞科技和力晶。無力建設(shè)12寸晶圓廠的公司，也就只好洗牌出局，去做晶圓代工了。2006年力晶與日本爾必達(dá)合作成立瑞晶電子，用老舊的8寸生產(chǎn)線，專門做晶圓代工業(yè)務(wù)。并規(guī)劃5年內(nèi)在臺(tái)灣中部科學(xué)園區(qū)，建設(shè)4座月產(chǎn)能6萬片的12英寸晶圓廠。總投資額高達(dá)4500億元新臺(tái)幣（約136億美元）。同年瑞晶又將旺宏電子閑置的12寸生產(chǎn)線收購(gòu)過來，專門進(jìn)行代工生產(chǎn)。

土豪股東——臺(tái)塑集團(tuán)重資下注

1995年3月，臺(tái)灣龍頭企業(yè)臺(tái)塑集團(tuán)，成立南亞科技，在臺(tái)北縣南林園區(qū)設(shè)立8英寸DRAM廠，月產(chǎn)能3萬片。技術(shù)來自日本沖電氣（OKI）授權(quán)的16M DRAM。臺(tái)塑為了解決晶圓供應(yīng)問題，還投資42億元臺(tái)幣，與日本小松合資成立了專門生產(chǎn)高純度晶圓棒材的工廠。這就使南亞具備了成本優(yōu)勢(shì)。南亞的每片8寸晶圓制造成本約1000美元，比同業(yè)的1300-1400美元要低很多。

由于遇到景氣衰退，南亞科技從建廠起就連年虧損。但是憑借臺(tái)塑集團(tuán)資本雄厚，1998年7月，南亞科技在DRAM市場(chǎng)最低迷的時(shí)候，開工建設(shè)第二座8寸晶圓廠，并與美國(guó)IBM簽訂了0.2微米64M DRAM的技術(shù)授權(quán)協(xié)議。南亞當(dāng)時(shí)是IBM服務(wù)器DRAM的主要供應(yīng)商之一。到2000年8月，南亞試生產(chǎn)的0.175微米64M DRAM開始大量投片，良率達(dá)到70%，每片8寸晶圓可以產(chǎn)出1050顆成品，加上封裝測(cè)試費(fèi)用，每顆成品的成本只有2美元左右。如果按照月產(chǎn)能3萬片計(jì)算，每月可生產(chǎn)3150萬顆左右的DRAM芯片顆粒，價(jià)值超過6000萬美元。但是由于產(chǎn)業(yè)不景氣，2001年南亞虧損115.64億元（3.5億美元）。幸虧臺(tái)塑集團(tuán)籌集巨資才度過難關(guān)。

到2002年，全球DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，由英特爾主推的Rambus內(nèi)存，因技術(shù)原因敗給了DDR內(nèi)存，DDR成為市場(chǎng)主流。而南亞憑借DDR內(nèi)存的成本優(yōu)勢(shì)，盈利100億元（2.86億美元），成為臺(tái)灣五大DRAM廠中，唯一盈利的廠商。老牌DRAM大廠華邦電子，由于不堪虧損，干脆轉(zhuǎn)去做晶圓代工了。

2003年1月，南亞科技與德國(guó)英飛凌合資，成立華亞科技，雙方各占股46%，投資22億美元（820億元新臺(tái)幣），建設(shè)12英寸晶圓廠，產(chǎn)量由雙方平分。到2006年，臺(tái)灣一度轟轟烈烈的DRAM產(chǎn)業(yè)熱潮，還剩下六家廠商。其中三家是自主品牌廠商：南亞科技、茂德和力晶。還有三家是專做DRAM代工的廠商：華邦電子、新成立的華亞科技和瑞晶。其中華亞為德國(guó)英飛凌代工，瑞晶為日本爾必達(dá)代工生產(chǎn)DRAM。

德國(guó)英飛凌——臺(tái)灣茂德、南亞、華亞的技術(shù)后

英飛凌前身是德國(guó)西門子的半導(dǎo)體部門。1996年，臺(tái)灣茂矽電子（占股62%）與西門子的半導(dǎo)體部門合資，投資450億元新臺(tái)幣，在新竹園區(qū)成立茂德電子，建設(shè)8英寸晶圓廠。采用西門子提供的制程生產(chǎn)DRAM晶圓，產(chǎn)量由兩家分配。1998年由于產(chǎn)業(yè)不景氣，西門子半導(dǎo)體部門從集團(tuán)分離出來，成立了英飛凌，繼承了西門子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的三萬多項(xiàng)專利，是當(dāng)時(shí)僅次于三星、鎂光的第三大DRAM廠商，2001年?duì)I業(yè)額57億歐元。

