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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>DRAM在報(bào)價(jià)上仍有上揚(yáng)空間,或?qū)⒈3忠欢屋^為平穩(wěn)或緩步走低的情況

DRAM在報(bào)價(jià)上仍有上揚(yáng)空間,或?qū)⒈3忠欢屋^為平穩(wěn)或緩步走低的情況

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2017-08-21 15:51:25

電機(jī)停機(jī)一段時(shí)間后,次開車時(shí)有異響的原因?

我們是部礦井提升機(jī),提升機(jī)用的西瑪格的,電機(jī)是西門子變頻電機(jī),采用SM150驅(qū)動(dòng),當(dāng)電機(jī)停機(jī)一段時(shí)間后,次開車時(shí)有異響,但當(dāng)滾筒轉(zhuǎn)過周后就沒有聲音了,下次停機(jī)一段時(shí)間后又是這種情況,請大家說下可能的原因。 請大家?guī)兔Ψ治龇治霭伞?/div>
2023-12-13 07:38:29

電源供電輸入掉電后輸出要如何保持

實(shí)際電路設(shè)計(jì)過程中,要求電源輸入掉電后,輸出還能保持一段時(shí)間用于掉電信息上報(bào)給系統(tǒng),而實(shí)際從電源發(fā)出掉電告警信息到控制器檢測的電源掉電告警信號,再到控制器告警信號上報(bào)系統(tǒng)需要一段較長的時(shí)間
2019-02-20 11:06:37

下MCU設(shè)計(jì)中的情況

我們來看下MCU設(shè)計(jì)中的情況,其中IoT RAM明顯比外部DRAM具有優(yōu)勢。在下面的通用MCU圖中,工作/靜態(tài)存儲器部分越來越需要擴(kuò)展。整個(gè)工作空間中使用DRAM會增加系統(tǒng)的功耗,并需要集成刷新
2021-11-10 06:59:22

請教關(guān)于C6748 L1DRAM cache 的問題?

C6748 電時(shí)默認(rèn)L1DRAM全部為cache,1、那么如果我程序中沒有對 L1DRAM進(jìn)行操作配置,程序運(yùn)行時(shí)L1DRAM中的數(shù)據(jù)是否會有變化?2、L1DRAM作為 cache是如何工作的?
2018-07-25 07:46:25

請問28377D如何指定一段程序由CPU1執(zhí)行,另一段程序CPU2中執(zhí)行

28377D如何指定一段程序由CPU1執(zhí)行 ,另一段程序CPU2中執(zhí)行
2018-12-06 10:44:27

請問6678 BIOS 下如何定義某一段或者某自定義存儲空間為Non cacheable?

TI的工程師你們好!自制的塊6678板子,多核跑程序時(shí)出現(xiàn)問題,定義共享內(nèi)存內(nèi)的變量,其他核心無法正確讀取數(shù)據(jù)BIOS內(nèi),我從共享內(nèi)存內(nèi)開辟了一段1K的空間,名字叫做MSMC_DATA.
2018-07-24 09:57:08

請問ISD400系列假設(shè)錄了一段音如何知道它一段錄音的末尾地址?

ISD400系列假設(shè)錄了一段音,怎么知道它一段錄音的末尾地址呢?
2019-03-11 01:23:28

請問MSMC能不能負(fù)載8個(gè)核心的同時(shí)讀取同一段空間

的process_job中有如下一段程序for( i = 0; i < numFeatures; i++) [// index
2019-01-08 10:43:55

請問為什么電路上電后工作一段時(shí)間VDD與GND阻值變低?

使用AD7682采樣,電之前VDD與GND之間阻值正常,電后工作一段時(shí)間阻值只有幾十歐姆,繼續(xù)工作的話就短路了,請問什么情況會導(dǎo)致VDD與GND阻值變低 。
2020-01-15 09:34:58

請問如何編寫程序控制flash,來定義一段的指定空間作為自由存儲區(qū)?