2001年起，由于DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，茂矽虧損300億元新臺(tái)幣，并大量質(zhì)押茂德股票，引發(fā)與英飛凌的矛盾。2002年10月，英飛凌突然與茂矽中斷合資關(guān)系，終止技術(shù)授權(quán)合約，并停止采購(gòu)茂德的晶圓。此后茂矽大量回購(gòu)茂德股票，英飛凌則轉(zhuǎn)向與南亞科技合作，由此組建了華亞半導(dǎo)體。英飛凌撤資后，茂德為了救急，先后與英飛凌的對(duì)手，日本爾必達(dá)和韓國(guó)海力士達(dá)成合作關(guān)系。此后的發(fā)展非常艱難，2007年金融危機(jī)后，茂德便一直虧損，到2012年破產(chǎn)時(shí)，負(fù)債高達(dá)700億元（約21億美元），已經(jīng)完全資不抵債。

英飛凌與南亞科技合作建設(shè)12英寸晶圓廠，希望通過合資方式掌握產(chǎn)能，挑戰(zhàn)三星電子，目標(biāo)是拿下全球30%的市場(chǎng)。然而建廠耗資巨大，市場(chǎng)卻不景氣。2005年，全球DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)了57%，但內(nèi)存平均價(jià)格下跌了40%。英飛凌為了規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，于是將虧損嚴(yán)重的DRAM業(yè)務(wù)分離出來，于2006年3月成立了奇夢(mèng)達(dá)（Qimonda）。（2009年奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)后被中國(guó)浪潮集團(tuán)并購(gòu)。）

與此同時(shí)，2006年3月，南亞科技再次砸下800億元臺(tái)幣（24億美元），開工建設(shè)第二座12英寸晶圓廠。原因是2005年7月，微軟推出了Windows Vista操作系統(tǒng)。臺(tái)灣廠商押寶該系統(tǒng)，會(huì)讓消費(fèi)者購(gòu)買更多的DDR2內(nèi)存。然而市場(chǎng)對(duì)Vista的冷淡反應(yīng)，讓人措手不及。更嚴(yán)重的是，一場(chǎng)席卷全球的金融風(fēng)暴，徹底摧毀了臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)的未來。

全球金融危機(jī)——壓垮臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)

2007年8月，由美國(guó)次貸危機(jī)引發(fā)的金融風(fēng)暴席卷全球。由于內(nèi)存供過于求，價(jià)格出現(xiàn)全面崩盤。2007年1月，512M 667MHz DDR2顆粒的價(jià)格還有6美元，到年底已經(jīng)跌破成本價(jià)，僅為1.09美元。反映在中國(guó)市場(chǎng)上，2007年初，一根1GB 667MHz DDR2內(nèi)存條的售價(jià)還在250元左右，甚至在暑期一路漲到360元。但是從8月中旬起，由于內(nèi)存廠商降價(jià)清空庫(kù)存，以應(yīng)對(duì)經(jīng)濟(jì)危機(jī)，中國(guó)海關(guān)趁機(jī)放寬內(nèi)存條進(jìn)口，導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格一路暴跌。到年底1G內(nèi)存條的價(jià)格僅為110元，現(xiàn)代512M DDR2內(nèi)存條的價(jià)格僅有65元。囤貨炒內(nèi)存條的商家因此虧到吐血。

反映到企業(yè)業(yè)績(jī)上，全球DRAM廠商更是虧到哭。從2007年至2008年底，全球DRAM行業(yè)累計(jì)虧損超過125億美元，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)更是全線崩盤。其中資本實(shí)力最為雄厚的南亞科技，從2007年起，連續(xù)虧損了六年，累計(jì)虧損1608.6億元（約49億美元），最慘的時(shí)候每股凈值只剩下0.09元。華亞科技從2008年起，連續(xù)虧損五年，累計(jì)虧損804.48億元（約24.4億美元）。這兩家由臺(tái)塑集團(tuán)投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元（約73億美元）。如果不是臺(tái)塑集團(tuán)實(shí)力雄厚，南亞與華亞早就破產(chǎn)倒閉了。

2008年最慘的時(shí)候，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。幾乎每天虧損1億元。臺(tái)灣五家DRAM廠共虧損1592億元（約48億美元），創(chuàng)歷史紀(jì)錄。2009年初，臺(tái)灣所有DRAM廠家放無薪假。

致命缺陷——臺(tái)灣缺乏自主核心技術(shù)

2008年金融危機(jī)越燒越旺時(shí)，臺(tái)灣官方便提出將臺(tái)灣六家DRAM廠整合的計(jì)劃。與韓國(guó)相比，臺(tái)灣六家DRAM廠占全球市場(chǎng)份額還不到20%。也就是說，六家捆到一起，還抵不上韓國(guó)三星一家的產(chǎn)能。問題還不僅僅如此，臺(tái)灣廠商主要存在三個(gè)致命問題：一沒有核心技術(shù)研發(fā)能力，要花大價(jià)錢從日本、美國(guó)、德國(guó)廠商手里購(gòu)買技術(shù)授權(quán)。國(guó)際上DRAM廠的平均研發(fā)費(fèi)用要占企業(yè)營(yíng)收的15-20%，而臺(tái)灣僅6%。每年臺(tái)灣向外國(guó)支付的技術(shù)授權(quán)費(fèi)用超過200億元新臺(tái)幣（約6億美元）。僅2007年，臺(tái)灣四大DRAM廠支付的技術(shù)授權(quán)費(fèi)就高達(dá)4.7億美元。

二是沒有制程設(shè)備研制能力，臺(tái)灣每年要花費(fèi)十幾億美元巨額資金，去購(gòu)買日本、美國(guó)的設(shè)備。可是今年花十幾億美元進(jìn)口的90納米設(shè)備，明年別人已經(jīng)采用65納米制程了。日本、韓國(guó)都擁有一定的設(shè)備研制能力，在設(shè)備成本上要遠(yuǎn)低于臺(tái)灣。三是臺(tái)灣沒有市場(chǎng)縱深，全要仰賴日本、韓國(guó)、美國(guó)、中國(guó)大陸廠商的采購(gòu)訂單。平時(shí)日本、韓國(guó)廠商能扔些訂單到臺(tái)灣。而一遇經(jīng)濟(jì)危機(jī)，日韓訂單萎縮，臺(tái)灣廠商立時(shí)陷入困境。臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)品在容量、性能、品質(zhì)、價(jià)格、品牌上都處于劣勢(shì)，怎么跟韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)？

臺(tái)灣這種只圖快進(jìn)快出，靠購(gòu)買技術(shù)授權(quán)、制程設(shè)備來快速擴(kuò)充產(chǎn)能、賺快錢的經(jīng)營(yíng)模式。在面臨韓國(guó)、日本財(cái)閥式經(jīng)濟(jì)集團(tuán)的重壓時(shí)，根本不堪一擊。

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合——烏合之眾難成氣候

為挽救債臺(tái)高筑的DRAM廠，臺(tái)灣官方的計(jì)劃是進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合。成立“臺(tái)灣記憶體公司”（Taiwan Memory Company，TMC），由聯(lián)華電子副董事長(zhǎng)宣明智負(fù)責(zé)，對(duì)六家DRAM廠進(jìn)行控股整合。同時(shí)與日本爾必達(dá)或美國(guó)鎂光談判，合作推進(jìn)自主技術(shù)研發(fā)。臺(tái)灣官方希望TMC是一家民營(yíng)企業(yè)，政府投資越少越好，最多不超過300億元新臺(tái)幣。

由于日本爾必達(dá)也在金融風(fēng)暴中陷入困境，因此愿意向臺(tái)灣提供全部核心技術(shù)，以換取臺(tái)灣的援助資金。但是臺(tái)灣各家DRAM廠卻并不愿意整合。因?yàn)楦骷夜颈澈蠖加胁煌募夹g(shù)合作對(duì)象，采用的技術(shù)不同。而且臺(tái)灣官方的整合計(jì)劃，并不能挽救各家工廠的財(cái)務(wù)困境，因此整合工作很難推進(jìn)。與此同時(shí)，臺(tái)灣媒體也在火上澆油。如2009年3月7日，臺(tái)灣自由時(shí)報(bào)，以《國(guó)發(fā)基金小心掉進(jìn)大錢坑》為題，指稱TMC是個(gè)錢坑，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過剩、流血競(jìng)爭(zhēng)等局面。

到2009年10月，“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”在立法院審議時(shí)遭到否決，禁止國(guó)發(fā)基金投資TMC公司。與此同時(shí)，由于奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)和Windows7帶來的換機(jī)熱潮，推動(dòng)DRAM市場(chǎng)景氣回轉(zhuǎn)，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)飆升。之前陷入困境的各家廠商，情況出現(xiàn)好轉(zhuǎn)。日本爾必達(dá)也因此拒絕向臺(tái)灣轉(zhuǎn)讓核心技術(shù)。臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃，就此徹底失敗。

市場(chǎng)景氣的暫時(shí)回暖，并不能改變臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)小而散、缺乏技術(shù)、缺乏競(jìng)爭(zhēng)力的局面，注定了它們被淘汰的命運(yùn)。2010年，韓國(guó)三星砸下18萬億韓元（約170億美元，合1100億元人民幣）巨額資金，傾全力發(fā)展DRAM和NAND閃存技術(shù)，血洗內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。日本、臺(tái)灣廠商迅速敗下陣來。