要在flash中開辟一段存儲空間,能夠自由地進(jìn)行讀寫,請問應(yīng)該如何編寫程序?
2018-06-12 19:42:08

請問怎樣用stm32記錄一段波形?

最近在做學(xué)習(xí)型遙控器,要把一段波形記錄下來再發(fā)送出去。怎樣記錄一段波形中高低電平的時(shí)間?
2018-09-27 09:23:30

問個(gè)很挫的問題,為什么不把CMOSRAM直接并在DRAM

為什么不把CMOSRAM直接并在DRAM,不占空間
2013-04-08 22:45:34

DRAM銷售單價(jià)大幅度上揚(yáng),中國的存儲器市場開始走出瓶頸期

2016年DRAM市場情況可謂是“跌宕起伏”,上半年需求不振,持續(xù)跌價(jià),第三季后,在中國智慧行手機(jī)出貨多,筆電出貨回溫的前提下,DRAM的平均銷售單價(jià)開始大幅度上揚(yáng)。DRAM產(chǎn)業(yè)開始走出瓶頸期。
2018-07-13 15:54:00485

DRAM漲價(jià)趨勢2018年將開始下滑 恐將2年之久

2017年的DRAM價(jià)格受惠于數(shù)據(jù)中心需求,報(bào)價(jià)一路上揚(yáng),在第四季依然取得不俗的成績。根據(jù)歷史趨勢來看,DRAM漲價(jià)趨勢將會2018年開始下滑,最長恐將2年之久。
2018-01-03 13:13:021415

2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚(yáng) 三星與SK海力士相繼推出HBM2

據(jù)市場分析,GPU業(yè)者對繪圖DRAM需求料將有增無減,2018年繪圖DRAM銷量會持續(xù)上揚(yáng),三星、SK海力士相繼量產(chǎn)HBM2,價(jià)格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619

DRAM Q2營收創(chuàng)新高,三星穩(wěn)坐龍頭

DRAMeXchange調(diào)查顯示,2018年Q2由于供給吃緊情況延續(xù),帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng),DRAM營收較上季成長11.3%,再創(chuàng)新高。
2018-08-14 11:08:553693

全球DRAM平均價(jià)格上揚(yáng),但2019年DRAM市況應(yīng)會出現(xiàn)供過于求情況

全球DRAM價(jià)格在2017、2018年連兩年大幅上揚(yáng),對DRAM買方市場形成不少采購壓力,但如今在三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)及SK海力士(SK
2018-09-10 16:30:321417

DRAM價(jià)格一崩到底 年底前會保持平穩(wěn)

盡管因日本限制韓國關(guān)鍵半導(dǎo)體材料等因素,有聲音認(rèn)為DRAM價(jià)格會因此上揚(yáng),可集邦覺得下這種結(jié)論為時(shí)尚早。然而不能否認(rèn)的是,日本制裁韓國事件出現(xiàn)后,部分分銷商有意捂盤,企圖以干預(yù)庫存和流通的方式操縱市場價(jià)。
2019-11-29 16:41:00403

2019年DRAM芯片報(bào)價(jià)一路走低 1月漲價(jià)將是大概率事件

行業(yè)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布了8Gb DDR4內(nèi)存芯片的最新月度合約報(bào)價(jià),可以看到,已經(jīng)連續(xù)3個(gè)月保持在2.79~2.88美元。
2020-01-06 10:29:421763

元月面板報(bào)價(jià)持續(xù)上揚(yáng),拉出“連八(月)漲”走勢

元月面板報(bào)價(jià)持續(xù)上揚(yáng),拉出“連八(月)漲”走勢,是歷來最長的漲勢,2、3月持續(xù)看升,業(yè)界估挑戰(zhàn)“連十漲”,粉碎市場原先擔(dān)心三星延后關(guān)閉LCD廠,將導(dǎo)致價(jià)格回軟的疑慮。
2021-01-07 09:07:292452

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