2012年2月，日本爾必達(dá)宣布破產(chǎn)，負(fù)債高達(dá)4480億日元（89.6億美元），是日本史上最大的破產(chǎn)案件。同月，臺(tái)灣茂德申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，虧損總額超過700億元新臺(tái)幣（約21億美元）。南亞科技在2012年虧損360億元，等于每天賠掉1億元。自從奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)后，南亞科與美國(guó)鎂光結(jié)成聯(lián)盟。臺(tái)塑旗下的華亞科技，從2008年至2012年，連續(xù)虧損五年，虧損總額達(dá)744.98億元（約22.6億美元）。2013年至2014年，華亞科技扭虧為盈，獲利高達(dá)741億元（含巨額退稅）。盈虧相抵，僅虧損4億元新臺(tái)幣。2015年12月，美國(guó)鎂光以32億美元（206億元人民幣），收購(gòu)臺(tái)灣華亞科技67%的股份。臺(tái)塑集團(tuán)終于甩掉了這個(gè)燙手山芋。

綜觀臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展三十年來，最終落得一地雞毛。究其根源，在于臺(tái)灣省政府盲目聽信美國(guó)主導(dǎo)的自由市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)理論。1980年代，臺(tái)灣省政府還能在產(chǎn)業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)技術(shù)上，對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)行扶持。到2000年后，盡管***政府提出了“兩兆雙星”產(chǎn)業(yè)政策，但是對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)、液晶面板產(chǎn)業(yè)缺乏扶持力度，缺乏產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)能力，導(dǎo)致臺(tái)灣DRAM、液晶面板產(chǎn)業(yè)，在小而散的錯(cuò)誤道路上越走越遠(yuǎn)，最終被韓國(guó)企業(yè)全面擊潰。

臺(tái)灣的產(chǎn)業(yè)失敗經(jīng)歷，是用500億美元巨額投入換來的。這個(gè)教訓(xùn)足夠深刻。

全球DRAM產(chǎn)業(yè)復(fù)雜的競(jìng)爭(zhēng)與合作關(guān)系，如同春秋戰(zhàn)國(guó)時(shí)期的合縱連橫。強(qiáng)者恒強(qiáng)，高度壟斷。

中國(guó)大陸入局——一場(chǎng)只許勝不許敗的戰(zhàn)爭(zhēng)

在外資廠商市場(chǎng)壟斷下，華為、中興、小米、聯(lián)想等中國(guó)手機(jī)、PC廠商，經(jīng)常遇到DRAM缺貨情況。而在中國(guó)國(guó)內(nèi)，僅有中芯國(guó)際具備少量DRAM產(chǎn)能，根本無法實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

怎么辦呢？有錢可以買吧？2015年7月，中國(guó)紫光集團(tuán)向全球第三大DRAM廠商，美國(guó)鎂光科技，提出230億美元的收購(gòu)要約。結(jié)果被鎂光拒絕了，理由是擔(dān)心美國(guó)政府，會(huì)以信息安全方面的考慮，阻撓這項(xiàng)交易。

那就自己造吧。于是從2016年起，中國(guó)掀起了一場(chǎng)DRAM產(chǎn)業(yè)投資風(fēng)暴。紫光集團(tuán)宣布投資240億美元，在武漢建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地（武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠），占地超過1平方公里，2018年一期建成月產(chǎn)能20萬片，預(yù)計(jì)到2020年建成月產(chǎn)能30萬片，年產(chǎn)值超過100億美元。計(jì)劃2030年建成月產(chǎn)能100萬片。福建晉華集團(tuán)與臺(tái)灣聯(lián)華電子合作，一期投資370億元，在晉江建設(shè)12英寸晶圓DRAM廠，2018年建成月產(chǎn)能6萬片，年產(chǎn)值12億美元。規(guī)劃到2025年四期建成月產(chǎn)能24萬片。合肥長(zhǎng)鑫投資494億（72億美元），2018年建成月產(chǎn)能12.5萬片。

2017年1月，紫光集團(tuán)宣布投資300億美元(約2000億人民幣)，在江蘇南京投資建設(shè)半導(dǎo)體存儲(chǔ)基地，一期投資100億美元，建成月產(chǎn)能10萬片，主要生產(chǎn)3D NAND FLASH（閃存）、DRAM存儲(chǔ)芯片。

上述四個(gè)項(xiàng)目總投資超過660億美元（4450億元人民幣）。確實(shí)有點(diǎn)瘋狂。